上海华虹宏力申请深沟槽电容结构及其制造方法专利,降低了寄生电阻

该二维的沟槽阵列具有定义于其中的多个区段组成的田字形结构,每个区段中均设置有多个凹槽;设置于凹槽中至少一层的多晶硅导电层结构;形成于多晶硅导电层结构上的金属电极结构,金属电极结构包括阻挡层以及形成于阻挡层上的填充金属层;填充剩余凹槽的电极介质层,电极介质层中形成有气隙;覆盖电极介质层、多晶硅导电层...

保险丝座的低接触电阻设计:提升性能与安全性

表面抛光与涂层:在制造过程中,保险丝座的接触表面常通过机械抛光或化学涂层处理,以提高表面光滑度,减少表面不均匀性,从而降低接触电阻。表面镀层的选择:除金属镀层外,某些高性能的涂层(如镀铬或镀钛)能够显著提高接触面耐磨性,并减少氧化,进而实现长时间低接触电阻。3.低接触电阻设计的应用实例汽车电子保险丝座...

环晟光伏申请太阳能电池金属电极的后处理工艺和制备方法专利,提高...

金融界2024年11月11日消息,国家知识产权局信息显示,环晟光伏(江苏)有限公司申请一项名为“太阳能电池金属电极的后处理工艺和太阳能电池的制备方法”的专利,公开号CN118919601A,申请日期为2024年7月。专利摘要显示,本发明提供了一种太阳能电池金属电极的后处理工艺和太阳能电池的制备方法,具体涉及太阳能电池制备技...

...金属插塞及其形成方法、半导体结构专利,减小了两者的接触电阻

专利摘要显示,一种接触窗结构、金属插塞及其形成方法,所述接触窗结构的形成方法、半导体结构,在目标层表面上形成环形垫片,所述环形垫片中间具有暴露出目标层部分表面的中央通孔;形成覆盖所述基底、目标层和环形垫片的介质层;刻蚀所述介质层,在所述介质层中形成与中央通孔连通的刻蚀孔;沿刻蚀孔和中央通孔去除所述环...

华为公司申请晶体管的结构和制备方法专利,可以降低沟道与接触金属...

华为公司申请晶体管的结构和制备方法专利,可以降低沟道与接触金属之间的接触电阻,提高晶体管的性能,栅极,金属,漏极,晶体管,绝缘层,接触电阻

光伏行业深度报告:成结、镀膜、金属化,探究电池技术进步的本质

以真空镀膜的方式,在电池片表面弄出一层钝化膜(www.e993.com)2024年12月19日。这层膜能减少少子复合,产生场钝化效应,还能降低反射率,对提高电池效率特别关键,也是光伏电池提升效率的主要着眼点。4)金属化光伏电池的前电极和背电极一般是用丝网印刷法来形成的。金属化的工艺路线跟钝化工艺关系很密切,对减少少子复合、降低电阻损失特别关键。另外...

DFT+实验JACS:原位COF凝胶电解质助高倍率锂金属电池

利用原位凝胶策略制备Li/CGE/Li电池，研究了CGE在Li金属负极上的电沉积电位。在充放电循环之前，通过弛豫时间(DRT)分布分析了电池的电化学界面电阻。它将极化电阻分为接触电阻(S1)、锂离子通过固体电解质界面(SEI)层的传输(S2)、电荷转移反应(S3)和离子扩散电阻(S4)四部分，如图5a所示。S4的极化电阻主要是由于电解...

哈尔滨工业大学在金刚石半导体器件领域取得重大突破:超低阻欧姆接触

发明了过渡金属金属化制备金刚石欧姆接触方法;首次在氧终端本征金刚石上制备可靠欧姆接触;改善了测量超高阻半导体比接触电阻的CTLM法;低达10-8Ωcm2的比接触电阻值创造了金刚石领域最低值;发明了定点制备金刚石浅层色心方法;提出了新型金刚石欧姆接触形成机制,打破传统认知。

江南北大剑桥,一作连发2篇Nature之后,90后工科女孩,再次以一作+...

除了电气测量之外,还建议使用拉曼光谱和X射线光电子能谱(XPS)等补充技术来准确评估掺杂水平。这些方法提供了对载流子浓度变化和与掺杂相关的化学位移的深入了解。半导体/金属触点在2DTMD半导体和金属之间形成低电阻、稳定的接触是一个重大挑战。TMD中的高密度缺陷,尤其是硫族空位,通过引入界面态和无意的掺杂而...

谁能替代铜互连?_腾讯新闻

我们将首先讨论电阻率对纳米尺寸的敏感性,并介绍材料筛选过程。随后将引入可靠性(TDDB)和电迁移(EM)。本论文还介绍了这一方法在元素、二元和三元金属中的应用,并讨论了目前和未来的研究方向。由于金属选择与未来集成方案之间存在密切关系,我们将在未来技术节点中解决替代金属的集成和工艺问题。