主副电源,MOS管自动切换电路分析

因为选用MOS管的Rds非常小,产生的压降差不多为数十mV,所以Vout基本等于Vin。原理分析1、如果Vin1=3.3V,NMOSQ1导通,之后拉低了PMOSQ3的栅极,然后Q1也开始导通,此时,Q2的栅极跟源极之间的电压为Q3的导通压降,该电压差不多为几十mV,因此Q2关闭,外部电源Vin2断开,Vout由Vin1供电,Vout=3.3V。此时整个...

Boost升压电路原理讲解

电感阻碍电流变化,通低频,阻高频,通直流,阻交流;图1Boost开关升压电路的原理图假定那个开关(三极管或者MOS管)已经断开了很长时间,所有的元件都处于理想状态,电容电压等于输入电压。下面要分充电和放电两个部分来说明这个电路。充电过程在充电过程中,开关闭合(三极管导通),等效电路如图2,开关(三极管)处用导线...

MOS管常见的几种应用电路

1.开关电路G极作为普通开关控制MOS管。2.放大电路让MOS管工作在放大区,具体仿真结果可在上节文章看到。二、时序电路中作为反相器使用下图示例电路中,芯片1正常工作时,PG端口高电平。如果芯片1、芯片2有时序要求,在芯片1正常工作后,使能芯片2。可以看到芯片2的使能端初始连接VCC为高电平,当芯片1输出高...

吃透MOS管,看这篇就够了

上述MOS管的工作原理中可以看出,MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的,由于Sio2绝缘层的存在,在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在,电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。此时的栅极电压VGS决定了漏极电流的大小,控制栅极电压VGS的大小就可以控制漏极电流ID的大小。这就可以得出如下结论:1)MOS管是一个由...

【干货】使用 MOS管构建双向逻辑电平转换器

第一个条件是,低电平逻辑电压(本例中为3.3V)需要连接到MOS管的源极,高电平逻辑电压(本例中为5V)必须连接到MOS管的漏极引脚。第二个条件是,MOS管的栅极需要连接到低压电源(本例中为3.3V)。1、双向逻辑电平转换器的仿真通过使用仿真可以了解逻辑电平移位器电路的完整工作原理,正如下面看到的,在高电平到低...

??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管

锡拉电容:在电容三点式振荡电路中,与电感振荡线圈两端并联的电容,起到消除晶体管结电容的影响,使振荡器在高频端容易起振(www.e993.com)2024年11月13日。预加重电容:为了避免音频调制信号在处理过程中造成对分频量衰减和丢失,而设置的RC高频分量提升网络电容。移相电容:用于改变交流信号相位的电容。

大型科普(三)为什么28nm光刻机上多曝也无法做到7nm?

在实际晶体管中,沟道宽度(channellength)和MOS管体积密切相关,沟道越小密度越高,又因为金属层连接沟道,基本每根金属线宽度等于沟道宽度所以最小金属间距等于每个mos管间距也就是cd-criticaldimension,特征尺寸。到了22nm以下的FinFET时代,因为结构变化金属线宽度不再等同于沟道宽度,但是因为MOS从变平面变成每个竖...

1300字,NMOS LDO原理!

NMOSLDO详细工作原理见图2-17,图中是NMOS的输出特性曲线,让我们结合图2-16图2-17分析。假设一开始LDO工作状态在A点,当负载电流突然增加时Vo下降,Vi不变,由于VDS=Vi-Vo,那么VDS就会增加,MOS工作点由A转移到B;紧接着反馈回路开始工作,Vo减小,VFB电压也跟着减小,经过误差放大器后,VG增加,由于VGS=VG-VS=VG-...

还不会设计直流伺服放大电路?详细步骤+元件清单+工作原理

详细步骤+元件清单+工作原理今天给大家分享的是使用功率mos管的100W直流伺服放大电路。如果你正好需要直流放大器电路,就可以直接参考了。本文引用地址:httpseepw/article/202407/461375.htm直流伺服放大器电路使用MOSFET2SJ162+2SK1058或MOSFET2SK134+2SJ49(To-3)。

技术科普 | 汽车电机控制器详解

电机控制器(MCU)的设计原理如图所示。MCU主要由以下几个模块组成:微控制器(Microcontroller):微控制器的核心功能是控制电压源逆变器(VSI),将电池接收的电能转换为所需的电能形式。它接收驾驶员的油门信号作为主要控制输入,通过调整脉宽调制(PWM)脉冲的占空比来控制速度和扭矩。微控制器中实施的场向量控制(FOC)确保...