宝钢股份获得发明专利授权:“一种冷轧连续退火炉温度自动控制方法”
专利摘要:本发明公开了一种冷轧连续退火炉温度自动控制方法,在退火炉内的带钢焊缝实时跟踪、带钢温度测量的基础上,再结合专家控制和反馈控制,动态计算出所述退火炉内控制段的设定温度,将所述设定温度实时传递至退火炉PLC控制系统,所述退火炉PLC控制系统再根据当前实际产能以及温度控制要求,采用PID控制算法,实现热负荷控制。
zycgr24041501关于快速退火炉采购项目的公开招标公告
线上获取方式:请填写如下信息至可发邮箱至673107668@qq。信息包括报名单位名称,联系人、联系电话及采购文件的工本费用汇款单。获取招标文件,并于2024年07月31日13点30分(北京时间)前递交投标文件。一、项目基本情况项目编号:SZWK2024-BS-G-005项目名称:快速退火炉采购项目预算金额:137.000000万元(人...
多功能桌面型快速退火炉:高效退火,精准测温
3.衬底去除:在CMOS工艺中,快速退火炉可用于去除衬底材料,如氧化硅或氮化硅,以形成超薄SOI(硅层上绝缘体)器件。4.应力消除:高温退火还有助于减轻半导体器件中的内部应力,从而降低了晶体缺陷的形成,提高了材料的稳定性和可靠性。
半导体:半导体产业链上游之半导体设备概述(量伙快速退火炉)
第九步,退火,离子注入后也会产生一些晶格缺陷,退火环节主要是将离子注入后的半导体放在一定温度下进行加热,使得注入的粒子扩散,恢复晶体结构,修复缺陷,激活所需要的电学特性。离子注入完成之后,继续沉积二氧化硅层,然后重复涂胶,光刻,显影,刻蚀等步骤进入另一个循环,用以挖出连接金属层(导电层)的通孔,从而...
半导体快速退火炉的原理和应用
半导体快速退火炉(RTP)是一种特殊的加热设备,能够在短时间内将半导体材料迅速加热到高温,并通过快速冷却的方式使其达到非常高的温度梯度。快速退火炉在半导体材料制造中广泛应用,如CMOS器件后端制程、GaN薄膜制备、SiC材料晶体生长以及抛光后退火等。一、快速退火炉的原理...
SiC关键工艺“大考”——离子注入
目前常用碳化硅离子注入后激活退火工艺在1600℃~1700℃温度下的Ar氛围中进行(www.e993.com)2024年9月10日。不过,高温退火时SiC表面可能会发生迁移现象,形成微台阶,进而表面明显变粗糙。如何维持表面平坦化,也成为一个关注点,下面列举了三个方式:◎SiH4添加退火法:在Ar中添加微量SiH4...
电磁线制造过程中的退火工序介绍
退火一般采用电加热的方式在退火炉中进行,退火时采用水蒸气进行保护以防止氧化,退火后利用吹风机进行风冷,至40℃左右进入浸渍工序。目前大多数的电磁线生产厂家采用全自动生产线,在漆包机上涂漆前进行连续退火,不但能够达到软化去油的目的,而且经过退火的导线很直,直接进入涂漆装置,能够涂上均匀的漆膜。
快速退火工艺在欧姆接触中的应用RTP
RTP-SA-12为半自动立式快速退火炉,工艺时间短,控温精度高,相对于传统扩散炉退火系统和其他RTP系统,其独特的腔体设计、先进的温度控制技术和独有的RL900软件控制系统,确保了极好的热均匀性。产品优势◎红外卤素灯管加热,冷却采用风冷◎大气与真空处理方式均可选择,进气前气体净化处理...
...生长装置能够避免加热件被氧化,保证加热温度,提高产品的生长质量
本实用新型的晶体生长装置能够避免加热件被氧化,保证加热温度,提高产品的生长质量。
...业取得封焊石英材料用新型节能喷火头专利,能够承受更高的温度...
云南锗业取得封焊石英材料用新型节能喷火头专利,能够承受更高的温度并减缓喷火头的生锈速度,httpsm.jrj/madapter/finance/2024/05/31075140840428.shtml