中国科大实现高密度高可靠性金刚石光学信息存储

当前,存储单元的尺寸可达到69nm(约为波长的十二分之一),单元间隔在1微米左右,存储密度达到Terabit/cm3量级,比蓝光光盘存储密度提高三个量级。图1:(a)金刚石信息存储概念图;(b)多次读出后荧光信号的稳定性表征;(c)高密度堆叠下信息存储单元扫描成像结果;(d)通过荧光强度复用实现的色彩图案存储;(e)实验使用的...

西安交通大学科研团队成功实现(111)面异质外延单晶金刚石衬底的...

利用高导热AlN超晶格直接在(111)面单晶金刚石上外延生长GaNHEMT结构可有效避免高热阻中间层的产生,将金刚石散热能力最大化,成倍提升器件功率密度。因此,研发大面积、高质量单晶(111)金刚石衬底的研制就显得迫在眉睫。西安交大王宏兴教授团队采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,首次在Ir(111)/蓝宝石表面实现...

西安交大“2英寸单晶金刚石异质外延自支撑衬底实现国产化”荣获...

金刚石的常见晶面取向有(100)、(110)和(111),其中(100)面金刚石由于其生长速率快、晶体缺陷低从而被广泛研究。此外,(111)面的金刚石掺杂效率更高、表面悬挂键密度更大,也展示出了氢终端金刚石电子器件的巨大潜力。同时由于金刚石具有超高的热导率(22W/cm·K),可作为高质量GaN材料外延衬底,有效地改善基于GaN...

金刚石多晶材料:高功率器件散热解决方案

多晶结构:金刚石多晶材料由多个微小的金刚石晶粒组成,具有各向同性的热导率和机械性能。成本较低:与天然单晶金刚石相比,金刚石多晶材料可以通过化学气相沉积(CVD)等方法大规模制备,成本相对较低,更适合工业化应用。金刚石多晶在高功率器件中的应用1、功率半导体器件应用背景:功率半导体器件如IGBT(绝缘栅双极晶...

...大学张海龙教授等COMPOS PART B-ENG.:改善金刚石/铜复合材料热…

在沉积过程中,采用了基片旋转技术,使金刚石颗粒的所有面都暴露在溅射气氛中,并将Ti元素均匀地沉积在金刚石颗粒的所有表面平面上(主要包括两种刻面:(001)和(111))。其次,在湿法混合过程中加入10wt%的酒精,使金刚石颗粒均匀分布在铜基体中。纯铜粉(纯度:99.85wt%,粒度:5??20μm,中国中诺先进材料技术有限...

金刚石能否取代其他高功率半导体器件?

使用CVD金刚石散热器提升高功率密度芯片的性能lanFriel,元素六业务拓展经理、首席科学家11:10-11:35金刚石材料的激光加工王成勇,广东工业大学副校长11:35-12:00CVD金刚石散热材料制备及产业化应用魏俊俊,北京科技大学教授12:00-12:20太原理工大学团队(行程确认中)...

【复材资讯】金属基金刚石复合材料:开启热管理新篇章

轻质高强:镁的密度仅为1.74g/cm??3;,约为铝的2/3、铁的1/4,因此金刚石/镁复合材料具有较低的密度,同时镁合金的加入也能提供一定的力学性能,使得该材料在航空航天、汽车制造等领域具有广泛的应用前景。热膨胀系数差异:金刚石与镁的热膨胀系数存在显著差异,这可能导致复合材料在温度变化时产生热应力。因此,在...

2024年度中国第三代半导体技术十大进展揭晓

通过对成膜均匀性、温场及流场的有效调控,提高了异质外延单晶金刚石成品率。衬底表面具有台阶流生长模式,可降低衬底的缺陷密度,提高晶体质量。XRD(004)、(311)摇摆曲线半峰宽分别小于91弧秒和111弧秒,为金刚石的半导体应用奠定了基础。(八)8英寸碳化硅材料和晶圆制造实现产业化突破...

山东大学IJRMHM:金刚石粒度对3D打印金刚石工具成形性和力学性能的...

(1)当金刚石粒度从500目变化到200目时,3D打印金刚石工具的相对密度在0.91~0.96之间,且随着金刚石粒度的减小,3D打印金刚石工具的相对密度下降。(2)3D打印金刚石工具中金刚石磨料均匀分布且牢固嵌入金属结合剂中,金刚石与金属的过渡区钛元素富集程度较高且为化学冶金结合。

【复材资讯】厦大、华为合作:金刚石散热新突破!

利用金刚石的超高热导率，在芯片热点功率密度为~2W/mm2时，集成金刚石散热衬底使得芯片最高结温降低高达24.1℃，芯片封装热阻降低28.5%。先进封装芯片-金刚石具有极为优越的散热性能，基于金刚石衬底的先进封装集成芯片散热具有重大的应用前景。图1.多晶金刚石衬底集成到玻璃转接板封装芯片背面及其散热性能表征...