【突破】工信部推广国产重大技术装备突破,套刻精度≤8nm的光刻机...
《目录》中的电子专用装备目录下提到,集成电路生产设备方面包括化氟化氪光刻机,光源248纳米,分辨率≤110nm,套刻≤25nm;氟化氩光刻机,光源193纳米,分辨率≤65nm,套刻≤8nm。除了光刻机,其他集成电路生产设备还包括硅外延炉、湿法清洗机、氧化炉、涂胶显影机、高能离子注入机、低能离子注入机、等离子干法刻蚀机、特...
工业制造新动力:探索激光刻蚀机的创新特点
首先,激光刻蚀机能够实现微米甚至纳米级别的加工精度,这对于需要精细加工的领域具有重要的意义。这种精度的实现,依赖于激光束的聚焦能力,以及对激光能量和脉冲宽度的精确控制。通过精确的控制,激光刻蚀机能够在材料表面实现精细的图案和文字。其次,激光刻蚀机的高效率体现在其加工速度上。与传统的机械加工相比,激光刻蚀机...
高精度加工的未来:激光刻蚀机在现代工业中的应用
聚焦后的激光束具有极高的能量密度,足以使材料表面迅速熔化、蒸发或发生化学反应,从而实现刻蚀。激光刻蚀的过程可以精确控制,因此能够实现非常精细的加工效果。激光刻蚀机的特点在于其高精度和高效率。由于激光束的聚焦直径可以非常小,因此可以实现微米甚至纳米级别的加工精度。此外,激光刻蚀的速度非常快,可以在极短的时...
套刻精度达到≤8nm!首台国产DUV光刻机问世,欧美市场反应强烈
9月初,工信部发布了《首台(套)关键技术与装备推广应用指导目录(2024年版)》,其中就有国产光刻机,氩氟化氩光刻机,其波长193nm,分辨率低于65纳米,刻蚀精度可达8纳米!这份目录一经公布,就在国际上引起了极大的关注。对于8nm以下的刻蚀精度,很多人都以为刻蚀精度是指8nm以下的芯片,但实际上并不是这样...
从光刻机讲起,半导体前道设备国产化进度揭秘
就目前市场竞争格局而言,海外厂商如AMAT、ASMI、Lam、TEL等占据薄膜沉积设备大部分市场份额。但国内薄膜沉积设备技术进展良好,拓荆科技、北方华创等厂商已顺利导入国内先进制程产线,产品精度可用于14nm及以上芯片的制造。刻蚀是指使用化学或物理方法有选择地在硅片表面去除不需要的材料的过程,根据工艺的不同,刻蚀机可以...
半导体刻蚀设备行业报告:制程微缩叠加3D趋势,市场空间持续拓宽
干法刻蚀精度更高,已成为主流技术,占比超90%刻蚀可分为湿法刻蚀和干法刻蚀(www.e993.com)2024年10月2日。湿法刻蚀各向异性较差,侧壁容易产生横向刻蚀造成刻蚀偏差,通常用于工艺尺寸较大的应用,或用于干法刻蚀后清洗残留物等。干法刻蚀是目前主流的刻蚀技术,占比超90%,其中以等离子体干法刻蚀为主导。等离子体刻蚀设备是除光刻机以外最...
源达研究报告:国内光刻机发展道阻且长,国产突破行则将至
前道晶圆加工的主要工序包括光刻、刻蚀和薄膜沉积等,其特点是对晶圆加工精度要求极高,通常在几十至几百纳米;并且部分工序需要多次进行,对设备产能效率要求高。上述原因也导致用于前道晶圆加工的半导体设备价格高昂,一条产能1万片/月的12英寸晶圆产线设备投资额在数十亿元。二、光刻机是半导体设备明珠...
工信部公开推广两款国产DUV光刻机!最小套刻≤8nm!多只光刻机概念...
据民生证券研报,该型号可实现2.5nm的套刻精度(MMO)。据东海证券援引ASML官网数据,2023年各类光刻机均价为EUV(17386万欧元)、ArFi(7196万欧元)、ArFdry(2742万欧元)、KrF(1192万欧元)、i-Iine(399万欧元)。东海证券认为,目前光刻机国产化率仅为2.5%,整机技术与海外差距较大,短期5~10年内一方面重点发展90...
分辨率≤65nm,国产光刻机迎来里程碑突破
IT之家的家友们可能对于“套刻精度≤8nm”这个参数有所疑问,这里我们就要从多重曝光工艺聊起。ASML浸润式DUV光刻机的分辨率为≤38nm,但是却可以支撑台积电N7工艺的生产,靠的就是多重曝光技术。常见的多重曝光技术有LELE、LFLE和SADP三种。-LELE:光刻-刻蚀-光刻-刻蚀在同一衬底...
国产蚀刻机龙头中微公司两高层辞任核心技术职务!
凭借行业首创的刻蚀设备双台机技术,中微公司率先提出“皮米级”加工精度概念,其刻蚀精度已达到100“皮米”以下水平,且产品具备刻蚀应用覆盖丰富等优势,可满足90%以上的刻蚀应用需求,技术能力已覆盖5纳米及以下更先进水平。MOCVD设备方面,中微公司已在氮化镓及LED设备市场,取得具有优势的占有率。在半导体薄膜沉积设备领域...