2024 年全球存储器市场销售额有望增长 61.3%,新型存储器迎来发

FeRAM的读写速度为纳秒级，远高于NORFlash。读写次数达到1014或1013次，从某种意义上相当于无限次。不过NORFlash一般都有使用次数的限制。基于这两个特性，FeRAM可用于实时写入、掉电保护等需要快速非易失性存储且读写次数较多的应用场景（如智能卡、计量设备、汽车中的事件数据记录器）。具有不可替代的绝对优势。

万润科技:进一步加大力量和加快速度发展半导体存储器业务,切实做...

进一步加大力量和加快速度发展半导体存储器业务,切实做大做强以LED、存储半导体电子产业为主的新一代信息技术主产业,加快实现转型升级和高质量发展;公司2024年上半年在半导体存储器业务上所做的主要工作及进展请您关注公司2024年半年度报告。

华为公司申请存储阵列及其制作方法、存储器、电子设备及读写方法...

金融界2024年3月29日消息,据国家知识产权局公告,华为技术有限公司申请一项名为“存储阵列及其制作方法、存储器、电子设备及读写方法“,公开号CN117794247A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示,本申请实施例属于存储设备技术领域,具体涉及一种存储阵列及其制作方法、存储器、电子设备及读写方法。本申请实施例旨在解决存储...

AI大模型需要新型存储器!北京大学唐克超老师谈FeRAM铁电存储器...

MRAM是当前主流非易失性存储器中能与DRAM和SRAM读写速度相提并论的存储器,能满足从缓存到内存的非易失存储需求。MRAM有望根据不同的带宽需求逐步替代现有的不同类型的存储器,如SRAM、DRAM以及Flash等。MRAM的优势在于它在具有非易失性的同时在速度、功耗、成本上较为折中,因而得以具有广泛的应用前景。面对巨大...

MRAM,新兴的黑马

1956年,IBM推出世界上第一个硬盘驱动器——RAMAC305,可以存储5MB的数据,传输速度为10K/s。虽然这款硬盘体积巨大如同两台冰箱,重量超过一吨,但是却标志着磁盘存储时代的开始。此后,随着科技的进步,内存技术逐渐发展。动态随机存取存储器(DRAM),具有较快的读写速度,能够满足计算机系统在运行过程中对数据的快速...

动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)区别?

DRAM和SRAM主要有以下一些区别：速度：SRAM速度快，DRAM相对较慢(www.e993.com)2024年11月28日。集成度：DRAM集成度高，可以在较小的空间内存储更多数据；SRAM集成度较低。成本：DRAM成本较低，SRAM成本较高。刷新：DRAM需要定期刷新来保持数据，SRAM则不需要刷新。功耗：一般情况下，SRAM的功耗相对较高，DRAM功耗较低。应用...

下一代HBM存储器开始量产 首批产品将交付英伟达

HBM（高速宽带存储器）是面向AI的超高性能DRAM产品，也是当下存储厂商的竞争焦点，该存储器供应市场由SK海力士（53%）、三星（38%）和美光（9%）三大存储巨头主导。通过垂直连接多个DRAM，HBM可显著提升数据处理速度，实现小体积、高带宽和高速传输，满足高性能AI服务器GPU需求。HBMDRAM产品以HBM（第一代）、HBM2（...

国内存储新秀康芯威授权世强硬创,代理eMMC、UFS存储器等产品

其eMMC存储器采用40纳米设计,具备读写速度快且可靠性强的等性能优势。不仅支持目前规范高的HS400标准,在速度和后期流畅度上都做到了行业先进水平,还在固件中加入断电保护、坏块监测等算法,大大提高了产品可靠性。非常适用于汽车电子、网络摄像头、Wifi6、无人机、智能物联网终端、AR/VR、电视、手机、机顶盒、平板电...

新兴存储,冰火两重天

非易失性:FeRAM最显著的特点是其在断电后数据不会丢失,是非易失性存储器;高速读写:FeRAM的读写速度相对较快,存取时间通常在50ns左右,循环周期约为75ns,这使得它在需要快速数据访问的场合具有优势;寿命长:FeRAM具有较高的读写耐久性,通常能够达到数十亿次的读写循环,远超过传统的EEPROM和闪存;...

荣威RX5 MAX版智驾域控制器拆解分析

存储容量大小:32GB读写速度:4266Mbps作用:①、LPDDR4可提供快速的存储访问速度和高带宽,自动驾驶系统需要实时地感知和分析车辆周围的环境数据,包括图像、雷达数据等。LPDDR4的高速读写能力可以加快数据在存储器和处理器之间的传输速度,从而提高系统的响应速度和实时性能。②、LPDDR4具有低功耗的特点。自动驾驶系统需...