集成电路技术与产业发展

1.1集成电路与集成电路产业,IntegratedCircuit(IC)1.1.1集成电路的概念集成电路(IntegratedCircuit,IC)是指通过一系列特定的加工工艺,将晶体管、二极管等有源器件和电阻器、电容器等无源元件,按照一定的电路互连,“集成”在半导体(如硅或砷化镓等化合物)晶片上,封装在一个外壳内,执行特定功能的电路或系统。1.1.2...

电动汽车800V电驱动系统核心技术综述

因此600V以上的电压中主要采用IGBT等少数载流子器件(双极型器件)??SiIGBT通过电导率调制,向漂移层内注入作为少数载流子的空穴,因此导通电阻比SiMOSFET还要小,但是同时由于少数载流子的积聚,在Turn-off时会产生尾电流,从而造成极大的开关损耗,由此产生的发热会限制IGBT的高频驱动??...

【回应】商务部回应石墨出口管制是否影响电池供应链:全面评估...

关键元器件重点发展电容、电阻、电感等无源元器件和集成电路、模块等有源元器件,补齐基础半导体材料、制造设备和晶圆制造等产业链上游,突破相关核心关键技术,积极布局车载贴片电容、车用超级电容等核心产业。五、汽车软件围绕智能网联汽车系统软件、功能软件、应用软件、人工智能与大数据软件等重点领域,推动汽车软件高质量...

“元器件”第一龙头,处于底部的 “黄金坑” 位置,潜力无限!

电子元件:在电路中通过自身变化或控制来改变电流、电压等电量的基本单元,通常不含有活动部件,如电阻、电容、电感、二极管、晶体管等。电接插组件或零件:主要用于电路的连接、传输、分配和转换等,包括连接器、开关、继电器、保险丝等。分类:按功能分类:可以分为无源元件(如电阻、电容、电感等)和有源元件(如二极管...

西安交通大学教授:微纳制造技术的发展趋势与发展建议

芯片是由一系列有源和无源电路元件堆叠而成的3D结构,而光刻技术是芯片制造的最核心工艺,能够将微小电路图形精确地转移到硅晶圆上。光刻技术不仅提高了芯片的精度和分辨率,还大幅提升了生产效率,降低了成本,并推动了技术创新和摩尔定律的延续。传统的光刻工艺是使用紫外(Ultraviolet,UV)曝光(350~430nm),但是衍射...

使用SiC/GaN功率半导体,提高功率转换效率,无源元件的技术进步很...

发挥SiC/GaN潜力,无源元件不可或缺仅通过单纯地替换现有电力电子电路中的Si基元件无法充分发挥基于新材料制造的功率半导体的潜力(www.e993.com)2024年11月3日。这是因为组成电力电子电路的其他半导体IC、无源元件甚至控制软件都是在以使用Si基功率半导体为前提的情况下开发和选择的。为了有效利用基于新材料的功率半导体,这些周边元件也需要重新开发和...

AI算力之硅光芯片行业专题报告:未来之光,趋势已现

目前光集成商业产品技术路线主要分为III-V族和Si两大阵营,其中DFB、DML、EML等激光器是InP阵营,虽然技术相对成熟,但是成本高,与CMOS工艺(集成电路工艺)不兼容,其衬底材料每2.6年才翻一倍。而Si硅光器件,采用COMS工艺实现无源光电子器件和集成电路单片集成,可大规模集成,具有高密度的优势,其衬底材料每1年可翻...

详解开关电源 8 大损耗

1、开关器件的损耗MOSFET传导损耗图2(以及其它绝大多数DC-DC转换器拓扑)中的MOSFET和二极管是造成功耗的主要因素。相关损耗主要包括两部分:传导损耗和开关损耗。MOSFET和二极管是开关元件,导通时电流流过回路。器件导通时,传导损耗分别由MOSFET的导通电阻(RDS(ON))和二极管的正向导通电压决定。

《汽车行业深度报告:无线充电新蓝海,Robotaxi最佳自动慢充方案...

无线充电的核心在于耦合线圈,磁耦合机构是无线充电系统中原、副边能量耦合的关键元件。发射线圈与接收线圈之间通过磁耦合相互连接形成耦合机构进行能量传递,线圈通过无线的方式进行电能传输,发送线圈端由原级电能转换电路、补偿电路组成,接收线圈由补偿电路、电能转换电路组成,转换完成后给储能装置进行充电。磁耦合谐振式无线...

MOS管及其外围电路设计

常用的mos管驱动电路结构如图1所示,驱动信号经过图腾柱放大后,经过一个驱动电阻Rg给mos管驱动。其中Lk是驱动回路的感抗,一般包含mos管引脚的感抗,PCB走线的感抗等。在现在很多的应用中,用于放大驱动信号的图腾柱本身也是封装在专门的驱动芯片中。本文要回答的问题就是对于一个确定的功率管,如何合理地设计其对应的驱动...