NAND闪存翻盘利器:QLC SSD?
NAND闪存翻盘利器:QLCSSD?在AI+大数据时代浪潮下,存储领域爆发新的市场需求,其中在AI训练过程中发挥关键作用的QLCNANDSSD风头正盛,这意味着NAND闪存或将迎来新的发展契机。探究QLCNAND,真正魔力目前来说,闪存主要分为NOR和NAND闪存,其扩容方式主要体现在结构、逻辑两种。从NAND闪存上看,结构方面,目前NAND闪存...
...16将采用为AI任务设计的升级版散热解决方案 据传NAND将与逻辑...
据说,为了帮助散热,NAND闪存将与逻辑板分离,但如果是这样的话,是否意味着苹果将在iPhone16系列中采用另一块更小的逻辑板?实际上iPhone15Pro和iPhone15ProMax所使用的3nmA17Pro已经无法发挥其巅峰性能,因为苹果没有为其配备合适的散热解决方案。除了新的散热装置之外,据称iPhone16Pro...
...还在此基础上做高压驱动、ISP、民用和工业用MCU、特殊存储NAND...
答:我们的28纳米已建产能一直处在满载状况,不光做标准逻辑电路,还在此基础上做高压驱动、ISP、民用和工业用MCU、特殊存储NANDFlash等,所以28纳米产能还远远不能满足要求。这也在一定程度上回答了在目前折旧压力非常大的情况下,公司为什么还要建立28纳米的产能,就是因为这么多年积累了很多客户、市场份额和产品的种类,...
...设备产品主要用于90nm到14nm逻辑芯片以及64层到192层3D NAND等...
公司半导体专用温控设备产品主要用于90nm到14nm逻辑芯片以及64层到192层3DNAND等存储芯片制造中若干关键步骤的大规模量产;半导体专用工艺废气处理设备产品主要用于90nm到28nm逻辑芯片以及64层到192层3DNAND等存储芯片制造中若干关键步骤的大规模量产;晶圆传片设备产品主要用于90nm到28nm逻辑芯片制造中若干关键步骤的大规...
芯片的增长逻辑
最终以三星和SK海力士为代表,大力发展了DRAM和NAND闪存技术,使韩国成为了存储器市场王牌。之后韩国拓展逻辑器件、模拟器件和光电子器件等领域,成为了继美国之后的第二大半导体强国。芯片产业的第三次转移,是把偏向劳动密集型的代工和封测环节逐步转向中国台湾地区和中国大陆。以半导体芯片封测起家,借助美国的技术...
消息称三星电子探索逻辑芯片混合键合,最早 2026 年推出 3D 移动...
混合键合已在3DNAND闪存中使用,未来即将用于HBM4内存(www.e993.com)2024年10月20日。新项目将是三星首次尝试在逻辑芯片中应用这一键合技术。报道指,三星目前将2026年下半年设定为3D移动处理器的量产时间,目标到时将每个IO端子之间的间距降低至2微米,进一步提升IO数量。
消息称三星 V9 QLC NAND 尚未获量产许可,影响平泽 P4 工厂规划
IT之家7月31日消息,韩媒ZDNetKorea报道称,三星电子V9NAND闪存的QLC版本尚未获得量产许可,对平泽P4工厂的产线建设规划造成了影响。三星电子今年4月宣布其V9NAND闪存的1Tb容量TLC版本实现量产,对应的QLC版本则将于今年下半年进入量产阶段。
存储芯片进入景气周期!4大逻辑或将推动科技行情……
综合市场的观点来看,科技具有以下逻辑支撑。第一、行业迎来拐点。主要是存储芯片方向,在2023年三季度海外存储芯片方向业绩出现了拐点,而CPO、PCB方向出现了业绩回暖。主流存储芯片厂商开启涨价模式,2024年一季度,NANDFlash(其核心产品)以日元计算的售价环比上涨了15%—19%,为连续第三季出现上涨。第二、大基金三期...
长江证券:生成式AI有望引爆存储新成长 顺周期逻辑持续演绎
TrendForce预估,2024年Q2,DRAM、NANDFlash的合约价有望分别上涨3-8%、13-18%。存储涨价持续,顺周期逻辑持续演绎。风险提示1、下游终端产品复苏+单机搭载量提升不及预期;2、原厂大幅提升稼动率导致有效供给快速增加。
AI内存瓶颈(上):3D NAND路线图
当前主流的则是基于EEPROM技术的Flash快闪存储,读写速度更快而成本更低。闪存产品又分为NORFlash和NANDFlash(命名来源于逻辑门NAND和NOR),其中NANDFlash才是我们今天的主角,像常用的固态硬盘(SolidStateDrive,SSD)、U盘、SD卡等都是NAND产品。这么多的存储产品看得人眼花缭乱,都是使用半导体为介质存储,为什么...