江丰电子(300666.SZ):生产的超高纯金属溅射靶材在半导体芯片制造...

公司主要从事超高纯金属溅射靶材及半导体精密零部件的研发、生产和销售,公司生产的超高纯金属溅射靶材在半导体芯片制造领域具有显著的技术优势和市场竞争力,公司已成为全球领先的半导体溅射靶材制造商。

日月光半导体制造股份有限公司申请封装结构专利,专利技术实现封装...

金融界2024年11月6日消息，国家知识产权局信息显示，日月光半导体制造股份有限公司申请一项名为“封装结构”的专利，公开号CN118900112A，申请日期为2024年4月。专利摘要显示，本发明提供了一种封装结构。所述封装结构包含放大器和滤波器结构。所述放大器具有主动表面。所述滤波器结构安置在所述放大器上方，且通过大...

南京第三代半导体技术创新中心取得混合沟道SiC MOSFET及其制造...

金融界2024年11月1日消息，国家知识产权局信息显示，南京第三代半导体技术创新中心有限公司取得一项名为“混合沟道SiCMOSFET及其制造方法”的专利，授权公告号CN118658886B，申请日期为2024年8月。本文源自：金融界作者：情报员

...申请半导体器件及其制造方法专利,一种创新的半导体器件制造技术

专利摘要显示,本申请提供一种半导体器件及其制造方法,方法包括:于半导体结构上形成后段制程层,半导体结构包括第一芯片电路,后段制程层包括介质层和嵌于介质层中的导电互连结构,导电互连结构的至少部分与第一芯片电路连接;于介质层上形成容置槽,容置槽沿介质层的厚度方向贯穿介质层的至少部分;以及将第二芯片设置于容置...

共话国产半导体制造机遇与挑战:坚守赛道,加速核心技术攻关

制造大会紧扣快速推动中国半导体制造技术的共同目标,旨在搭建半导体制造领域的交流平台,以“独立演讲+圆桌讨论+奖项颁发+榜单发布”形式,发挥半导体制造大会的载体作用和平台影响,展示设备材料企业的突出成就,促进设备材料与制造封测上下游之间的深度对话,探讨“卡脖子”痛点及突破之道,助力半导体制造国产化提速。

2024 半导体制造工艺与材料论坛 10月23日将在上海盛大开幕!嘉宾...

在国内晶圆厂逆势扩产和外部加强对中国先进制程设备技术封锁的背景下,国产设备机会增多,国产替代将持续推进(www.e993.com)2024年11月9日。在此背景下,荣格工业传媒将于10月23日在上海召开2024半导体制造工艺与材料论坛,本次论坛将邀请晶圆厂、零部件、封装、测试、设备、材料、IC设计企业的专家们共同探讨了增量市场需求下,半导体供应链如何协和合作...

华泰证券:印度电子制造业壮大,半导体与电动车成新焦点

华泰观点：电子制造业迅速壮大，半导体与电动车成新焦点9/9-14日，我们赴印度新德里和班加罗尔，参加了SEMI主办的SEMICONINDIA展会，并拜访了联想、小米、OPPO、丘钛、Dixon等手机产业链企业。通过这次印度之旅，我们了解到：1）苹果已经初步实现手机印度生产；2）手机组装环节，Dixon、Tata等印度本土企业崛起；3）零...

首先得有,28nm/65nm突破为何被工信部列为“重大技术”

因此,尽管目前国产光刻机的套刻精度达到了8纳米,但这并不意味着可以直接生产8纳米制程的芯片,而是可能更适合于28纳米或更宽泛的应用范围。具体到芯片方面,以国际半导体技术路线图对套刻误差的要求为例,“套刻精度达到≤8nm”足以满足DRAM器件、Flash器件等存储相关芯片光刻环节的需要。

我国半导体制造核心技术突破,打破国外垄断

我国半导体制造核心技术突破,打破国外垄断据国家电力投资集团有限公司(以下简称“国家电投”)9月10日消息,近日,国家电投所属国电投核力创芯(无锡)科技有限公司(以下简称“核力创芯”)暨国家原子能机构核技术(功率芯片质子辐照)研发中心,完成首批氢离子注入性能优化芯片产品客户交付。

台湾将限制半导体制造等先进技术外流 国台办回应

中新网1月17日电国台办17日举行例行新闻发布会。会上有记者问:据报道,台湾有关方面日前发布“核心关键技术清单”,限制半导体制造等先进技术外流,同时公告所谓“修法”,增订“核心关键技术营业秘密之域外使用罪”;台经济部门称,管制方向与美国同步。对此有何评论?