华为技术申请一种组合物和复合材料及其制备方法专利,复合材料具有...
金融界2024年10月17日消息,国家知识产权局信息显示,华为技术有限公司申请一项名为“一种组合物,和复合材料及其制备方法”的专利,公开号CN118772896A,申请日期为2023年4月。专利摘要显示,本发明涉及一种组合物,和复合材料及其制备方法。本发明的组合物包含氰基联苯类液晶化合物和环氧类液晶化合物,其中,所述组合物...
...磷-硅-硫化合物专利,提供聚烯烃阻燃复合材料及其制备方法和应用
金发科技申请含氮-磷-硅-硫化合物专利,提供聚烯烃阻燃复合材料及其制备方法和应用金融界2024年2月24日消息,据国家知识产权局公告,金发科技股份有限公司申请一项名为“一种含氮-磷-硅-硫的化合物、聚烯烃阻燃复合材料及其制备方法和应用“,公开号CN117586309A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示,本发明公开了...
利安隆申请复合催化剂及其制备方法专利,催化活性高且不易与水发生...
专利摘要显示,本申请提供一种复合催化剂及其制备方法,水杨酸酯类化合物的制备方法。该复合催化剂的制备方法,包括如下步骤:将碳载体与水滑石进行混合处理,制备混合物;将所述混合物进行煅烧处理,制备复合催化剂,该制备方法制得的复合催化剂用于酯交换反应时,催化活性高且不易与水发生反应,可重复使用。本文源自金融界...
TCL科技申请复合材料及其制备方法及量子点发光二极管专利,进一步...
金融界2024年3月26日消息,据国家知识产权局公告,TCL科技集团股份有限公司申请一项名为“复合材料及其制备方法及量子点发光二极管“,公开号CN117757462A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示,本申请公开了一种复合材料及其制备方法及量子点发光二极管,包括量子点和结合在所述量子点表面的配体,所述配体为蒽类化合物,所...
TCL科技申请复合材料及其制备方法、光电器件及显示装置专利,提高...
专利摘要显示,本申请公开了一种复合材料及其制备方法、光电器件及显示装置。本申请的复合材料,包括氧化物颗粒及吸附在所述氧化物颗粒表面的有机化合物,有机化合物以螺二芴作为主要骨架,具有大π共轭体系,从而使所述有机化合物具有高导电性。而所述有机化合物通过P=O(氧化膦基)吸附在所述氧化物颗粒表面,可以作为...
综述:钠离子电池层状氧化物正极综述:降解机制、改性策略和应用
空间群因相变而改变后,其结构仍可按类似方式命名(www.e993.com)2024年10月19日。例如,O′3、P′2和P′3分别代表C2/m、Cmcm和P21/m原空间群转化或单临床扭曲的空间群结构。此外,O3′,P2′,P3′的空间群与原始材料相同,但在相变过程中晶格参数变化较大。值得注意的是,离子的迁移路径也受到晶体结构的影响。Na+在P2型层状正极中占据两种不...
电池胶研发有多猛--这些巨头名企都已在专利技术上深度布局
所述粘结剂的制备方法包括将反应液反应,得到所述粘结剂;所述反应液包括单体、引发剂和溶剂;所述单体包括单体Ⅰ和单体Ⅱ;所述单体Ⅰ和所述单体Ⅱ的摩尔比为(0.1??10):1;所述单体Ⅰ包括含有碳碳双键的丙烯酸类化合物,所述单体Ⅱ包括含有碳碳双键的硫脲类化合物。本发明的粘结剂在高压力情况下粘结性更好,...
半导体金属行业深度报告:镓、钽、锡将显著受益于半导体复苏
目前,GaN外延生长方法包括氢化物气相外延(HVPE)、分子束外延(MBE)、金属有机化合物化学气相沉淀(MOCVD)等。大多数商用器件都是基于GaN异质外延得到的,主要衬底包括碳化硅(SiC)、硅(Si)和蓝宝石(Sapphire)。1.GaNonSiCHEMT外延:该外延材料结合了SiC优异的导热性能和GaN高频和低损耗性能,所以Ga...
FSHW | 与预制“空”V型淀粉复合以包埋芳香化合物
此外,关于将芳香化合物封装在具有不同直径或结构的V型淀粉的研究中鲜有报道。鉴于此,本文开发了一种新的配位方法,即预制的“空”V型方法,用于形成具有不同结构各类芳香化合物的ICs。所选用的芳香化合物根据其结构的不同可以分为线型或环型结构(表1)。
深势科技Uni-FEP: 兼顾CADD专家及药物化学的先导化合物优化需求
利用四种方法进行筛选,分别是①FEP计算(FEP+),②药物化学家基于之前SAR进行的挑选(MC,MedChem),③专家通过结合模式以及相互作用的分析,进行人工挑选(MM,SBDD),④基于MAB力场优化的对接来预测的分子结合模式,再经过人工挑选(DOMF,Docking)。经过实验测试之后的结果,下图更直观。和reference化合物相比,FEP筛选出来的...