集成的层次和环节
现在的5nm工艺可以在1mm??毫米的面积上制造出超过1亿只以上的晶体管。晶体管的制造过程,主要包括隔离、栅结构、源漏、接触孔等形成工艺,一般称之为前段工艺(FEOL,FrontEndofLine)。单晶硅通过离子注入可形成,N、N+、N-,P、P+、P-等多种不同参杂浓度的半导体,多晶硅则作为栅极或者电阻使用。下图所示...
一文看懂电路三个层次的集成
现在的5nm工艺可以在1mm??毫米的面积上制造出超过1亿只以上的晶体管。晶体管的制造过程,主要包括隔离、栅结构、源漏、接触孔等形成工艺,一般称之为前段工艺(FEOL,FrontEndofLine)。单晶硅通过离子注入可形成,N、N+、N-,P、P+、P-等多种不同参杂浓度的半导体,多晶硅则作为栅极或者电阻使用。下图所示...
电动汽车充电逼近加油速度,要靠功率半导体了|洞见
功率半导体器件又称为电力电子器件,主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件,包括MOSFET(金属氧化物半导体场效晶体管)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、BJT(全程双极性结型晶体管,也就是三极管)、晶闸管、GTO(可关断晶闸管)等种类,目前应用最广泛的就是MOSFET、IGBT与BJT等采用开关模式电源器件。先来说...
碳化硅行业专题分析:国内衬底厂商加速布局
1)第一代半导体材料以硅(Si)、锗(Ge)为代表,广泛应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中,90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的;2)第二代半导体材料以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表,相对硅基器件具有高频、高速的光电性能,广泛应用于光电子和微电子领域;3)第三代半导体材料以碳化硅(SiC)...
LDMOS结构特点和使用优势
这种主要特性允许LDMOS晶体管执行高于双极型晶体管二倍的功率,且线性较好。LDMOS晶体管具有较好的温度特性温度系数是负数,因此可以防止热耗散的影响。这种温度稳定性允许幅值变化只有0.1dB,而在有相同的输入电平的情况下,双极型晶体管幅值变化从0.5~0.6dB,且通常需要温度补偿电路。