我常用的分析方法——输入输出阻抗,是怎么玩的?你会不?

举例2:MOS管栅极串联电阻的分析分析方法跟前面说的是一样的,接收模块是MOS管,MOS管的输入电阻可以看成无穷大,但是寄生电容较大,所以它作为接收模块时,寄生电容站输入阻抗的主要部分,其输入阻抗就是电容的阻抗,为1/jwC。我之所以把这个放到这里,其实主要是想说明一点。输入阻抗,输出阻抗,它俩是复阻抗,不仅仅包括...

吃透MOS管,看这篇就够了

上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求。解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可。因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,...

??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管

耦合的方法还有直接耦合和变压器耦合的方法。直接耦合效率最高,信号又不失真,但是,前后两级工作点的调整比较复杂,相互牵连。为了使后一级的工作点不受前一级的影响,就需要在直流方面把前一级和后一级分开。同时,又能使交流信号从前一级顺利的传递到后一级,同时能完成这一任务的方法就是采用电容传输或者变压器传输...

MOS管在BMS中的应用方案

一般确定电池组的电压,通常按20%余量选择MOS管的电压,在实际应用中锂电池对温度的要求比较高,因此需要内阻较低的MOS管。在选型上需注意:01通过热设计来确定并联的MOSFET数量和合适的RDS(ON)02选择较小RDS(ON)的MOSFET,在多个MOSFET并联时能够进一步减小导通内阻03最后考虑在关断后期的电压尖峰,MOSFET的雪崩...

从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。

同样用上述相同的方法在一块掺杂浓度较低的N型半导体硅衬底上,用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的P+区。及上述相同的栅极制作过程,就制成为一个P沟道(PNP型)增强型MOS管,图1-2所示A、B分别是P沟道MOS管道结构图和代表符号。图1-1-A图1-1-B...

MOS管基础及选型指南

导通内阻关注NMOS的Rds(on)参数,导通内阻越小,NMOS管的损耗越小,一般NMOS管的导通内阻都是在mΩ级别(www.e993.com)2024年11月10日。5、开关时间MOS作为开关器件,就会有开关时间概念,在高速电路中,尽可能选择输入、输出电容Ciss&Coss小、开关时间Ton&Toff短的MOS管,以保证数据通信正常。

干货|内阻很小的MOS管为什么会发热?

4)MOS管的选型有误:对功率判断有误,MOS管内阻没有充分考虑,导致开关阻抗增大。2、mos管小电流发热严重怎么解决:0做好MOS管的散热设计,添加足够多的辅助散热片。贴散热胶。3MOS管为什么可以防止电源反接?电源反接,会给电路造成损坏,不过,电源反接是不可避免的。所以,我们就需要给电路中加入保护电路,达...

HY1710代替料APG042N01 100V低内阻mos管

APG042N01100V低内阻mos管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好等特点,被典型应用于DC/DC转换器、便携式设备的负载开关、电池开关、整流器等领域,其功能参数和HY1710基本一致,在实际应用中APG042N01145a100vmos管220封装可兼容代换HY1710。选择到一款合适的MOS管,可为产品在未来的使用过程中,充分发挥其“...

MOS管手册解读

设定该值得目的是防止输入电压过高,导致MOS管损坏。电压一般设置为12-15V。3.ID连续漏极电流MOS管表面温度在25℃或更高温度下,可允许的最大连续直流电流。从测试条件可以看出,在同样条件下MOS管的温度越高,ID越小。原因是内阻随着温度的增高而增大,根据I=U/R可知,内阻跟电流成反比,内阻越大,通过的电流越小...

干货|技术参数详解,MOS管知识最全收录

2、P沟道增强型场效应管原理P沟道增强型MOS管因在N型衬底中生成P型反型层而得名,其通过光刻、扩散的方法或其他手段,在N型衬底(基片)上制作出两个掺杂的P区,分别引出电极(源极S和漏极D),同时在漏极与源极之间的SiO2绝缘层上制作金属栅极G。其结构和工作原理与N沟道MOS管类似;只是使用的栅-源和漏-源电压...