“国产替代”新材料突围!
目前,第三代SiC纤维的最高耐热温度达1800~1900℃,耐热性和耐氧化性均优于碳纤维。材料强度方面,第三代SiC纤维拉伸强度达2.5~4GPa,拉伸模量达290~400GPa,在最高使用温度下强度保持率在80%以上。目前,SiC纤维的潜在应用包括耐热材料、耐腐蚀材料、纤维增强金属、装甲陶瓷、增强材料等方向,在航空航天、民用航空...
详解第三代半导体材料:碳化硅和氮化镓
3、第三代半导体材料:第三代半导体材料是指具有宽带隙(Eg≥2.3eV)的材料,代表包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石和氮化铝(AlN)。这些材料在半导体照明、电力电子、激光器和探测器等领域有着广泛的应用,每个领域都有不同的产业成熟度。第三代半导体材料以其宽带隙特性,在高温、高频、高效率和...
从SiC到GaN,硬脆材料激光剥离技术该往何处发展?
这些技术进展将为半导体和电子领域的快速发展提供更加可靠和高效的技术支撑,推动相关行业向更高精度、更高效率的加工水平迈进。激光剥离透明硬脆材料研究进展SiC晶圆激光剥离SiC(碳化硅)作为典型的第三代半导体材料,具有极高的硬度和优异的电子特性。SiC晶体存在多种晶型结构,目前已确认的多型超过200种。其中,4H-S...
一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻
通过不断优化和创新刻蚀工艺,半导体制造商能够持续推动技术进步,满足市场对更高性能、更低功耗和更小尺寸电子器件的需求。#03刻蚀工艺定义和基本原理以下是一幅描述刻蚀过程的简化图,涵盖了“物理刻蚀”(PhysicalEtching)和“化学刻蚀”(ChemicalEtching),并提及了“中性”(Neutral)、“离子”(Ion)、“自由基”...
信越化学为氮化镓外延生长带来了有力辅助
第三代半导体材料氮化镓,传来新消息:日本半导体材料大厂信越化学为氮化镓外延生长带来了有力辅助。本文引用地址:httpseepw/article/202409/462856.htm2024年9月3日,信越化学宣布研制出一种用于GaN(氮化镓)外延生长的300毫米(12英寸)QSTTM衬底,并于近日开始供应样品。
第三代半导体中“慢半拍”的氮化镓掀起并购热
相比于技术发展略早且成熟的碳化硅,同样属于第三代半导体领域的氮化镓技术在前几年显得发展偏慢且聚焦(www.e993.com)2024年10月22日。氮化镓最为人所知的应用场景就是手机快充,其他多个应用市场都被认为有发展空间,但落地速度并不够快。某种程度上这让氮化镓的热度似乎不如碳化硅,但近期出现了新变化。氮化镓领域的头部玩家均在纷纷加码收并购动作...
第三代半导体,距离顶流差了什么
意味着SiC器件比GaN或Si从理论上可以在更高的功率密度下操作。当高功率是一个关键的理想设备特点时,高导热系数结合宽带隙、高临界场的SiC半导体具有一定优势。GaN相对较差的导热性,使系统设计人员处理氮化镓器件的热量管理面临一个挑战。第三代半导体之间的竞争和互补,步伐不停让舞台更靠近。
第三代半导体发展现状及未来展望
本文在分析第三代半导体重要战略意义的基础上,讨论了中国在相关领域技术和产业化能力的发展状况,阐述了“大尺寸、降成本”是当前碳化硅及氮化镓技术的发展重心,并探讨了第三代半导体行业企业发展模式以及可能存在的问题及风险。尽管中国已具备良好基础,但仍存在不足,建议在国家政策的指导下,以应用牵引实现发展,加大产线...
美国半导体联盟发布!《微电子和先进封装技术路线图》
2023年10月,美国半导体工业协会(SIA)联合半导体研究联盟(SRC)发布《微电子和先进封装技术路线图》(MAPT),是对半导体研究联盟《2030年半导体十年计划》的扩展,《2030年半导体十年计划》确定了与智能传感、内存和存储、通信、安全和节能计算相关五个行业的重大转变,而MAPT路线图总结了技术进步的关键驱动因素,为如何突破十...
最具发展潜力的7大新材料产业!
3.新材料方向之三半导体材料硅片是半导体器件和太阳能电池的主要原材料。光伏用硅片产能大多集中在我国,生产技术水平全球领先。半导体硅片制作工艺更为复杂,部分国内企业正努力打破技术壁垒。碳化硅是功率器件的重要原材料,产业格局呈现美国独大的特点;近年来该材料不断在电动车、光伏、智能电网等领域渗透,拥有强劲的...