禁令方向反了?国产光刻机获突破,套刻精度小于8nm

相比俄罗斯的速度我国其实快了很多，ASML曾表示就算给我们图纸也造不出光刻机，如今套刻精度≤8nm的氟化氩光刻机和套刻精度≤25nm的氟化氪光刻机横空出世，他们均代表着国内光刻机最先进的技术，硬生生打了所有质疑者的脸。尽管国产光刻机仍与世界先进水平有不小的差距，但28nm及以上的水平已经够用了，除了智能手...

中国光刻机再创辉煌:从436纳米到7纳米,国产技术直逼阿斯麦

近日，工信部发布的相关文件提到了氟化氩和氟化氪两款光刻机的精度能够达到8纳米以下。为了更直观地理解这一进展，可以将其与荷兰ASML公司推出的DUV光刻机——NXE:1980Di进行对比，其官方称其套刻精度为3.5纳米。由此可见，虽然我国新推出的DUV光刻机在多重曝光时的精度稍微落后于ASML的产品，但我们必须诚实面对这...

六台光刻机!中企正式宣布,外媒:ASML果然是加速了

2024年4月1日,六台国产光刻机正式下线,引发全球关注。这些光刻机采用先进的EUV技术,精度达到业界领先水平。首批光刻机将投入国内芯片制造企业使用,预计年底实现量产。国产光刻机的问世,给国内芯片制造商带来新的选择。过去依赖进口设备的局面有望改变,大幅降低生产成本。更重要的是,这为中国芯片产业自主创新奠...

从光刻机讲起,半导体前道设备国产化进度揭秘

很明显,公开的氟化氩光刻机是一台ArFDry光刻机,其精度极限可以理解为65nm制程。坦白来说,公开的设备距离海外先进水平仍有非常大的差距。但考虑到中试线和在研线,乐观预期下,国内已初步在成熟制程上具备替代的能力。半导体设备可以初步分为半导体前道设备、半导体后道设备、半导体设备零部件。其中半导体前道...

源达研究报告:国内光刻机发展道阻且长,国产突破行则将至

光刻机分辨率≤65nm、套刻≤8nm。若按照套刻精度与量产工艺约1:3的关系,氟化氩光刻机有望用于28nm芯片产线中的部分工艺。此外根据有关报道,上海微电子正在进行28nm浸没式光刻机样机的研发生产。投资建议在光刻机关键系统中,建议关注:福晶科技(32.860,0.47,1.45%)(光源);富创精密(72.910,4.41,6.44%)、...

关于国家工信部突然官宣的“国产光刻机”,你需要知道的10件事

“此次官宣的国产光刻机,是一个套刻≤8nm,分辨率65nm,干式,波长193nm,DUV光刻机(www.e993.com)2024年11月15日。”句子不算长,没有一个生僻字。但,如果不是对这行有了解的专业人士,有多少人能看懂?又能看懂多少个词?或许,要真的对这件事有概念,不被轻易带节奏,至少得先了解10件事。

国产光刻机“套刻≤8nm”意味着什么

《中国经营报》记者注意到,该文件一经发布后,关于国产光刻机取得大突破的言论“喜大普奔”,还有人把“套刻≤8nm”误认为8nm光刻机。事实上,套刻精度指的是每一层光刻层之间的对准精度,而≤8nm的套刻精度并不一定代表能制造8nm工艺的芯片。“光刻机套刻小于8纳米,逻辑上对应的区间,也能上到成熟区间,甚...

中国高端光刻机问世,分辨率突破65纳米,能制造8纳米的芯片吗

为了让一束光能够在纳米尺度的范围内精确雕刻芯片线路,光刻机必须使用由多达几十枚顶级镜片组成的光学系统。此前,全球只有极少数国家的企业掌握了这种光学镜片的制造技术,而中国必须在完全封锁的环境中自行开发。从光源、镜片到机床的精度控制,每一个部件的突破都代表着中国科研团队跨越了国际技术封锁的障碍。

里程碑突破:国产大芯片光刻机首度交付,挑战国际巨头ASML

从性能数据上看，这款光刻机的套刻精度已突破至8纳米以下，这是一项极为关键的技术指标，直接关系到芯片制造过程中的图形对齐精度，误差控制在微小的8纳米之内，确保了芯片的高质量与高性能。而其分辨率则达到了令人惊叹的65纳米以下，这一水平不仅展现了光刻机的高超技艺，更意味着能够精准地在晶片上刻划出极为...

美论坛惊讶,中国怎敢擅自研发光刻机?国产光刻机官宣,打谁的脸

01中国工信部宣布氟化氩193nm波长、8nm的套刻精度光刻机已进入推广目录,标志着国产光刻机取得重大突破。02尽管与国外先进光刻机存在较大代差,但28nm光刻机的突破意味着中国在众多工业化领域已实现自主。03由于国内对光刻机的需求极度迫切,产业前进速度往往比预想中快,光刻机突破打破芯片制造瓶颈指日可待。