三星二代3nm工艺良率只有20%

三星二代3nm工艺良率只有20%三星在其3nm工艺中首次采用了GAA全环绕晶体管技术，这一技术分为两个版本：初代3GAE和第二代3GAP。然而，据透露，三星内部设定的量产良品率最低标准为70％，而初代3GAE的良品率仅能达到50-60％，因此还无法进行大规模量产。第二代3GAP的情况更为糟糕，其良品率仅为20％，意味着...

三星二代3nm良品率只有可怜的20%!一代也还不合格

三星3nm工艺首次引入了GAA全环绕晶体管，分为一代3GAE、二代3GAP两个版本。据悉，三星内部设定的量产良品率最低标准是70％，但是初代3GAE目前只能达到50-60％，仍旧无法投入大规模量产。第二代3GAP更惨，良品率只有可怜的20％，也就是每产出5颗芯片，只有1颗完好能用。如此差劲的表现自然留不住客户，高通的骁...

相比3nm,三星2nm工艺EUV层数将增加30%

三星的2nm工艺节点将比3nm增加30%的极紫外(EUV)层数。消息人士称,三星的3nm节点有20个EUV层,但2nm的EUV层数已增加到26层。他们补充说,三星的1.4nm工艺预计将于2027年开始生产,预计将有超过30个EUV层数。三星于2018年首次在其7nm逻辑工艺节点上应用EUV。从那时起,随着每次迁移到5nm和3nm,三星都会增加芯片生产...

被高通收购,英特尔的处境会比现在好

不论是三星还是台积电,它们都跟随着英特尔的步伐。但是到10nm的工艺量产节点,英特尔被困了足足4年,被台积电反超。生产工艺落后造成的直接结果就是产品竞争力的下滑。台积电率先应用的10nm和7nm有更好的能耗比,使找台积电代工的ARM、英伟达、AMD等芯片公司不断追赶甚至反超英特尔。比如在台积电的先进制程下,AMD的Ze...

三星3nm工艺磕磕绊绊 高通8至尊版交给台积电N3E

这种低劣表现导致客户纷纷寻求其他解决方案，其中高通骁龙8至尊版已经决定使用台积电的N3E3nm工艺进行生产。而许多一直采用三星工艺的韩国本土企业也开始投奔台积电。尽管面临巨大挑战，三星并未放弃，他们正在努力改善3nm工艺的表现，同时推进2nm工艺的研发。据悉，三星计划在2027年推出采用2nm工艺的Exynos处理器，代号为...

三星转攻2nm芯片:战略调整弃3nm GAA工艺

为了改变现状，三星决定加速推进第二代2nm工艺的研发，以改善其芯片业务(www.e993.com)2024年11月20日。这款未命名的ExynosSoC预计将在2024年底进入开发阶段，是三星继之前代号“西提斯”的2nm技术之后的又一重要成果。第二代2nm工艺（SF2P）相比第一代，目标是在性能上提升12%，功耗降低25%，面积减少8%。与此同时，三星的晶圆代工厂正在对...

专家:三星3nm工艺有两大主要问题 最快明年量产2nm

有业内专家指出,三星代工厂3nm工艺的主要问题在于良率低和能效低。分析显示,三星非常注重控制功耗和发热量,但其性能仍比台积电低10%-20%。随着AI服务在移动和服务器市场的扩张,芯片功耗效率已成为一个关键因素。某全球大型晶圆代工企业负责人表示:“大客户选择台积电的主要原因,在于两家公司在尖端工艺下提供的芯片功...

三星回应自家3nm良率仅20%:工艺完全没问题,产量正在稳步上升

目前台积电最先进的工艺为3nm制程,尽管三星也是3nm制程工艺,但是市场传闻由于良率等问题,三星3nm制程客户寥寥,甚至还遭到了停摆的风险,不过现在三星回应称这纯属谣言,目前三星3nm制程正稳步推进,而且开始了量产阶段。三星表示三星在2022年就已经全球首次量产了3nm制程工艺,基于GAA工艺打造,随后三星也不断地投入资金和人力...

三星3nm工艺下半年要量产 自家Galaxy S25首发

首款搭载Exynos2500的智能手机是GalaxyS25,这也意味着,GalaxyS25将全球首发三星3nm。在3nm工艺上,三星首次采用了GAA,也就是全环绕栅极工艺,相比FinFET,它可以实现更小的制程,从而带来更优的能耗比。三星表示,与5nm相比,三星3nmGAA工艺可以让芯片面积减少16%,功耗降低45%,性能则可以提升23%。当然,三星3nm工...

三星3nm良率及功耗表现不佳?传Galaxy S25系列将由高通独家供应

另据BusinessKorea18日报道,业界专家指出,目前三星3nm面临的主要问题是良率与功耗表现较差,有分析显示,其性能仍比台积电3nm低10~20%。某晶圆代工大厂的代表也透露,“两家厂商提供的先进制程芯片在功耗上有所不同,是许多大客户选择台积电的主因”,虽然台积电3nm片的制造成本比5nm高25%以上,但性能上的重大差距,...