25kW SiC直流快充设计指南(第六部分):用于电源模块的栅极驱动系统
图13.在单端隔离偏置电源上使用齐纳二极管的负偏压图14显示了在SiCMOSFET栅极驱动应用的NCP51561的单端隔离电源上,利用齐纳二极管实现负偏压的实验结果。该示例设计旨在通过使用20V隔离电源,以器件源极为基准电压源,提供+15V和-5.1V的驱动能力。图14.在单端隔离电源上使用齐纳二极管实现负偏压的实验波形(其中...
超详细!常见电源电路图及原理讲解
反馈绕组电压经VD3和C4整流滤波后,供给TOP224P所需偏压。由R2和VDz2来调节控制端电流,通过改变输出占空比达到稳压目的。共模扼流圈L2能减小由一次绕组接D端的高压开关波形所产生的共模泄漏电流。C7为保护电容,用于滤掉由一次、二次绕组耦合电容引起的干扰。C6可减小由一次绕组电流的基波与谐波所产生的差模泄漏...
长工微:专注高性能低压大电流电源芯片
长工微为此研发了多款高性能芯片,为服务器与数据中心等低压大电流应用带来了多相VRM全套电源方案,推出4相~16相降压型PWM控制器,兼容PMBus,AVBus,SVID等协议,搭配公司自研的30A/70A/90A三种电流规格的DrMos,稳定输出大电流,突破了国外多相控制器长期垄断现状,成为国内少数具有自主知识产权的低压大电流多相控制器供应...
分享一些开关电源设计心得
接着谈关于反激电源的占空比(本人关注反射电压,与占空比一致),占空比还与选择开关管的耐压有关,有一些早期的反激电源使用比较低耐压开关管,如600V或650V作为交流220V输入电源的开关管,也许与当时生产工艺有关,高耐压管子,不易制造,或者低耐压管子有更合理的导通损耗及开关特性,像这种线路反射电压不能太高,否则为使...
多年开关电源设计经验分享
多年开关电源设计经验分享谈多年开关电源的设计心得,从开关电源印制板的设计、印制板布线、印制板铜皮走线、铝基板和多层印制板在开关电源中的应用,到反激电源的占空比,绝对的实践精华!一、开关电源印制板的设计首先从开关电源的设计及生产工艺开始描述吧,先说说印制板的设计。开关电源工作在高频率,高脉冲...
高频感应加热电源的驱动电路设计
通过图4所展示的占空比调节电路图中我们可以看到,在添加了调节电路后,这种高频感应加热电源的电路系统中,频率跟踪电路输出的占空比为50%的方波信号经两级74HC14整形后,分别送人上升沿触发的JK触发器74HC109和由RC组成的死区调节电路,两者的输出分别相与,就可以得到如图4所示的两组驱动控制信号,将它们分别送入IR2110...
全集成、部分集成和分立开关电源方案比较分析
在上电期间,偏置线圈上没有感应电压,IC电源由从高压端至偏压端与储能电容C3的内部电流源提供。当偏压达到工作电平时,IC即开始以不断增加的占空比进行开关(软启动)。启动后,由偏置线圈为IC提供电源,而内部电流源则由控制逻辑关断。IC拥有内部检流电路,以提供逐周期的电流限制。[page]...
开关电源如何实现电压控制及内部结构原理
7)偏置电路,给光耦合器的光敏提供偏压。图5单片开关电源基本原理五、原理分析稳压原理分析如下:当由于某种原因致使V上升,这时LED上的电流就提高,经过光耦器使接收管的发射极电流上升,进而使TOPSWITCH的控制端电流变大,占空比变小,导致V下降,从而达到稳压的作用。
“2019传感器与MEMS产业化技术国际研讨会(暨成果展)”9月26-27日...
热疗作为一种治疗方法,利用局部施加热应力来抑制新生内膜增生。一种无线射频功能支架与基于MEMS温控器被集成开发,并应用热疗法来抑制支架内再狭窄。我们还将讨论这种植入式传感器的封装技术。并揭示了封装后偏压大小和占空比对传感器寿命的影响,建议了系统灵敏度和可靠性之间的设计权衡。
用于SiC MOSFET的隔离栅极驱动器使用指南
如果允许驱动器输出在较低的VDD下切换,可能对某个SiCMOSFET不利,但根据散热、冷却和VDD启动时间,对另一个SiCMOSFET而言可能是可接受的。最佳UVLO导通阈值也会根据VDD电压轨的导出方式而发生变化。一些电源系统可能有一个专用的偏压电源,而其他系统则可能依赖于类似于图36的VDD自举技术。