耐化学腐蚀碳化硅陶瓷管的维氏硬度研究

一、耐化学腐蚀碳化硅陶瓷管的基本特性耐化学腐蚀碳化硅陶瓷管是由碳化硅粉末通过高温烧结工艺制成的高性能陶瓷部件。这种材料具有许多独特的物理化学特性,包括极高的硬度、优异的抗弯强度、良好的耐磨损和抗腐蚀性能等。研究表明,碳化硅的维氏硬度约为2500-3500HV,而其HRA值则可以达到惊人的94-96,这一硬度足以应对各...

金博股份:公司碳/陶复合材料由高强度碳纤维、热解碳、碳化硅组成...

孔隙率是多少?耐温能力是多少℃?是否能够满足航空航天热端部件的应用要求?是否考虑在飞行器的机翼前缘、方向舵和推力室方面的应用?或者公司是否具备开发相关应用产品的条件和能力?公司回答表示,尊敬的投资者您好,公司碳/陶复合材料由高强度碳纤维、热解碳、碳化硅组成,其具备低密度、耐高温、磨损性能优异、抗热衰等...

金刚石,功率半导体器件的终极选择!

4、BFOM:目前金刚石二极管和场效应晶体管的BFOM值主要在10至103MV/cm2之间,理想情况下,在最大击穿场强接近10MV/cm时,BFOM值应超过104MV/cm2。金刚石功率半导体可应用场景1、电力电子器件:晶闸管和IGBT:金刚石的高热导率和耐高温特性可以用于制造更高效、更可靠的晶闸管和绝缘栅双极晶体管(IGBT)。功率MOSFET...

碳化硅陶瓷的特点及应用领域

2、化工领域(耐腐蚀、耐磨损、耐高温):1200到1400摄氏度时,普通陶瓷材料的强度会显著降低,但碳化硅在此温度下的抗弯强度仍保持在500到600MPa,使得它的工作温度可以达到惊人的1600到1700摄氏度。化工领域输送的材料比较复杂,有许多带有强酸强碱以及高温的物料,且带有较强磨损,对输送管道要求很高。碳化硅陶瓷管道耐酸碱...

详解第三代半导体材料:碳化硅和氮化镓

硅材料制成的半导体器件不仅耐高温、抗辐射,而且通过使用高纯度的溅射二氧化硅(SiO2)薄膜,显著提升了器件的稳定性和可靠性。硅因其卓越的性能,已成为最广泛使用的半导体材料,目前超过95%的半导体器件和超过99%的集成电路都是由硅材料制成的。尽管在21世纪,硅在半导体行业的领导和核心地位保持不变,但其物理特性限制了...

新能源汽车快充行业深度报告:电动汽车20时代必争之地

比亚迪的刀片电池是拳头产品,它是叠片式结构,以磷酸铁锂为材料体系,这种材料本身就比三元材料更耐高温(www.e993.com)2024年11月25日。而且刀片电池没有模组化设计,是由电池直接组成的,还均匀地排列在电池包里,这样散热就更好。现在比亚迪汉EV用的就是刀片电池,补贴后卖20.98万,综合情况下能续航506千米,充电10分钟最多能开135千米。2.2.3...

【复材资讯】更新至299种重点新材料,碳纤维、石墨烯、碳纳米管...

(2)掺杂型三代连续碳化硅纤维:单纤维直径为8±1.0μm,密度为3.10±0.15g/cm3,单丝拉伸强度≥2.8GPa,束丝拉伸强度≥2.6GPa,拉伸弹性模量≥360GPa,断裂伸长率≥0.8%,SiC晶粒尺寸≥30nm,碳硅原子比为1.05～1.2,氧含量≤0.8%,掺杂元素≤3wt.%,耐温性能(1500℃氩气1h,强度保留率≥80%),抗氧化...

【产业研究】高压快充趋势及产业链降本,加速碳化硅产业进展——新...

3)更大禁带宽度,耐高温。更大的禁带宽度可以保证材料在高温下,电子不易发生跃迁,本征激发弱,从而耐受更高的工作温度。碳化硅的禁带宽度约为硅的3倍,硅器件的极限工作温度一般不能超过300℃,而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600℃以上,高热导率也将带来功率密度的提升和热量的更易释放,冷却部件可小型化,...

粉末挤出3D打印工艺为碳化硅热交换器件制造提供新途径

碳化硅陶瓷是一种具有着高强度、高导热、耐酸碱腐蚀特性的材料,它在使用的过程中能够很好地适应外界的环境,被业内认为是最佳的防腐蚀换热材料。普通陶瓷材料在1200~1400℃时强度将显著下降,而碳化硅陶瓷在1400℃时抗弯强度仍保持在500~600MPa的较高水平,其工作温度可达1600~1700摄氏度,且不会被熔化损伤,稳定性强;...

全球芯片正在破局……

相较于硅基器件，碳化硅材料制成的功率器件具备耐高压，耐高温，低能耗，小型化的特点，目前已被广泛应用于电动/混动汽车、充电桩/充电站、高铁轨交、光伏逆变器中；氮化镓材料通过外延层结构的不同，可以制成功率、射频、光电器件。现行氮化镓功率组件，分为硅基氮化镓及碳化硅基氮化镓两种晶圆，其中硅基氮化镓在面积...