晶科能源申请TOPCON电池及其制备方法专利,提升电池转换效率

专利摘要显示,本发明公开了一种TOPCON电池及其制备方法,TOPCON电池包括硅片以及沿第一方向设置在硅片的第一表面的隧穿氧化层、本征多晶硅层和掺杂多晶硅层,本征多晶硅层和掺杂多晶硅层之间设有阻挡层,阻挡层钝化本征多晶硅层的表面,形成多层钝化结构,增强钝化效果,提升电池转化效率,实现空穴选择性传输对后续硼原子的扩入形...

江苏林洋太阳能取得具有选择性多晶硅层的钝化接触电池及制备方法...

金融界2024年11月16日消息,国家知识产权局信息显示,江苏林洋太阳能有限公司取得一项名为“一种具有选择性多晶硅层的钝化接触电池及制备方法”的专利,授权公告号CN118658937B,申请日期为2024年8月。太阳能0.00%金融界提醒:本文内容、数据与工具不构成任何投资建议,仅供参考,不具备任何指导作用。股市有风险,投资需谨慎...

增芯科技申请集成多晶硅电阻及制备方法等专利,提高集成多晶硅电阻...

专利摘要显示，本发明提供了一种集成多晶硅电阻及制备方法、半导体结构及制备方法，所述集成多晶硅电阻的主体为多晶硅层，所述多晶硅层设置于晶圆衬底表面，所述集成多晶硅电阻的两端至少各设置一个电阻的接触端；两个所述接触端之间的多晶硅层的表面上排布预设图案的金属硅化物层，以调节所述多晶硅层的阻值。由于金属硅...

旭阳科技申请制备二元酸的方法专利,获取有选择性的目标产物二元酸

专利摘要显示,本发明公开一种制备二元酸的方法。本发明以羰基??α,ω??二元酸为原料,在单加氧酶和分子筛封装型催化剂的共同作用下,在羰基碳数较多的一侧选择性加氧得到酯脂肪二酸,后者在升温后会在继续添加的分子筛封装型催化剂的作用下发生酯键的水解,可以获得有选择性的目标产物二元酸。金融界提醒:本文内容...

拉普拉斯新能源科技申请隧穿氧化层和多晶硅层的制备方法及反应炉...

本公开提供的隧穿氧化层的制备方法包括反应炉利用臭氧和氧气在第一温度范围内制备隧穿氧化层。由于臭氧的氧化性强,可以在较低温度和较短时间内氧化形成隧穿氧化层,因此,利用臭氧和氧气的混合气体制备隧穿氧化层,相对于利用氧气制备隧穿氧化层,降低了隧穿氧化层的制备温度,缩短了隧穿氧化层的制备时间。

润马光能申请具有选择性多晶硅层的光伏电池及其制备方法、光伏...

专利摘要显示,本申请公开了一种具有选择性多晶硅层的光伏电池及其制备方法、光伏组件,涉及光伏电池技术领域;其中,包括以下步骤:对硅片进行制绒处理;在硅片的表面上依次沉积隧穿氧化层、第一非晶硅层和第二非晶硅层;进行高温扩散,使得第一非晶硅层和第二非晶硅层形成第一掺杂多晶硅层和第二掺杂多晶硅层;随后,将硅片置...

天合光能申请光伏电池制备方法专利,使工艺步骤简便

专利摘要显示，本申请提供一种光伏电池制备方法、光伏电池，光伏电池制备方法包括：提供基底；在基底的正面依次形成硼掺杂层、第二氧化隧穿层、第二本征非晶硅层和硼源层，在第一预定温度下通过硼源层和第二本征非晶硅层得到P型多晶硅层；之后对背面第一本征非晶硅层进行磷扩散，通过第一本征非晶硅层得到N型多晶硅层...

绵阳炘皓新能源申请双层多晶硅太阳能电池片相关专利,提升光电转换...

专利摘要显示,本发明公开了一种双层多晶硅太阳能电池片的制备方法、太阳能电池及应用,涉及太阳能电池技术领域,包括以下步骤:对原硅片进行制绒、硼沉积、激光SE、硼推进、背刻处理,得到具有PN结的电池片半成品一;对电池片半成品一进行低压化学气相沉积处理,得到电池片半成品二;双层多晶硅的厚度为120nm～140nm,且...

南亚科技申请具有介电衬垫的半导体结构的制备方法专利,可制备具有...

专利摘要显示,提供一种具有介电衬垫的半导体结构的制备方法,包含:提供基底;在基底上设置第一导电层;移除第一导电层的部分;在第一导电层附近设置第二介电层;在第一导电层及第二介电层上设置第二导电层,在第二导电层上设置第一介电层;移除第一、第二介电层、第二导电层的部分,以形成包括第一、第二导电层及...

唯导申请一种单光子雪崩二极管像素结构及其制备方法专利,消除后期...

唯导申请一种单光子雪崩二极管像素结构及其制备方法专利,消除后期封装环节的成本,增加稳定性,封装,多晶硅,单光子,二极管,滤波器