更适合大功率供电的选择,四款可控硅获高速电吹风采用

MOS管开关速度更快,被用于构建逻辑门、存储器芯片和微处理器等数字电路。但可控硅的工作原理基于PN结组成的四层结构,该结构在正向电流注入时会形成一种相互注入的状态,从而实现导通,同时,可控硅也需要一个触发电压来将其从阻断状态切换到导通状态。可控硅能够控制大功率电流,在交流电调光、交流电机变速等场景更加常用...

吃透MOS管,看这篇就够了

2)、开关速度快:MOSFET的开关速度和输入的容性特性的有很大关系,由于输入容性特性的存在,使开关的速度变慢,但是在作为开关运用时,可降低驱动电路内阻,加快开关速度(输入采用了后述的“灌流电路”驱动,加快了容性的充放电的时间)。MOSFET只靠多子导电,不存在少子储存效应,因而关断过程非常迅速,开关时间在10—100ns...

【干货】使用 MOS管构建双向逻辑电平转换器

转换速度与MOS管的开关速度相同。因此,在上面的案例中,根据BS170数据表,MOS管的导通时间和MOS管的关断时间如下所述。这里的MOS管需要10nS开启和10nS关闭,这意味着它可以在一秒钟内打开和关闭10,00,000次。假设我们的通信线路以每秒115200位的速度(波特率)运行,那么这意味着它在一秒钟内仅打开和关闭1,15...

从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。

MOSFET的开关速度和输入的容性特性的有很大关系,由于输入容性特性的存在,使开关的速度变慢,但是在作为开关运用时,可降低驱动电路内阻,加快开关速度,输入采用了后述的灌流电路驱动,加快了容性的充放电的时间。MOSFET只靠多子导电,不存在少子储存效应,因而关断过程非常迅速,开关时间在10—100ns之间,工作频率可达100kHz...

亚成微申请分离栅MOSFET结构及其制备方法专利,专利技术能达到更高...

本发明的分离栅MOSFET结构具有更高的耐压、更快的开关速度和更小的开关损耗。

为什么在MOS管开关电路设计中使用三极管容易烧坏?

MOS管作为一种常用的开关元件,具有低导通电阻、高开关速度和低功耗等优点,因此在许多电子设备中广泛应用(www.e993.com)2024年11月4日。然而,在一些特殊情况下,我们需要在MOS管控制电路中加入三极管来实现一些特殊功能。然而,不同于MOS管,三极管在工作过程中会产生较大的热量,因此容易烧坏。接下来,我将详细解释为什么在MOS管开关电路设计中使用三极管...

MOS管及其外围电路设计

R7作用:防静电影响MOS,管子的DG,GS之间分别有结电容,DS之间电压会给电容充电,这样G极积累的静电电压就会抬高直到mos管导通,电压高时可能会损坏管子.同时为结电容提供泄放通道,可以加快MOS开关速度。阻值一般为几千左右。R6和D3作用:在MOS关断时,这个回路快速放掉栅极结电容的电荷,栅极电位快速下降,因此可以加快...

MOS管的核心参数解析(导通电阻与栅极电荷)

MOS管的核心参数解析(导通电阻与栅极电荷)功率管的最主要的应用是控制电流的通断,即在一定的电压条件下对流经器件的电流进行开关控制。首先,在可以承受的击穿电压的前提下(即器件的工作电压平台),器件导通电阻越低,其导通损耗就越低。其次,器件在开关状态间切换时,栅极电荷越小,器件的开关速度就越快,其动态...

干货| MOS管防护电路解析

虽然漏源击穿电压VDS一般都很大,但如果漏源极不加保护电路,同样有可能因为器件开关瞬间电流的突变而产生漏极尖峰电压,进而损坏MOS管,功率管开关速度越快,产生的过电压也就越高。为了防止器件损坏,通常采用齐纳二极管钳位(图中D901)和RC缓冲电路(图中C916,R926)等保护措施,实测加上稳压管(D901)的效果要比加上RC...

为什么MOS管需要提升关断速度?如何解决这个问题?

说起mos管关断,通常电压会比开通时高,所以关断的损失也会比开通时大,所以我们自然希望电路关断的速度能更快些。那么,咱咋能让mos管快些开关呢?咱们看看这张图在mos管开通时,电阻R1和R4限制了电流,这样就能给mos管电容充电;要注意的这儿,R1和R4的电阻值并非固定,而且,R1通常小于R4。