功率半导体:IGBT 和 SiC 电源开关工程基础知识

这取决于栅极电阻器和该平坦区域期间的驱动电压。SiCMOSFET可以非常快速地进行开关,从而适合大功率和高频率应用。栅极电流必须很高才能使器件提供这些好处。更快的开关速度可最大限度地减少无源组件,从而减小总体系统尺寸和重量。在快速且高效地开关时,IGBT和SiCMOSFET均可提供系统级优势。图10:器件导通...

E类功率放大器:卓越性能的波形工程

另一种思考方式是,开关电阻(R)在完全接通时减小。由于电阻在电流逐渐增加的同时逐渐减小,I2R功率损耗最小化。当开关的开启转换缓慢时,这尤其有用。我们可以预期,满足Vsw=0和dVsw/dt=0条件的E类放大器即使在开启过渡时间包含高达30%的RF周期时,也会有较小的I2R功率损耗。消除关闭转换期间的电源损失我们上...

开关电源PFC电路原理详解及matlab仿真

电网在输电时,输电线上的功率损耗与流过的电流的平方成正比。所以输电线上的电流越小,损耗就越小。当用电设备从电网取电,其消耗的有功功率和无功功率都来自电网,无功功率对用电设备来说,是没有做功的,但是在电网上传输就会产生损耗。无功功率越大,发电厂和输电系统就多了很多无效的负担,甚至会影响电力系统的...

功率更高应用场景更广,23款100W PD快充移动电源拆解汇总

充电头网通过拆解发现,移动电源电池组由6颗比克N21700CG-50电池串联而成,每颗电池都做了绝缘处理,外壳上打胶以及设有隔离板帮助加固电池组和与PCB板进行隔离,此外配有热敏电阻进行温度监控。PCB板上设有两颗赛微CW1274保护芯片保护电池组,此外设有升降压电路用于USB-C口输入输出,一路降压电路用于USB-A输出,控制...

可控硅触发电路原理,图文+案例

这是触发SCR的最常用方法,因为使用R和RC触发方法在栅极处的延长脉冲会导致栅极处更多的功率耗散,因此使用UJT(UniJunctionTransistor)作为触发器件可以限制功率损耗,因为它会产生一串脉冲。RC网络连接到构成定时电路的UJT的发射极端子。电容是固定的,而电阻是可变的,因此电容的充电速率取决于可变电阻,...

12个电路&10个知识点,给你讲明白开关模式下的电源电流检测

通过选择适当的元件(R1×C1=L/DCR),电容C1两端的电压将与电感电流成正比(www.e993.com)2024年11月3日。为了最大限度地减少测量误差和噪声,最好选择较低的R1值。电路不直接测量电感电流,因此无法检测电感饱和。推荐使用软饱和的电感,如粉芯电感。与同等铁芯电感相比,此类电感的磁芯损耗通常较高。与RSENSE方法相比,电感DCR检测不存在检测...

电阻基础指南:定义、决定因素、电阻器类别及其应用

电阻是指当电流通过导体时,导体对电流流动所呈现的阻碍作用的物理量。它是电路元件的一个基本参数,用于量化导体阻止电荷定向移动的能力。#电阻#的大小决定了通过导体的电流与两端电压之间的关系,遵循欧姆定律,即在恒定温度下,通过导体的电流强度与其两端的电压成正比,与电阻值成反比:...

MOS管开关电路实例、功耗计算

我们假设灯的额定电压为6v、24W并且完全“开启”,标准mos管的通道导通电阻(RDS(on))值为0.1ohms。计算mos管开关器件的功耗。流过灯的电流计算如下:mos开关电路电流计算公式那么mos管中消耗的功率将为:mos管开关电路功耗计算公式六、P沟道mos管开关电路实例...

吃透MOS管,看这篇就够了

6、在开关电源电路中;大功率MOS管和大功率晶体三极管相比MOS管的优点;1)、输入阻抗高,驱动功率小:由于栅源之间是二氧化硅(SiO2)绝缘层,栅源之间的直流电阻基本上就是SiO2绝缘电阻,一般达100MΩ左右,交流输入阻抗基本上就是输入电容的容抗。由于输入阻抗高,对激励信号不会产生压降,有电压就可以驱动,所以驱动功率极...

浮思特 | 如何有效减轻高压电动汽车栅极驱动器的故障

高压栅极驱动器中另一个造成过电压的原因是由于电动汽车逆变器电路中的高速切换产生的寄生电感。电压超调可以通过考虑电流变化率和寄生电感来估算。栅极驱动器中的过电压效应可能导致永久性短路,当电压超过开关导体的门氧化物击穿电压时。过电压的幅度与对驱动器组件施加的压力成正比。高压尖峰的电磁辐射可能会干扰驱动器...