起底RAMXEED:一场关于铁电随机存储器(FeRAM)的革

FeRAM同时结合了易失性存储器、非易失性存储器的特点。首先,FeRAM的读写速度达到纳秒级,远超NORFlash和EEPROM;其次,FeRAM的读写耐久性极高,读写次数有1014之多,某种程度上相当于无限次读写,这是EEPROM和NORFlash所无法比拟的;最后,FeRAM还具有低功耗的特点。基于这些特点,FeRAM虽然目前份额不大,但却因为...

长鑫存储公司获半导体存储器专利,为行业创新注入新动力

根据公开信息,半导体存储器的创新主要体现在其存储密度、读写速度和能效比等几个关键指标上。长鑫存储的研发团队致力于解决传统存储器在这些方面的技术瓶颈。例如,提升存储密度能够使得更少的物理空间容纳更多数据,这对智能手机、平板电脑和服务器等移动设备来说,是至关重要的。除了存储器的物理特性外,长鑫存储还在研发...

长鑫存储再创新高,成功获得存储器及其制作方法专利

存储器的关键特性,如读写速度、耐久性、功耗等都有可能得到显著提升,这不仅使得存储器在智能手机、电脑等传统领域的表现更为出色,还可能推动云计算、大数据等新兴领域的发展。近年来,随着数据量的激增,对高性能存储解决方案的需求日益增长,长鑫存储的创新正是应对这一市场需求的重要举措。在全球存储器市场竞争愈发激烈...

存储器新技术:FeRAM的高可靠性和无延迟

●高速读写:FeRAM能够实现纳秒级的数据读写速度,这在需要快速存取数据的应用中极为关键。例如,在智能电网或工业自动化控制中,数据存储的延迟可能导致系统反应滞后,而FeRAM的高读写速度确保了数据的及时传输。●高耐久性:FeRAM具有超高的写入耐久性,读写次数达到1013到1014次,几乎可视为无限次写入。这种特性在需要频...

2024 年全球存储器市场销售额有望增长 61.3%,新型存储器迎来发

FeRAM的读写速度为纳秒级，远高于NORFlash。读写次数达到1014或1013次，从某种意义上相当于无限次。不过NORFlash一般都有使用次数的限制。基于这两个特性，FeRAM可用于实时写入、掉电保护等需要快速非易失性存储且读写次数较多的应用场景（如智能卡、计量设备、汽车中的事件数据记录器）。具有不可替代的绝对优势。

新存科技公布国产新型 3D 存储器参数:最高 IO 速度 3200MT/s

新存科技表示NM101基于新型材料电阻变化原理，支持随机读写，相比同类产品读写速度均可提升10倍以上、寿命也可增加5倍，可搭配业界合作伙伴的控制芯片，应用于企业级或消费级高性能存储产品的开发(www.e993.com)2024年11月24日。另据《湖北日报》报道，新存科技的NM101芯片属于相变存储器（PCM，PhaseChangeMemory），这点与英特尔、...

国内首条!昕原半导体28/22nm ReRAM 12寸中试线通线试产

公司开发的ReRAM存储器具有密度高、能耗低、读写速度快及下电数据保存的特点,可形成未来存储架构的最后一级缓存(FLC,FinalLevelCache),消除内存与外存间的“存储墙”。作为最具潜力的下一代主力存储器,ReRAM能广泛应用于人工智能、工业控制、消费电子、汽车、物联网、云计算等领域。

新存科技公布国产最大容量新型 3D 存储器芯片参数:最高 IO 速度...

可以看到NM101采用SLC存储单元类型,最高IO速度(I/O接口速率)3200MT/s,总线位宽为×8,IO为1.2V,支持0℃~+70℃运行温度。新存科技表示NM101基于新型材料电阻变化原理,支持随机读写,相比同类产品读写速度均可提升10倍以上、寿命也可增加5倍,可搭配业界合作伙伴的控制芯片,应用于企业级...

旺宏电子获新专利,存储器装置制造再次升级

在当前智能设备和物联网(IoT)快速发展的背景下,存储器作为基础组件,其技术进步直接关系到终端设备的性能提升。旺宏的这项专利,可能包含了改进存储器读写速度、降低能耗、提高数据存储密度等创新特性。这些特性对于支持5G、人工智能和边缘计算等新兴应用具有重要意义。

打破国际垄断!国产最大容量新型存储器芯片面世:存10GB仅需1秒

快科技10月2日消息，据媒体报道，新存科技自主研发的国产最大容量新型三维存储器芯片“NM101”面世，有望结束国际巨头的长期垄断局面。新存科技总经理刘峻透露，“NM101”芯片的容量达到64GB，是国内同类产品的数十倍，同时支持随机读写。与国内现有同类产品相比，其存储速度提升了10倍以上，使用寿命增加了5倍，意味...