英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆,突破技术极限并提高能效

英飞凌在处理和加工史上最薄的硅功率晶圆方面取得了突破性进展,这种晶圆直径为300mm,厚度为20μm。厚度仅有头发丝的四分之一,是目前最先进的40-60μm晶圆厚度的一半。JochenHanebeck英飞凌科技首席执行官这款全球最薄的硅晶圆展现了我们致力于通过推动功率半导体技术的发展,为客户创造非凡的价值。英飞凌在超薄晶...

【领先】自主创芯争领先,景略半导体推出数款千兆交换机芯片JL61xx

刻蚀、工艺检测两个环节,国产设备数量占比均为75%;刻蚀环节,北方华创提供9台刻蚀设备,涉及8英寸多晶硅刻蚀机、8英寸浅沟等离子刻蚀机、6英寸深沟槽等离子刻蚀机等;工艺检测环节,睿励科学仪器提供3台8英寸晶圆薄膜厚度测量机台。薄膜沉积和热处理环节,国产设备数量占比分别为38.46%、33.33%;其中,万业企业旗下嘉芯迦...

全球最薄硅功率半导体晶圆问世,已交付给首批客户

晶圆直径为30mm,厚度20μm仅为头发丝的四分之一,是目前最先进的40-60μm晶圆厚度的一半。该技术已获得认可,并被应用于英飞凌的集成智能功率级(直流-直流转换器)中,且已交付给首批客户。国金证券分析师樊志远认为,随着英伟达B系列芯片大批量出货及文生视频等AI应用的普及,产业链将迎来较好的拉货机会,看好核心受...

英飞凌宣布推出全球最薄硅功率晶圆

晶圆直径为30mm，厚度20μm仅为头发丝的四分之一，是目前最先进的40-60μm晶圆厚度的一半。该技术已获得认可，并被应用于英飞凌的集成智能功率级（直流-直流转换器）中，且已交付给首批客户。

10月31日精选热点:半导体领域再传利好,这些核心公司继续大涨

晶圆直径为30mm,厚度20μm仅为头发丝的四分之一,是目前最先进的40-60μm晶圆厚度的一半。该技术已获得认可,并被应用于英飞凌的集成智能功率级(直流-直流转换器)中,且已交付给首批客户。国金证券分析师樊志远认为,随着英伟达B系列芯片大批量出货及文生视频等AI应用的普及,产业链将迎来较好的拉货机会,看好核心...

英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆: 20μm 厚,基板电阻降低 50%

IT之家10月29日消息,英飞凌官方今日宣布,在处理和加工史上最薄的硅功率晶圆方面取得了突破性进展(www.e993.com)2024年11月18日。这种晶圆直径为30mm,厚度为20μm、仅有头发丝的四分之一,是目前最先进的40-60μm晶圆厚度的一半。IT之家获悉,与基于传统硅晶圆的解决方案相比,晶圆厚度减半可将基板电阻降低50%,从而使功率系统...

全球最薄硅功率半导体晶圆问世

该晶圆直径为300mm,厚度20μm仅为头发丝的四分之一。英飞凌是首家掌握20μm超薄功率半导体晶圆处理和加工技术的公司;通过降低晶圆厚度将基板电阻减半,进而将功率损耗减少15%以上;新技术可用于各种应用,包括英飞凌的AI赋能路线图;超薄晶圆技术已获认可并向客户发布。

【明日主题前瞻】全球最薄硅功率半导体晶圆问世,已交付给首批客户

据媒体报道,10月29日,英飞凌宣布推出全球最薄硅功率晶圆,成为首家掌握20μm超薄功率半导体晶圆处理和加工技术的公司。晶圆直径为30mm,厚度20μm仅为头发丝的四分之一,是目前最先进的40-60μm晶圆厚度的一半。该技术已获得认可,并被应用于英飞凌的集成智能功率级(直流-直流转换器)中,且已交付给首批客户。国金证...

晶圆激光切割在芯片制造中的应用

晶圆激光切割的工艺流程大致可以分为以下几个步骤:1.晶圆准备:首先,将待切割的硅晶圆放置在专用的切割台上,确保其位置准确无误。2.激光设置:根据晶圆的厚度和材料特性,调整激光的功率、波长和焦距,以确保切割效果。3.切割路径规划:利用先进的软件系统,规划出最佳的切割路径,以减少材料浪费并提高切割效率。

英飞凌成功研发全球最薄硅功率晶圆

超薄硅晶圆的厚度只有人类头发的四分之一，并且比当前最先进的40-60微米晶圆要薄一半。英飞凌首席执行官约翰·哈内贝克（JochenHanebeck）表示：“全球最薄的硅晶圆证明了我们致力于通过推动功率半导体技术的技术极限来为客户提供卓越价值的决心。英飞凌在超薄晶圆技术方面的突破标志着能源高效解决方案的一大进步，有助于...