SiC行业深度报告:SiC东风已来_腾讯新闻
而SiC晶圆莫氏硬度分布在9.2-9.6,高硬度、高脆性、低断裂韧性使得其磨削加工过程中易引起材料的脆性断裂,切割槽的背面容易出现崩刃,裂纹,崩边大,层状剥离等缺陷。严重影响良品率,降低了产能效益,增加生产成本。通过激光开槽工艺,先行在切划道内开2条细槽,再采用机械刀片划片,有效减小崩边等因素来带的缺陷。
半导体碳化硅(SiC)行业研究:打开新能源汽车百亿市场空间
PVT法生长速度慢、厚度低,且良率较低。根据刘得伟等人在《PVT法生长6英寸4H-SiC晶体的工艺研究》文中数据,在不同原料区温度下,80小时生长时间内晶锭厚度8-15mm,并且由于粉源石墨化的影响,晶锭长度限制在50mm左右。且碳化硅晶体的生长环境复杂、工艺控制难度大,整体良率较低,据天岳先进招股书...
浅谈以车带磨/车削加工轴承用PCBN立方氮化硼刀具磨损试验
造成该情况是因为PCBN立方氮化硼材料高温下硬度损失小,工件硬度很高时,由于切削热作用使切削区域金属软化从而使切削加工便于进行,因此PCBN刀具更适合车削加工高硬度淬火轴承钢。切削速度对PCBN刀具磨损的影响规律切削用量选择:进给量Fr=0.05mm/r,切削深度α=0.05mm。在不同速度下PCBN刀具后刀面的磨损与切削距离的关系...
第四代半导体氧化镓的机遇与挑战
2.第二代半导体材料主要是指砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等的化合物半导体材料,此外还包含三元化合物半导体,如GaAsAl、GaAsP,还有一些固溶体半导体如Ge-Si、GaAs-GaP,玻璃半导体(又称非晶态半导体)如非晶硅、玻璃态氧化物半导体,有机半导体如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。3.第三代半导体材料是指以碳化硅(SiC)、氮化镓...
这100类仪器,国产与进口该如何选择?
导读:12月19日,四川政府采购网发布《2017年政府采购进口产品清单论证意见公示(教学设备类)》以及《2017年政府采购进口产品清单论证意见公示(医疗设备类)》,分别列出了100类仪器/设备的论证意见。12月19日,四川政府采购网发布《2017年政府采购进口产品清单论证意见公示(教学设备类)》以及《2017年政府采购进口产品清单论...
塔里木大学采购3277台/套仪器设备
双开门;外形材质:VCM钢板总容积:290L;能效等级:1级;额定耗电量:0.79度/天;冷藏室容积:208L;冷冻室容积:82L制冷方式:风冷;制冷能力:11kg/24h;温控方式:电脑温控;压缩机:变频;14电动外抽台式真空包装机1、以塑料复合薄膜或塑料铝箔复合膜为包装材料;具有抽真空、封口一次完成功能,对不...
SiC行业深度报告:SiC全产业链拆解,新能源行业下一代浪潮之基(上)
4)材料硬度大、脆性高,切割耗时长、磨损高:SiC莫氏硬度达9.25仅次于金刚石,这导致其切割、研磨、抛光的加工难度显著增加,将一个3cm厚的晶锭切割35-40片大致需要花费120小时。另外,由于SiC脆性高,晶片加工磨损也会更多,产出比只有60%左右。