插件电阻尺寸功率有哪些?
高功率电路,如变换器、电源7.5mmx22.5mm大功率大功率电路,如电动机驱动器、变频器AXIAL0.3较低功率多种应用,具体功率依产品而定AXIAL0.6中等至较高功率多种应用,具体功率依产品而定注意事项功率范围:插件电阻的功率范围通常较宽,从几十分之一瓦到几百瓦不等,具体取决于电阻的封装尺寸、材料、...
泛克斯特 MOEORW-389导电鞋电阻测试仪
尺寸:320mm*280mm*120mm
国内12家功率半导体上市公司对比分析
功率半导体、半导体化合物器件:包括各类功率器件、PIM模块、Si基GaN功率器件、SiC器件等。功率驱动与控制系统:包括AC-DC(适用于各种拓扑的初/次侧控制器,及功率因数控制),DC-DC(PoE/PD/PSE,PoL,VRM/DrMOS,eFuse,PMIC)、LED驱动芯片(车用照明、通用照明、智能照明),IPM模块、栅驱动、隔离驱动、电机驱动...
达新半导体|张海涛:Si/SiC/GaN功率器件技术路线对比浅析
日前,在IPF2024的活动现场,达新半导体副总经理张海涛在现场发表了《Si/SiC/GaN功率器件技术路线对比浅析》主题演讲。演讲围绕三种功率器件的多个技术路线进行对比,包括器件参数与测试、材料与工艺、可靠性思考及器件应用、未来发展预期等多个角度,深度剖析了Si/SiC/GaN三种功率器件。接下来跟我们一起通过演讲速记的...
电驱逆变器SiC功率模块芯片级热分析
在下图中,可以看到所使用的测试工具以及直流母线和微控制器板。因为高频电流会流经汇流排,所以,在设计阶段应特别注意汇流排的正确尺寸。板上有两个开孔,方便我们直接观察被测芯片,并用红外热像仪测量结温(TJ)。图6:电气系统概述被测温SiC功率模块的特性如下:25℃时通态电阻典型值RdsON=1.9mΩ(每个开关)...
基础知识之电阻器
若LED流过的电流ILED为15mA(1mA=1/1000A),根据欧姆定律,电阻值R如下…因此,图1-??的电阻值为67Ω(www.e993.com)2024年10月18日。4.消耗功率和额定功率通常,像工作时需要能量一样,电机和加热器、灯等电器工作时,也需要电能。表示这些电器需要多少能量的参数就是消耗功率。功率(消耗功率也一样)用电压和电流的乘积表示,功率P有如...
超充桩行业专题报告:高功率驱动下的技术升级和价值提升
超级结MOSFET功率密度比普通MOS更高,目前是直流充电桩的主流功率器件。SiC-MOS在耐压和能量损耗方面比Si基产品性能更加突出。根据天岳先进招股说明书数据,较传统Si-MOS,相同规格的SiCMOS主要优势在于:1)尺寸更小、导通电阻更低:尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。2)耐压值更...
插件电阻规格型号大全
功率与尺寸规格:1/8W电阻的尺寸为:3.4±0.3mm(L),1.9±0.2mm(ФD),28±2.0mm(H),0.5±0.05mm(Фd)。1/4W电阻的尺寸为:6.3±0.5mm(L),2.4±0.2mm(ФD),28±2.0mm(H),0.6±0.05mm(Фd)。1/2W电阻的尺寸为:9.0±0.5mm(L),3.3±0.3mm(ФD),26±2.0mm(H),0.6±0.05mm(Фd)。
小巧体积,大幅提效,八款Qi2 DrMOS全桥功率器件,重塑充电体验
与一角硬币对比大小。PN7727内部集成了一个驱动及四颗高效功率级场效应管,内置自举高压PMOS和5V/50mALDO,具备自适应死区功能,可以根据无线充电场景的不同灵活调整功率传输,提供更好的充电体验,使无线充电系统更加的智能高效,节约能源的同时具备更高的充电效率。
今天中国半导体学术进展真不少!纳芯微并购麦歌恩分析解读;国产...
高栅极电压摆幅GaN功率器件技术p-GaN栅极GaN功率器件是目前商业化的主要器件,然而该器件还存在动态阈值电压漂移、栅极驱动摆幅小以及动态电阻退化等问题,限制其进一步发展。针对上述问题,魏进/王茂俊团队提出了一种带有背部虚拟体和p-GaN电势稳定器的MIP-HEMT技术,MIP栅极可以承受额外的栅极偏压,将器件的栅极电压摆幅...