双极型晶体管的结构及优缺点
当正极电压施加在基区时,向基区注入载流子。这些载流子会以一定的概率穿过基区,进入集电区。这个过程发生的概率与基区的宽度和施加的电压有关。在穿过基区时,载流子会被放大,从而形成一个放大器。优点简单易懂:BJT的结构简单,易于理解和使用。高增益:在适当的工作区域内,BJT的增益非常高。这种高增益使得BJT非...
功率晶体管的历史和新兴设计
IGBT通过使用正栅极偏置创建MOS沟道来工作,该偏置将基极驱动电流输送到内部宽基极P-N-P双极晶体管。在同一漂移区内,通过沟道使用电子和通过P-N-P晶体管使用空穴产生集电极电流,称为MOS双极电流传输。该器件可以通过将栅极电压降低到零来关闭电子供应。由于采用了宽基极P-N-P晶体管,而不是当时用于功率晶体管的窄...
音响中的场效应管和双极型晶体管
而在允许取一定量电流时,选用晶体管进行放大,可以得到比场效应管高的电压放大倍数。3.场效应管是利用多子导电(多子:电子为多数载流子,简称多子),而晶体管是既利用多子,又利用少子(空穴为少数载流子,简称少子),由于少子的浓度易受温度,辐射等外界条件的影响,因此在环境变化比较剧烈的条件下,采用场效应管比较合适。
一文看懂纵向晶体管与横向晶体管的原理及区别
这种管子的特点是,管子的基区宽度WB可以准确地控制,而且做得很薄。因此,纵向PNP管的β很大。超β管的β值在2000一5000(α=0.995-0.9998)。是以P型衬底作为集电极,因此只有集成元器件之间采用PN结隔离槽的集成电路才能制作这种结构的管子。由于这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的垂直方向运动的,故称为纵向PNP管...
电力MOS场效应晶体管基础知识解析
场效应管有两大类,结型场效应管JFET和绝缘栅型场效应管IGFET,后者性能更为优越,发展迅速,应用广泛。图Z0121为场效应管的类型及图形、符号。一、结构与分类图Z0122为N沟道结型场效应管结构示意图和它的图形、符号。它是在同一块N型硅片的两侧分别制作掺杂浓度较高的P型区(用P表示),形成两个对称的PN结...
电力晶体管GTR的开关特性详解
大多数双极型功率晶体管是在重掺质的N+硅衬底上,用外延生长法在N+上生长一层N漂移层,然后在漂移层上扩散P基区,接着扩散N+发射区,因之称为三重扩散(www.e993.com)2024年9月11日。基极与发射极在一个平面上做成叉指型以减少电流集中和提高器件电流处理能力。GTR分为NPN型和PNP型两类,又有单管GTR、达林顿式GTR(复合管)和GTR模块几种...
功率晶体管的历史和新兴设计_腾讯新闻
IGBT通过使用正栅极偏置创建MOS沟道来工作,该偏置将基极驱动电流输送到内部宽基极P-N-P双极晶体管。在同一漂移区内,通过沟道使用电子和通过P-N-P晶体管使用空穴产生集电极电流,称为MOS双极电流传输。该器件可以通过将栅极电压降低到零来关闭电子供应。由于采用了宽基极P-N-P晶体管,而不是当时用于功率晶体管的窄...
常用半导体中英对照表(建议收藏)
Basetransportefficiency基区输运系数Base-widthmodulation基区宽度调制Basisvector基矢Bias偏置Bilateralswitch双向开关Binarycode二进制代码Binarycompoundsemiconductor二元化合物半导体Bipolar双极性的BipolarJunctionTransistor(BJT)双极晶体管...
SiC IGBT研究进展与前瞻
首先生长一层2μm厚、掺杂浓度为2×1017cm-3的P型缓冲层,之后继续生长100μm厚、掺杂浓度为2×1014cm-3的P型漂移区。漂移区的载流子少子寿命为1.2μs。为保证栅氧化层的可靠性,同时尽可能地提升器件的通态特性,在条形元胞中JFET区域的宽度设计为10μm,六角形元胞中JFET区域的...
干货|MOSFET结构及其工作原理详解
因为只有在漏极N区下的横向电阻流过足够电流为这个N区建立正偏的条件时,寄生的双极性晶闸管才开始发难。然而在严峻的动态条件下,因dv/dt通过相应电容引起的横向电流有可能足够大。此时这个寄生的双极性晶体管就会起动,有可能给MOSFET带来损坏。所以考虑瞬态性能时对功率MOSFET器件内部的各个电容(它是dv/dt的通道)...