光刻技术,有了新选择

光源的波长是影响光刻精度的主要原因，由于光源波长的限制，X射线曝光可达到50nm左右的精度，深紫外光源的曝光精度在100nm左右，而电子的波长较小，因而电子束光刻的加工精度可以达到10nm以内。电子束光刻以其分辨率高、性能稳定，成本相对较低的特点，因而成为人们最为关注的下一代光刻技术之一。电子束光刻按照曝光方式...

光刻技术,有了新选择|光刻机_新浪财经_新浪网

光源的波长是影响光刻精度的主要原因,由于光源波长的限制,X射线曝光可达到50nm左右的精度,深紫外光源的曝光精度在100nm左右,而电子的波长较小,因而电子束光刻的加工精度可以达到10nm以内。电子束光刻以其分辨率高、性能稳定,成本相对较低的特点,因而成为人们最为关注的下一代光刻技术之一。电子束光刻按照曝光方式划...

光刻技术,有了新选择_投资界

光源的波长是影响光刻精度的主要原因,由于光源波长的限制,X射线曝光可达到50nm左右的精度,深紫外光源的曝光精度在100nm左右,而电子的波长较小,因而电子束光刻的加工精度可以达到10nm以内。电子束光刻以其分辨率高、性能稳定,成本相对较低的特点,因而成为人们最为关注的下一代光刻技术之一。电子束光刻按照曝光方式划...

光刻技术,有了新选择-36氪

光源的波长是影响光刻精度的主要原因,由于光源波长的限制,X射线曝光可达到50nm左右的精度,深紫外光源的曝光精度在100nm左右,而电子的波长较小,因而电子束光刻的加工精度可以达到10nm以内。电子束光刻以其分辨率高、性能稳定,成本相对较低的特点,因而成为人们最为关注的下一代光刻技术之一。电子束光刻按照曝光方式划...

冠石半导体入场首台先进电子束掩模版光刻机

近日，宁波冠石半导体有限公司迎来关键节点，企业引入首台电子束掩模版光刻机。据悉，该设备是光掩模版40纳米技术节点量产及28纳米技术节点研发的重点设备。宁波冠石半导体公司是一家专业从事半导体光掩模版制造的企业，企业主要从事45-28nm半导体光掩模版的规模化生产。光掩模版是微电子制造中光刻工艺所使用的图形转移工具...

光刻技术的过去、现在与未来

光刻或电子束曝光:利用光刻或电子束曝光技术将设计好的图案投射到掩模上(www.e993.com)2024年11月25日。这个步骤需要高精度的设备和技术,确保掩模上的图案与设计的图案完全一致。图案检验与修正:制作完成后,掩模需要进行严格的检验和修正。利用显微镜等工具检查掩模上的图案是否与设计一致,如果存在缺陷或不符合要求,则需要进行修正。

光刻技术,有了新选择_腾讯新闻

光源的波长是影响光刻精度的主要原因,由于光源波长的限制,X射线曝光可达到50nm左右的精度,深紫外光源的曝光精度在100nm左右,而电子的波长较小,因而电子束光刻的加工精度可以达到10nm以内。电子束光刻以其分辨率高、性能稳定,成本相对较低的特点,因而成为人们最为关注的下一代光刻技术之一。

光刻技术,有了新选择_腾讯新闻

光源的波长是影响光刻精度的主要原因,由于光源波长的限制,X射线曝光可达到50nm左右的精度,深紫外光源的曝光精度在100nm左右,而电子的波长较小,因而电子束光刻的加工精度可以达到10nm以内。电子束光刻以其分辨率高、性能稳定,成本相对较低的特点,因而成为人们最为关注的下一代光刻技术之一。

天价EUV光刻,何去何从?

与此同时,EUV双重图案化需要许多额外的制造工艺步骤,通常包括CVD图案化薄膜沉积,CMP清洁,光刻胶沉积和去除,EUV光刻,电子束计量,图案化薄膜蚀刻和晶圆清洁等。对于其所取代的每个EUV双图案序列,Sculpta系统可以为芯片制造商提供:每月生产能力每10万片晶圆可节省约2.5亿美元的资本成本...

光刻工艺技术专题(三):低成本光刻技术之激光直写光刻

目前光学无掩模光刻的性能还不能满足先进半导体制造的需求。激光直写光刻的分辨率虽比不上聚焦电子束光刻,但它仍然被广泛应用于制造低分辨率光刻掩模、印刷电路板,以及用于各种需要低成本且高度设计灵活性的研发应用场合。先进商用激光直写光刻机采用波长可见光(如405nm)和DMD来动态地生成图形,分辨率和产率可满足许多应用...