炬光科技:新一代预制金锡氮化铝衬底材料已获得小批量订单并实现发货

金融界10月23日消息，有投资者在互动平台向炬光科技提问：贵公司的预制金锡铜钨衬底材料，已经突破了金锡薄膜制备关键技术，解决了激光二极管芯片键合工艺中导电导热性能优化和热应力控制问题，实现了高功率半导体激光器关键原材料的国产替代，请问是否已经取得了相应订单？公司回答表示：截至目前，公司新一代预制金锡氮化...

美国委托雷神公司开发人造金刚石和氮化铝,以应对中国镓出口管制

氮化铝（AlN）具有更宽的带隙，约为6.2eV，使其更适合上述应用。雷神公司尚未开发出合适的半导体。在DARPA授予其合同的第一阶段，Raytheon的先进技术团队将专注于开发基于金刚石和氮化铝的半导体薄膜；第二阶段将专注于研发及改进金刚石和氮化铝技术，以用于更大直径的晶圆，特别是针对传感器应用。根据合同条款...

炬光科技(688167.SH):新一代预制金锡薄膜氮化铝衬底材料已完成...

格隆汇5月6日丨炬光科技(688167.SH)投资者关系活动记录表显示,公司原有半导体激光原材料业务中预制金锡薄膜氮化铝衬底材料目前仍在销售,但受光纤激光器市场竞争加剧的影响,由于个别客户的价格过低,公司选择性放弃,因此今年第一季度销量较去年同期显著下降。新一代预制金锡薄膜氮化铝衬底材料已完成研发,正处于客户导入阶段。

旭光电子:公司氮化铝材料项目已取得显著进展,氮化铝粉体年化产能...

产品性能达到国际先进水平;氮化铝基板及HTCC年化产能已达300余万片,并在下游应用端的三十余家企业进行了验证及实现批量供货;氮化铝结构件一期项目设计产能已达产,产品已通过国内部分客户认证及广泛应用于半导体产业的光刻工艺、刻蚀工艺、薄膜工艺、离子注入等工艺中;同时,为加速半导体用静电吸盘国产化进程,国家重点研发计...

钻石芯片,加速|单晶|金属|金刚石_网易订阅

目前高功率半导体激光器普遍使用的散热材料是氮化铝热沉,将其作为过渡热沉烧结在铜热沉上。但在热导率要求1000~2000W/m·k之间时,金刚石是当前首选甚至唯一可选的热沉材料。金刚石用作热沉材料主要有两种形式,即金刚石薄膜和将金刚石与铜、铝等金属复合。

北京理工大学团队在杂化范德华外延生长研究方向取得重要突破

为揭开这一神秘的生长机制,研究团队以氮化铝薄膜生长在石墨烯上为例,利用多尺度的理论计算和连续介质模型推导,系统研究了氮化铝薄膜在平面内(图2)和垂直于平面方向(图3)生长动力学过程(www.e993.com)2024年11月10日。有趣的是,他们发现氮化铝与石墨烯的界面存在一种新型的成键方式,即杂化范德华相互作用。这样一种独特的成键方式使得薄膜生长呈...

多项技术产品实现国际先进 重庆市先进感知产业创新中心开花结实

6月26日，从重庆市先进感知产业创新中心传来好消息：该中心在先进声学感知领域，掌握了高Sc（钪）含量的新一代氮化铝钪压电薄膜制备等关键技术，形成了系列高性能薄膜体声波滤波器产品，实现批量应用30万余只，制定多项国家、行业、企业标准，产品经鉴定达到国际先进水平。作为推动重庆市科技创新的重要基础设施项目，...

高纯稀土之光:科技领域的璀璨明星

其中高纯金属钪主要用于制备铝钪合金靶材,经磁控溅射后生产氮化铝钪薄膜,滤波器带宽提高2倍以上,满足新一代通信系统宽带、高频的应用需求,广泛用于5G通讯滤波器、雷达滤波器。▲稀土氧化物的具体应用稀土元素分离敲开启蒙时代的大门盖施耐德(K.A.Gschneider)把稀土冶金及其应用开发分成三个时代:摇篮时代(1787年~...

氮化铝行业研究:AlN应用性能出众,国产替代机遇显著

目前氮化铝粉体主流的工业制备方法为直接氮化法和碳热还原法。直接氮化法:直接将铝粉放置于高温氮气中,依靠化合反应铝粉直接与氮气化合生成氮化铝粉末。反应温度一般在800-1200℃范围内。该方法反应简单,能耗低,但直接氮化法的温度往往高于铝的熔点(660℃),单质铝处于熔融状态,易形成熔体,反应生成的氮化铝膜...

旭光电子:氮化铝是一种综合性能优良的先进陶瓷材料

氮化铝结构件方面:公司所生产的氮化铝大尺寸结构件,已应用于半导体产业及泛半导体产业(含光伏产业)的光刻工艺、刻蚀工艺、薄膜工艺、离子注入等工艺中,目前已通过国内多家半导体(含光伏)设备企业的认证及实现供货销售。发射管作为大功率射频电源的核心器件,具有负载能力强、工作频率高的特点。公司作为国际先进的大功率...