三极管的奥秘:如何用小电流控制大电流
N型半导体材料中有很多自由电子,对于三极管来说,特别是发射极,制造环节会进行重度掺杂,是三极管三个区中最多掺杂的,意味着有很多自由电子,很容易被移动并转化为电流。三极管的基区通常非常!非常!非常!薄!现代三极管基区的厚度可能是10纳米到20纳米,而N区的厚度可能为100纳米以上。基区还有一个特点,非常非常轻度掺...
1200V IGBT7和Emcon7可控性更佳,助力提升变频器系统性能(上)
低掺杂(n-)衬底形成PIN二极管的漂移区,顶部的p掺杂区形成二极管的阳极结构。底部有一个更强的n掺杂(n+)区,形成了二极管的阴极。在n-漂移区和n+阴极区之间,合适浓度的n型掺杂实现了FS结构。图5基于PIN结构的二极管设计示意图我们都知道,器件的阻断电压(VR)和关断软度很大程度上受FS设计的影响。为了研...
美国英伟达公司与加拿大Xanadu公司合作在超级计算机上进行量子...
研究人员利用微晶的水下光合成技术来合成掺杂不同浓度铜的钨酸纳米晶体,分析了这些纳米晶体的结构和光吸收性能,并测量了该材料的光热、光辅助水蒸发和光电化学特性。研究人员发现,铜掺杂氧化钨纳米晶体可吸收从紫外线到可见光再到红外线的全光谱太阳能,当铜掺杂量为1%时,红外光吸收量最大,并表现出最大的水蒸发效率...
三极管工作原理是什么
1.在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子及基区的多数载流子很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射...
【光伏技术】高效晶体硅电池技术-发射区扩散
传统工艺对太阳能电池表面均匀掺杂,且为了减少接触电阻、提高电池带负载能力表面掺杂浓度较高。但研究发现表面杂质浓度过高导致扩散区能带收缩、晶格畸变、缺陷增加、“死层”明显、电池短波响应差。PN结技术是国际一流电池制造企业与国内电池企业的主要技术差距。为了在提高电池的填充因子的同时避免表面“死层”,选择性扩散...
常见电子元件的识别与检测
在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)及基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发...
这篇把三极管工作原理分析透彻了!
发射结加上正偏电压导通后,在外加电压的作用下,发射区的多数载流子——电子就会很容易地被大量发射进入基区。这些载流子一旦进入基区,它们在基区(P区)的性质仍然属于少数载流子的性质。如前所述,少数载流子很容易反向穿过处于反偏状态的PN结,所以,这些载流子——电子就会很容易向上穿过处于反偏状态的集电结...
二极管、三极管、晶闸管、MOS管、IGBT的特征、原理及区别讲解
三极管原理:在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)及基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电...
常用半导体器件-晶体三极管学习笔记
1)发射区:发射区掺杂浓度很高,用于发射自由电子2)基区:基区很薄而且杂质浓度很低,发射区发射扩散过来的自由电子一部分将和基区的空穴中和3)集电区:面积很大,自由电子经过基区后,多下来的自由电子由于漂移运动将到达集电区2晶体管的符号
光伏行业深度报告:成结、镀膜、金属化,探究电池技术进步的本质
原因在于:常规晶体硅太阳能电池采用均匀高浓度掺杂的发射极。较高浓度的掺杂可以改善硅片与电极之间的欧姆接触,降低串联电阻,但也容易造成较高的表面复合。为此,需要使用选择性发射极(SE)技术,在金属栅线(电极)与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂深扩散,而在电极以外的区域进行低浓度掺杂浅扩散。