钙钛矿行业专题分析:光伏电池的“明日之星”
晶硅组件温度系数大概是-0.3,这就是说,温度每升高1度,功率就会降低0.3%。这么讲吧,如果出厂标定的效率是20%,在实际使用的时候,温度一旦升到75度,效率差不多就只剩下16%或者17%了。钙钛矿温度系数是-0.001,特别接近0,所以它的实际发电效率就会明显比晶硅高。钙钛矿是人工合成的,能选择的原材料范围...
光伏行业深度报告:成结、镀膜、金属化,探究电池技术进步的本质
为啥呢?因为硼原子在硅基体里的固溶度低,这就使得硼扩的时候温度必须在1000℃以上。而且表面掺杂量多的时候,很容易在表面形成硼堆积,也就是富硼层(BRL),这对后面的清洗是个难题。硼扩现在有BBr3和BCl3这两种路线。BBr3在常温下是液体,安全性还不错,不过它产生的B2O3是黏糊糊的,得用DCE清洗,维护起来成本高...
预算7.42亿元!复旦大学近期大批仪器采购意向
测试范围1-25微米;温度范围RT-800度;分辨率:≤0.10cm-1;灵敏度:峰-峰信噪比≥60000:1。3202024年12月107MBE原位输运测量四探针同时可扫描,样品精度:±4mm;针尖定位:采用光学显微镜双扫描管结构,可以安装到现有超高真空系统上的一个小型超高真空原位四探针测量装置。可以对一些超高真空中制备的,不宜...
3C行业专题报告:AI推动+技术创新,关注消费电子设备需求
但是金刚石的耐热温度只有700~800℃,加工时必须进行充分的冷却和润滑。3)聚晶立方氮化硼(PCBN)刀具具有高硬度、热稳定性好等优势。立方氮化硼硬度略低于金刚石,但远高于其他高硬度材料,而且PCBN刀具耐热性比金刚石更优,可达到1200℃以上,同时化学性能稳定,与钛合金在1200℃不起化学反应。相比硬质合金刀...
3D芯片,续写摩尔定律|晶体管|低功耗_网易订阅
介电层沉积后,需要在温度为400℃的退火过程中沉积阻挡层,以防止Cu原子从CuTSV中扩散。此外,阻挡层还是介电层和铜层之间的粘附层。作为阻挡层的常用材料有钛、钽、氮化钛和氮化钽。通过PVD工艺可以沉积钛和钽,这种方法在工艺过程中具有低温的优点,但对于高深宽比的刻蚀,其步长覆盖率较差。因此,往往需要沉积较厚...
半导体专题:一文看懂薄膜生长
(3)激光热蒸发:使用激光将源材料加热到蒸发温度,然后将蒸发的材料沉积在基底上(www.e993.com)2024年10月26日。这种方法通常用于高融点和难以蒸发的材料。PVD的优势包括对高熔点材料的处理、薄膜成分的精确控制以及高真空条件下的操作。2.2化学气相沉积(CVD)化学气相沉积是通过在气体中引入化学气体,并在表面上发生化学反应来形成薄膜的技术。CVD...
同飞股份2023年年度董事会经营评述
在半导体器件制造的晶体生长、滚圆、切片、清洗、研磨、抛光、退火、涂胶、光刻、显影、刻蚀、物理气相沉积(PVD)/化学气相沉积(CVD)、离子注入、划片、键合、分选、封装等芯片制作环节,以上各环节有严苛的工艺温度要求,必须引入温控设备,以保障半导体器件制造设备高效稳定运行。
汽车冲压模具的TD与PVD处理区别
处理的温度及处理后工件的变形量:因为TD处理温度是在1000°C左右,PVD处理的温度是在500°C左右,所以TD处理的工件变形量相较于PVD处理要大。PVD处理变形量小,甚至小的工件是没有变形量(一般控制在0.02MM)。某车型针对拉毛严重区域将翻边整形刀块TD处理...
什么是PVD水镀,真空镀,溅镀、涂镀区别
PVD技术具有镀膜层致密均匀、附着力强、镀性好、沉积速度快、处理温度低、可镀材料广泛等特点。因此,PVD技术被广泛用于表面处理工程领域,是较佳选择之一。另外,PVD本身的镀膜过程也是高温状态下,等离子场下的辉光反应,具有高净化处理过程。此外,PVD产品的主要原材料是钛金属,钛是金属中最具有人体皮肤亲和力的一种金属...
深耕PVD镀膜材料二十载,阿石创:技术延伸,PET铜箔业务有望崛起
由于溅射镀膜工艺起源于国外,所需要的溅射靶材产品性能要求高、专业应用性强,因此,长期以来全球溅射靶材研制和生产主要集中在美国、日本少数几家公司,产业集中度高,以霍尼韦尔(美国)、日矿金属(日本)、东曹(日本)等为代表。这些企业,经过几十年的技术积淀,凭借其雄厚的技术力量、精细的生产控制和过硬的产品质量居于全...