禁令方向反了?国产光刻机获突破,套刻精度小于8nm

目前而言，光刻机禁令只能用“疯狂”来形容，从原来的EUV禁令到如今的DUV禁令，其跨越高端、中端、中低端、低端等多个级别，去年年末2000i及以上先进设备被停止供货，如今1980i及以下型号的旧款光刻机的售卖也被限制了，更离谱的是断供设备还不够，美还督促荷兰ASML对华断供光刻机零部件、配件，甚至连售后维修服...

我没绷住,外行人也想说说工信部公布的国产光刻机

套刻≤8nm，这个参数，被很多自媒体解说为我们自己的光刻机可以生产8nm精度以下的芯片。03这次公布的光刻机进步多大？有进步，进步多大呢？我们国家过去是90nm光刻机，现在是65nm光刻机，但是这个光刻机是干式的，通过套刻8nm精度可以生产28nm芯片。什么意思呢？就是一张盘受65nm精度限制无法一次刻蚀小于65...

国产光刻机官宣后,一个奇怪现象:国外网友沸腾,美荷却沉默了

首先,国产光刻机技术突破或在美荷的预期之内,从这次“氟化氩光刻机”的参数来看,300mm晶圆、193nm波长,其分辨率≤65nm,套刻≤8nm。这只是ArF的DUV光刻机,用来加工12寸晶圆,按套刻精度与量产工艺1:3的关系,这个光刻机大概可以量产28nm工艺的芯片,这说明,这是一款相对初级的DUV光刻机,没法用来加工7nm...

国产光刻机突破28nm了吗

通知文件的“电子专用装备”的第一项即“集成电路生产装备”,其中明确提到氟化氪(KrF)光刻机和氟化氩(ArF)光刻机的技术指标,尤其是氟化氩光刻机,文件标明其波长为193nm、分辨率≤65nm、套刻≤8nm,这也被外界理解为国产DUV光刻机取得重大突破,甚至传出了国产DUV光刻机突破8nm工艺的说法。那么,工信部的这份通知...

国产套刻8nm光刻机引争议,我们追赶对象真的是ASML吗?

我们这里只是简单说下人家得出的结论。此次国产套刻指标≤8nm的氟化氩光刻机,实际制程约为55nm,技术水平仅相当于ASML于2015年二季度出货的TWINSCANXT1460K,甚至部分关键指标不如ASML2006年推出的干式DUV光刻机XT1450,所以总体差距在15—20年。对标有失偏颇,曝出尼康NSR-S636E狠角色...

「一水」国产光刻机落后20年?回答几个大家比较关心的问题。

从工信部公布文件的参数来看,这台光刻机的最小分辨率是65nm,最小套刻精度是8nm(www.e993.com)2024年11月1日。在国产光刻机工件台唯一供应商华卓精科的招股书中有这么一段话,公司研发的DWS系列纳米精度运动及测控系统主要适用于「干式步进式扫描光刻机」,可用于65nm及以上工艺节点IC前道光刻机。

ASML好日子到头了?工信部官宣新目录,国产DUV光刻机赫然在列

根据目录中的介绍获悉，这次突破的氟化氩光刻机精度突破到了8nm以下，相当于是65nm分辨率水平，而其中显示的Arf光刻机就是我们常说的DUV光刻机，这就意味着完全国产化的DUV光刻机正式迎来了突破，这已经可以比肩ASMLTWINSCANXT：1460设备的水平。国内已经拥有多重曝光技术，再配合上突破的氟化氩光刻机，在芯片制造...

国产浸润式光刻机,已到临界点,或只差最后一步了

于是很多人都觉得,国产光刻机必须突破才行,仅90nm肯定是不够的,不说达到EUV级别,就算和尼康水平同级,能实现浸润式DUV,能制造7nm芯片就完美了。因为理论上浸润式DUV,在经过多重曝光后,达到5nm也不是没有可能。那么问题来了,国产光刻机,什么时候进入浸润式?当然这个消息不会告诉你的,但在我看来,应该是已经到...

大量采购ASML光刻机:国产光刻机正经历黎明前的黑暗

01国产光刻机在突破消息不断涌现的同时,仍面临较大差距,中微公司创始人尹志尧表示,国内半导体设备可能在5-10年内达到国际先进水平。022024年第二季度,阿斯麦订单量增至56亿欧元,同比增长约24%,中国区市场是阿斯麦第一大收入来源,占比49%。03然而,国内光刻机市场目前没有平替产品,大量进口ASML光刻机意味着国产...

4nm突围!2026年国产4nm手机芯片将量产,背后的逻辑和价值是什么?

飙叔感谢您花时间关注与分享,感谢在我的人生道路中多了这么多志同道合的朋友,一起关注国产光刻机、国产芯片、国产半导体艰难突破之路;一起分享华为海思、华为鸿蒙及华为手机等华为产业为代表的中国ICT产业崛起的点点滴滴;从此生活变得不再孤单,不再无聊!