了解变压器耦合电流开关D类放大器

然而,调谐到开关频率的高Q并联RLC电路对除基波分量外的所有电流频率分量都呈现出非常小的阻抗。在基频下,RLC电路表现出RL的电阻。因此,所有输出电流谐波都被短路,只有基波分量流入负载电阻器(RL)。将通过RL的电流表示为iout,我们有:方程式2iout的峰值等于4πmnIdciout的RMS值(irms)等于峰值除...

基础知识之电阻器

因此,如图1-(C)所示,如果在LED和干电池之间连接1枚电阻器,通过控制电阻器,使流过电路的电流合适,则施加于LED的电压值就会变为适当的值(约2V),从而可以使LED和干电池都能正常工作。可见,电阻器具有通过限制电流的流动来使电路平稳运行的功能,是电路中不可或缺的元件之一。2.请想想欧姆定律前面所述的例子...

电阻率、体积电阻率、表面电阻率的区别与测定方法

表面电阻:在试样的某一表面上两电极间所加电压与经过一定时间后流过两电极间的电流之商;访伸展流主要为流过试样表层的电流,也包括一部分流过试样体积的电流成分.在两电极间可能形成的极化忽略不计.表面电阻率:在绝缘材料的表面层的直流电场强度与线电流密度之商,即单位面积内的表面电阻.材料说明A、通常,绝缘...

深度!【东吴电新】协鑫科技:老牌光伏巨头,科技创新穿越周期

(3)更适合N型硅片:传统RCZ拉制环境热场不稳定,拉制单晶无法避免头尾电阻率不均的问题,而CCZ技术一边进行单晶拉制,一边加料熔化,拉制单晶轴向电阻率分布均匀,波动可以控制在10%以内,采用CCZ技术拉制的单晶硅棒氧含量更低且更均匀、金属杂质累积速度更慢,适用于制备N型单晶硅片。3.3.钙钛矿技术不断迭代,高研发开...

教你用示波器精确定位CAN/CANFD各种错误帧

当总线静默时,收发器内部的2.5V电源经15KΩ电阻把CAN-H和CAN-L都拉到2.5V,总线这个状态称之为隐性。当节点A想要驱动总线的时候(TX=0),它同时把内部的上下两个MOS管导通,整个网络的电流流向:节点A的5V电源经二极管、24Ω、两颗终端电阻并联、24Ω、二极管回到节点A的地,总线这个状态称之为显性。CAN总线上的...

为什么有时在PCB走线上串个电阻?有什么用?

并联端接放在接收端,所以能很好地消除反射,使用的元件也只有电阻(www.e993.com)2024年11月9日。从电路结构就可以看出,即使电路保持在静态情况,并联端接依然会消耗电流,所以驱动的电流需求比较大,很多时候驱动端无法满足并联端接的设计,在特别是多负载时,驱动端更加难以满足并联端接需要消耗的电流。所以,一般并联端接不用于TTL和COMS电路。同时,由...

功率半导体行业深度报告:能源变革大时代,功率器件大市场

IGBT同时具备BJT和MOSFET的长处，像高输入阻抗、导通压降低、驱动功率小、饱和压降也低这些。跟BJT或者MOS管比起来，IGBT的优势就是能提供比标准双极型晶体管更大的功率增益，而且工作电压更高，MOS管的输入损耗更低。所以呢，它在直流电压600V及以上的变流系统里用得特别广泛，像交流电机、变频器、开关电源、照明...

中国科学院:SiC MOSFET器件高温下最大电流导通能力评估方法

1.3导通电阻功率MOSFET器件的导通电阻Ron是指漏源电流Ids流过的所有区域的电阻之和。Ron的大小决定了器件的通态损耗,并可能影响MOSFET导通电流的能力。在图2中,SiCMOSFET的导通电阻由6个部分组成,RN+是源极扩散电阻,RCH是沟道电阻,RA是累积电阻,RJ是两个体区之间区域的JFET元件电阻,RD是漂移区域电阻,RSub为...

【招银研究|行业深度】新能源汽车之800V高压平台篇——车桩电池三...

根据焦耳定律公式Q=I2Rt(电流通过导体时产生的热量跟电流的平方成正比,跟导体的电阻成正比),当充电功率一定,采用大电流方案,整车系统所产生的热量较大。以特斯拉V4超充技术为例,整车采用400V电压架构,若要实现350kW的充电功率,高压回路的电流必须提升至875A,此时系统发热量将以指数级增长。③线径增大。通过线束的...

ROG 白金雷鹰 1000W 氮化镓电源评测:金牌雷鹰的良心升级之作

通过观察配套的12V-2x6显卡供电线我们可以发现,其中一端是多出了一个两针的插头,插头的线是并联到另一端12V-2x6接口的其中的S2端口和地线上,也就是说,连接显卡智能稳压的专用接口的两针插头是起到传输显卡状态信息的作用。在常规设计的电源上,+12V的电压传感器是集成在连接主板的24Pin当中,主要是为了优先对CPU...