半导体工艺中金属元素分析和污染物控制

3、硅片中金属污染物的自动化分析清洁、蚀刻氧化物生长和离子注入过程可能会在半导体器件中引入金属污染。痕量污染物也可能来自用于生产块状多晶硅的石英岩(砂)以及切割晶圆的纯单晶硅锭。石英岩中的主要污染元素是铁、铝、钙和钛,而在将石英岩转化为98%纯硅的碳热还原过程中可能引入其他元素。然后利用气相纯化和...

光伏行业深度报告:成结、镀膜、金属化,探究电池技术进步的本质

在同质结电池里,P型区和N型区属于同一种半导体材料,通常用掺杂的方式来形成P-N结。常见的掺杂方法有:一是管式扩散(分低压、常压);二是离子注入再加上退火;三是涂布源扩散(像丝网印刷、旋涂、喷涂、滚筒印刷这些方式)。现在大多是采用低压管式扩散这种方法。磷扩:POCl3分解出的P2O5会沉淀在硅片表面,P2O5和...

岛津半导体领域全面解决方案,助力中国“芯”未来

气体中的金属杂质是使半导体产生漏电、晶格缺陷和断线的主要原因。参考《GB/T34972-2017电子工业用气体中金属含量的测定电感耦合等离子体质谱法》,使用岛津ICPMS-2050系列测试电子气体氩气中多种元素的含量。方法检出限在0.0002~1.0702μg/L范围。表1.电子气体氩气中多种元素的含量金属元素分析案例2:EDX分析晶...

研究人员开发出基于二维半导体制造高性能晶体管的方法

01阿卜杜拉国王科技大学、苏州大学等研究人员推出一种基于二维半导体的晶体管制造方法。02该方法采用六方氮化硼(h-BN)电介质和高内聚能金属栅极电极,提高了晶体管的性能和可靠性。03通过堆垛不同种类的二维材料,可以构筑功能性更强的材料体系,有望在高性能电子器件等领域得到应用。04实验结果显示,与采用金(Au)电...

【复材资讯】Nature: 半导体/金属超晶格和间隙型嵌入机制的首次发现

图五具有MiGs结构的p型氮化镓的电流电压测试。@nature研究展望在2014年诺贝尔物理学奖授予氮化镓研究的十周年之际,二维镁嵌入氮化镓式超晶格结构的发现,再一次演绎了氮化镓半导体与金属镁的“奇妙互动”。这种研究金属-半导体超晶格的能带结构和传输特性的新平台,也为半导体掺杂机制和材料科学的基础研究提供了新题...

过渡金属氧化物带隙的Wannier–Koopmans方法计算

文/编辑/快看原同学尼尔-库普曼方法最近万尼尔-库普曼方法(WKM)的发现可谓是轰动一时,该方法用于带隙计算,已经对主基团共价半导体、碱卤化物、二维材料、过渡金属氧化物和有机晶体进行了测试(www.e993.com)2024年11月22日。过渡金属氧化物是电子产品、太阳能电池、催化剂、电池和许多其他设备中最重要的一类材料之一。这种材料的带隙是这些应用的...

过渡金属二硫属化物TMD可能成为下一代半导体的有希望的候选者

二维材料:硫族元素空位和氢在块体过渡金属二硫族化合物的光学和电学性质中的作用PPPL:检测未来技术的缺陷Tom'sHardware:开发下一代二维半导体的研究人员研究了过渡金属二硫属化物中潜在的硅替代研究总结与其他半导体一样,过渡金属二硫属化物(TMD)中的点缺陷预计会强烈影响其电子和光学性能。然而,识别这...

大同市公安局采购环境资源领域检测装备的采购公告

7.传感器寿命:电化学2～3年,催化燃烧1～2年,红外3～5年,热导2～5年,半导体2～3年,PID10000H;8.检测方式:内置泵吸式,采样距高大于10米,流量800ML/min,单独开关按键操作开关气泵;9.显示方式:3.5寸320*240分辨率的大屏幕高清彩屏显示;10.显示内容:实时浓度、报警、时间、温度、湿度、存储、通信、电量...

半导体金属行业深度报告:镓、钽、锡将显著受益于半导体复苏

1.1、衬底&外延(前道制造):三代半导体材料依次登场衬底环节是金属材料在半导体器件中的关键环节,所谓衬底即是一种用于制造半导体器件的材料基底,常见的衬底包括硅、锗、碳化硅等。在生产半导体芯片的工艺流程中,晶圆生产通常为第一道工序,而晶圆便是由衬底材料切割而来。从半导体的发展历史看,半导体衬底材料...

力合科技: LFMSM-2016 ICP-MS检测放射性金属元素,公司关注核废水...

尊敬的投资者,您好!核污水主要成分有锶-89、锶-90、铯-137、碘-131、碳-14、钚-239等放射性元素,公司研制的LFMSM-2016ICP-MS能够对其中部分放射性金属元素进行检测,公司尚未承接核辐射或放射性物质相关业务。公司对核废水的排放保持关注。感谢您的关注!