0欧姆电阻在电路中的作用
根据额定功率,就可以计算出来,0欧姆电阻的额定电流了。04021/16W:1/16=I*I*0.05即I=1.118A;06031/8W:1/8=I*I*0.05即I=1.58A;08051/4W:1/4=I*I*0.05即I=2.236A;对于每种封装的0欧姆电阻具体可以通过多大的电流,还需要根据电阻在PCB板上的散热情况来决定。相关新闻修电脑的师傅...
拆了几十款大功率车充,看看有哪些升降压芯片
南芯科技SC8103是一种高效率的同步降压变换器,输入电压从4.6V到36V,通过设置分压电阻来调节输出电压;它还提供高精度的输出电流限制,当输出电流达到设定电流极限时,变频器进入恒流模式,输出功率可以通过一个电阻编程为18W,恒功率(CP)控制使其很容易满足QC3.0的功率要求。相关阅读:1、拆解报告:MOMAX摩米士63W1A1C...
NOM认证对家庭用空气净化器的要求是什么?
绝缘性能良好:设备的电气绝缘部分要达到较高的绝缘效果。例如,电机的绕组、电线的外皮等都应具备足够的绝缘电阻,防止使用者触电风险。在正常使用和可能遇到的潮湿等特殊环境下,绝缘性能都应能保持良好状态。接地保护可靠:空气净化器必须有可靠的接地措施,接地电阻需符合墨西哥相关标准规定。这样,一旦设备发生电气故障,电...
如果你想了解绿联充电器内置的AC-DC主控芯片,看这篇文章就够了...
将文中同步整流芯片厂商占比绘制厂饼图,发现PI占比最高,可达19%。将同步整流芯片实际应用次数绘制成条形图,发现除未知芯片外,MPSMP6908A应用最多,有4次应用。18W功率段UGREEN绿联MFi认证18WUSBPD快充充电器绿联18WMFi快充套装里面的充电器为纯白色外观,采用PC阻燃材质,表面亮面处理,采用可折叠的插脚设...
安森美:今年SiC营收翻倍增长,未来6年推出多代沟槽MOSFET
据MrinalDas介绍,安森美的M3e产品在值得信赖且经过现场验证的平面架构上,实现了传导和开关损耗的显著降低。与前几代产品相比,M3e平台的导通损耗降低了30%,关断损耗降低高达50%,而且具有非常低的导通电阻和短路能力。并且通过结合安森美最先进的分立和功率模块封装技术,在相同的牵引逆变器外壳中,M3e输出功率约提升20...
低导通电阻SiC器件在大电流高功率应用中的优越性
随着SiCMOSFET器件应用的范围越来越广泛,市场以及产业对SiC器件的需求也逐渐提高,需要SiC器件承载更大的功率,导通更大的电流,提升更高的效率(www.e993.com)2024年9月8日。为满足这些需求,一个有效的手段就是降低SiC器件的总电阻,降低总电阻主要有两个思路:①增加并联器件的数目②降低单个器件电阻。增加并联器件数目的做法属于一种常见的方式...
Qorvo E1B SiC模块:成就高效功率转换系统的秘密武器
碳化硅(SiC)在高密度功率转换器中的一个首要优势在于,它能够以极低的RdsA(单位面积导通电阻)支持高击穿电压;这对于数据中心的部署十分关键,因为数据中心的配电电压需要足够高,以防止在电源电缆上产生过大的电阻损耗。然而,并非所有的SiC器件都完全相同。用SiC的等效器件替换硅超结MOSFET以充分利用效率和功率密度方面的...
GaN巨头,盯上这项技术:颠覆功率半导体?
不过,业界一直认为,GaN的潜力比SiC更高。如果将MOSFET和结型FET(JFET)等单极性功率器件的整体适用性与量化整体适用性(降低导通电阻和改善击穿电压的潜力)的巴利加优值(Barriga)指数进行比较,SiC(当用于制造功率器件的晶体多晶型为4H时)为500,而GaN则高得多,为930。
破解电动汽车充电难题,这款SiC功率模块有绝招
根据充电站的位置和需求,其通常要比电动汽车多一些负载循环次数。我们通过优化布局寄生效应来设计模块,增加足够的密度以匹配高水平的功率循环次数,从而支持电动汽车充电桩实现更长的工作周期。任何停机时间都会给客户带来损失,因此,在碳化硅模块的设计、验证和测试中,提高模块的可靠性都是首要任务。在所有的设计和可靠性...
吃透MOS管,看这篇就够了
1)、输入阻抗高,驱动功率小:由于栅源之间是二氧化硅(SiO2)绝缘层,栅源之间的直流电阻基本上就是SiO2绝缘电阻,一般达100MΩ左右,交流输入阻抗基本上就是输入电容的容抗。由于输入阻抗高,对激励信号不会产生压降,有电压就可以驱动,所以驱动功率极小(灵敏度高)。一般的晶体三极管必需有基极电压Vb,再产生基极电流Ib,才...