半导体前端工艺|第四篇:刻蚀——有选择性地刻蚀材料,以创建所需...
一个高选择比的刻蚀工艺,便是只刻蚀了该刻去的部分,并尽可能少地刻蚀到不应该刻蚀材料的工艺。第二个关键词,就是“方向的选择性”。顾名思义,方向的选择性是指刻蚀的方向。该性质可分为等向性(Isotropic)和非等向性(Anisotropic)刻蚀两种:等向性刻蚀没有方向选择性,除纵向反应外,横向反应亦同时发生;非等...
英国纽卡斯尔大学工程学院高级研究员新著!《碳化硅器件工艺核心...
8.5掩模材料(黏附性、微掩模效应、选择性)8.6刻蚀前后的表面处理8.7刻蚀过程中SiC样品的载体8.8SiC中的DRIE(深RIE)工艺:通孔形成-MEMS8.8.1连续刻蚀工艺8.8.2Bosch工艺8.9纳米柱/纳米线形成8.10刻蚀后的电性能8.11主要结论参考文献第9章碳化硅纳米结构和相关器件制造9.1引言9.2SiC纳米晶粒9.2.1基...
中微发布第一代电感耦合等离子体刻蚀设备Primo nanova(R)
具有自主知识产权的低电容耦合线圈设计,能够对离子浓度和离子能量实现有效的独立控制,这对更高的选择性和软刻蚀至关重要;采用了完全对称的反应腔设计、多区细分温控静电吸盘和动态晶圆边缘耦合控制,从而带来更好的均匀性。这种设计克服了一直以来在量产中难以解决的晶圆边缘刻蚀的不均匀性问题;与同类设备相比具有超高...
SK海力士:刻蚀工艺科普
一个高选择比的刻蚀工艺,便是只刻蚀了该刻去的部分,并尽可能少地刻蚀到不应该刻蚀材料的工艺。第二个关键词,就是“方向的选择性”。顾名思义,方向的选择性是指刻蚀的方向。该性质可分为等向性(Isotropic)和非等向性(Anisotropic)刻蚀两种:等向性刻蚀没有方向选择性,除纵向反应外,横向反应亦同时发生;非等...
RIE反应离子刻蚀机在半导体工艺中的应用
RIE反应离子刻蚀机常用于半导体工艺中去除材料的特定部分。反应离子刻蚀机利用气体放电产生的等离子体对材料表面进行刻蚀。具有高选择性、高速率、各向同性刻蚀等特点。被广泛应用于微纳加工、半导体制造、光学器件制造等领域。可以根据具体的应用要求对刻蚀工艺的参数和条件进行优化和调整,以获得所需的刻蚀效果。它主要由真...
半导体刻蚀机行业专题报告:国产替代空间充裕
ALE是一种新的刻蚀工艺技术,能够将刻蚀精确到一个原子层(0.4nm),要求刻蚀过程均匀地、逐个原子层地进行,并停止在适当的时间或位置(www.e993.com)2024年7月11日。其优点在于刻蚀选择性极高,且可以将对晶圆表面的损伤控制到最小。ALE可能的应用范围非常广泛,包括要求对硅表面零损坏的界面氧化物刻蚀及鳍状栅(FinFET)相关刻蚀,要求...
《2023年中国刻蚀设备行业深度研究报告》
刻蚀的是指采用物理或化学的方法选择性地从衬底表面去除不需要的材料,以实现掩膜图形的正确复制。刻蚀制程位于薄膜沉积和光刻之后,目的是利用化学反应、物理反应、光学反应等方式将晶圆表面附着的不必要的物质去除,过程反复多遍,最终得到构造复杂的集成电路。按照刻蚀的工艺不同可以分为干法刻蚀和湿法刻蚀。刻蚀设备市场...
等离子刻蚀在半导体封装领域的广泛的应用都有哪些?
表面化学官能团的类型取决于等离子体气体的选择及表面的本身特性。3.表面刻蚀等离子技术的另一个主要应用是表面刻蚀。等离子体产生的离子和自由基等活性粒子会选择性地与表面分子反应而产生易挥发产物,导致表面被刻蚀和清洗。等离子表面刻蚀工艺可以通过等离子气源、等离子产生条件优化.在其它材料存在的隋况下,使某些材料...
新书!半导体巨头美国泛林集团新兴刻蚀技术事业部副总裁撰写...
2.1刻蚀工艺的重要性能指标52.1.1刻蚀速率(ER)62.1.2刻蚀速率不均匀性(ERNU)62.1.3选择性62.1.4轮廓62.1.5关键尺寸(CD)72.1.6线宽粗糙度和线边缘粗糙度(LWR和LER)72.1.7边缘放置误差(EPE)72.1.8深宽比相关刻蚀(ARDE)72.2物理吸附和化学吸附8...
一文看懂晶圆级封装
首先在晶圆上涂覆一层被称为“光刻胶”的光敏聚合物,然后透过刻有所需图案的掩模,选择性地对晶圆进行曝光,对曝光区域进行显影,以绘制所需的图案或图形。该工艺的步骤如图2所示。在晶圆级封装中,光刻工艺主要用于在绝缘层上绘制图案,进而使用绘制图案来创建电镀层,并通过刻蚀扩散层来形成金属线路。