EMI之传导,不得不学
当电容二端的电位在时间之内存在一电压差时,则会根据电荷公式(电压/时间的变化,如图12)而产生一电流,如图11红色箭头所示,而任何产生的电流必需经由另一路径回到自己出发时的位置而形成一电流回路,如棕色虚线箭头所示,此因电压变动造成的电流回路就会引起电场干扰。图12因此,改善电场干扰的方式,就是减少其回路电流...
石英晶体谐振器-IC电子元器件
5、电压过高:石英晶体谐振器的工作电压一般有限制范围,如果电压超过了这个范围,可能会导致石英晶体损坏。在设计或使用电路时,应确保电压在石英晶体的额定范围内。如果石英晶体因电压过高而损坏,需要更换新的石英晶体。举报/反馈
...电气故障诊断术汇总,难得收齐!|导体|安培|绕组|电阻|电容器|...
并联电容器电流,容量除以千伏数。压等级二百三,千乏四点三安培。电压等级整四百,千乏二点五安培。电压等级六千三,二十千乏三安培。电压等级万零五,十个千乏一安培。5、已知0.4kV级小型发电机容量,求算其引出线端操作开关所配保护熔体电流四百伏级发电机,容量百千瓦以下,保护熔体电流值,容量除以五乘九。6、已...
「实战」一个Buck电路设计的完整过程
输入电容器可以是电解的、钽或陶瓷的。为了减少潜在噪声,在使用电解电容器时,应尽可能放置一个小型X5R或X7R陶瓷电容器,例如0.1uF/10V的贴片陶瓷电容来滤除输入直流电压中的高频信号。电容上本身的ESL并不大,但是经常会有因为输入电容较远或者地线较远引入较大的ESL在输入端引起较大的尖峰,导致芯片供电异常或者芯片...
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性
VT是热电压,等于kT/q迁移率退化和速度饱和晶体管内的漂移电流由内部电场决定,随着晶体管尺寸的减小,它们的电场迅速增加。事实证明,对于短沟道晶体管,在晶体管内可以实现少数载流子的最大速度。这被称为饱和速度。这限制了某些器件的VGS和VDS电流的增加,因为最终它们的驱动电流达到最大值。此外,随着电场的继续增加...
吃透MOS管,看这篇就够了
此时若在栅-源极间加上正向电压,图1-3-B所示,即VGS>0,则栅极和硅衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个栅极指向P型硅衬底的电场,由于氧化物层是绝缘的,栅极所加电压VGS无法形成电流,氧化物层的两边就形成了一个电容,VGS等效是对这个电容充电,并形成一个电场,随着VGS逐渐升高,受栅极正电压的吸引,在这个电容的另...
两大特高压项目开工!2024年7月电网项目汇总→
建设2台容量为1200MVA的主变压器,500kV出线间隔2回,至乌海500kV变电站,每台主变安装2组60Mvar低压电容器、1组60Mvar低压电抗器。乌海500kV变电站本期扩建2个500kV出线间隔,至芒哈图500kV变电站,#3、#4主变低压侧分别新增1组60Mvar低压电抗器。乌海~芒哈图I、II回500kV新建线路工程线路全长13.7km,同塔双回路...
二极管(3)二极管的关键参数
在二极管两端加正向偏置电压时,其内部电场区域变窄,可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM36...
【招银研究|行业深度】新能源汽车之800V高压平台篇——车桩电池三...
800V平台电压电流更高,电弧更严重,对继电器、熔断器和薄膜电容等高压元件的性能要求更高。三是电机扁线油冷化和电驱系统集成度不断提升。800V平台下电机功率输出提升,电机扁线绕组替代圆线绕组趋势明确,油冷的使用也会保障电机功率输出的稳定;此外,为减小体积降低成本,电驱系统集成度持续提升趋势明显。四是动力电池...
【公司深度】许昌智能:光伏消纳矛盾凸显,配电侧+用电侧建设带来...
能与同行业其他公司的同类产品区分开来,以配电自动化终端系列产品为例,公司有相对更先进的技术含量和成本控制能力,其一,采用32位高性能SoC嵌入式微机处理器和独立通信管理模块,数据处理、逻辑运算和信息存储能力强,运行速度快,实现现场运行高实时性和可靠性;其二,采用独有的虚拟装置建模技术和多规约自适应识别...