全球首款0.2%高精度氮化镓电流传感器发布!开创智能电网新格局!

公司基于第三代半导体氮化镓(GaN)材料、微机电系统(MEMS)及集成电路技术,自主研发高性能氮化镓传感器芯片,已有产品包括氮化镓紫外、温度、压力、气体、电流等传感器芯片及模组系统,应用于电力电网、新能源、工业等领域,致力于能源及工业安全管理,旨在成为全球高性能传感解决方案的领军企业,为客户提供优质的产品和服务。

氮化镓或将释放光伏技术的长期潜力

在75Vdc至30Vdc转换过程中,每个通道都使用了LMG2100半桥氮化镓,而在低压至高压直流转换过程中,高压侧使用了两个额定电压为650V的LMG3522氮化镓,低压侧使用了LMG2100氮化镓,当进行右向左的升压动作时,LMG2100用于谐振,而LMG3522作为同步整流器,反过来从左向右工作时,LMG3522用于谐振,LMG...

天生精悍、Buff叠满,联想thinkplus 140W 氮化镓多口充电器评测

将温度数据汇总成表格,可以看出充电器在两类电压下进行温度测试时,220V50Hz、110V60Hz电压下的充电时温度在76.2-79.7℃。整体来看,在110V60Hz电压环境下充电温度会更高一些。将数据绘制成柱状图,可以看出联想thinkplus140W氮化镓多口充电器在220V50Hz、110V60Hz电压下的输出时的最高温度为79.7℃,充电器...

低调的氮化镓,如何成为 AI 绕不过的关键

形成鲜明对比的是,氮化镓基本上可以使用与硅加工相同的设备,其中氮化镓外延晶片可以在其各自的基板上以1000至1200℃的温度生长——而这还不到碳化硅的一半。除此之外,与碳化硅和硅相比,氮化镓器件在相同的额定电压下,每单位面积的导通电阻值要低得多,这也使得氮化镓芯片和其封装尺寸能够做到更小。且由于氮化镓...

详解第三代半导体材料:碳化硅和氮化镓

这些材料能够在更高的温度下稳定工作,减少了对复杂冷却系统的需求,这在汽车、航空航天和工业应用中尤为重要。碳化硅和氮化镓的应用前景广阔,它们正在被越来越多地应用于电动汽车、太阳能逆变器、电源管理以及无线通信基站等领域,以提高能效和性能。随着技术的进步和生产成本的降低,预计碳化硅和氮化镓将在未来的半导体市场...

可承受近500℃高温氮化镓电子设备扩展应用范围

金星探测和氮化镓在金星灼热的表面上,温度可以攀升至480摄氏度(900华氏度),这足以熔化铅(www.e993.com)2024年11月19日。这使得它成为人类和机器都不适合待的地方。科学家们尚未能够将金星车送上该星球表面的一个原因是,硅基电子设备无法长时间在如此极端的温度下运行。对于像金星探测这样的高温应用,研究人员最近转向了氮化镓,这是一种独特的材料,...

氮化镓晶体管散热革命与高性能电子器件的未来 | 金刚石大会

该研究团队首先在硅衬底上制作了一个3μm厚的氮化镓层和一个1μm厚的3C-SiC缓冲层(3C-SiC,立方晶系中的一种),然后从硅衬底上剥离这两层,随后应用表面活化键合技术,在环境温度条件下,实现了在硅基板上生长的氮化镓(GaN)薄膜与金刚石基板的直接结合。研究团队还在氮气氛围中对剥离了硅基底的GaN/金刚石结构...

为何这些多口电源适配器均内置氮化镓,这篇文章给你答案

英诺赛科INN650DAH260,为英诺赛科为奥海定制的料号,参数与INN650D260A相同,额定耐压为650V,导阻260mΩ,符合JEDEC标准的工业应用要求,支持ESD保护,支持开尔文源极。最高工作温度150℃,采用DFN5×6封装。应用案例vivo120WUSB-C闪充氮化镓充电器

大失所望!iPhone 16 Pro Max 87款充电器实测:远远不到45W

15分钟后,功率26W,正面温度最高36.4℃,背面37.7℃。25分钟后,正面温度35.5℃,背面36.7℃,同时可以看到除了顶部和底部,整体温度分布比较均匀。40分钟后,正面温度32.5℃,背面33.3℃。整体来看,随着时间的流逝,充电功率在降低,温度也越来越低,40分钟之后基本感觉不到烫手。

好用价不高 200元以内小米桌面好物盘点_小米 50W立式风冷无线充...

而且因为内置了传感器所以还能监测环境温湿度,同时还可以与米家其他的智能家居设备联动,比如温度提升自动打开小米空调。这款产品比较实用,而且颜值很高,无论是放在RGB灯效的桌面还是极简风办公桌上,都不算违和算是百搭产品。小米氮化镓67W桌面快充插座Pro小米67W桌面款冲插座Pro是一款高度集成的产品,可以带来快充、...