天然居硅晶板,面面俱到守护你的家居
天然居硅晶板选用高密度复合技术打造,可以实现极强强度,不仅环保度极高,还易清理和节省室内空间。假如这一些功能都还不够满足你,那市面上的其他墙面材料更不可能入你的法眼了!硅晶板胜在面面俱到,让同类都未曾乘虚而入的机会!
Qorvo收购Anokiwave,以硅晶创新推动毫米波5G商业化
印度居住密度高,人均数据需求呈现指数级增长,因此非常适合采用毫米波5G技术。印度政府也认为,毫米波FWA可以助其经济高效地“消除数字鸿沟”,省去了昂贵的最后一公里光纤线路铺设成本。应此政策,印度的电信行业龙头RelianceJio已于2022年购买26Ghz频谱,将用于建设FWA网络“Airfiber”,这同时也是毫米波FWA商业化进程的...
基于硅和硅晶片的集成电容器
高密度硅电容器通常制造在超深沟槽中以增加电极的表面积。它们具有非常低的漏电流和低损耗因数。无源集成连接基板(PICS)是实现高密度电容器的最常用技术。该工艺允许实现多芯片模块(MCM)和板上芯片(COB),并有助于实现具有低功耗的更小组件。此外,这个过程允许将许多基本功能集成到一个产品中,从而有助于降低...
硅晶片蚀刻前处理方法
随着超大规模集成(ULSI)电路设备(device)密度的增加,设备所在晶片表面的活动区域没有缺陷和污染,安全的降级区,特别是,在设备制造过程中,被热遗弃的晶片内部的缺陷不仅表明消除对设备电气特性有致命影响的金属杂质的有益影响,而且对晶片的强度也有重要影响,因此准确评价晶片到目前为止,硅晶片内部的缺陷评价一直是通过将热...
硅晶片兆声清洗过程中的去除力分析
共振态表现为流体体带内态密度的尖峰。我们注意到这些共振发生时的脉动与硅的横向和纵向体带的下限相对应。最后,δn在0.33MHz左右的ω水体带下限以下呈现出一个清晰的峰值。该峰值与板振动的第一弯曲模式相关。由于高阶弯曲模式的频率超过了本方法中考虑的频率,因此未观察到高阶弯曲模式。一阶弯曲模式位于硅晶片/...
硅晶片电池有望降低成本,提高稳定性
XNRGI称其新型硅晶片功率芯片电池的能量密度是传统锂离子电池的四倍,成本仅为后者的一半(www.e993.com)2024年10月5日。锂电池已经使用硅阳极。XNRGI的技术已经开发了15年,它在产品电池上压印了20x20微米的蜂窝,然后用锂和其他材料涂覆它们,以形成数百万个“微型电池”的阴极。该公司表示,硅片可以容纳各种锂化学物质。该公司表示,使用硅晶...
美国电池公司用硅晶片制作电池,可让电动车续航提升280%
Powerchip电池是用过时且厚的硅晶片制成,这种硅晶片在全世界都有量产并且售价不高。成熟的半导体工艺是使用硅晶片制造动力电池的优势,Powerchip电池使用穿孔硅晶片,12英寸(约合30厘米)的硅晶片上有1.6亿多个微孔,晶片的一侧涂有非导电涂层,另一侧涂上导电金属承载电流。XNRGI首席执行官ChrisD’Couto表示:“金属涂...
量子计算机太娇气?英特尔要改变现状,在硅晶片上实现这项技术
在这种背景下,基于量子点的自旋量子位与其他类型的量子位相比,可能有重大优势,因为它们在所有电力运算上都有潜力,也具备高密度整合进工业级平台的能力。目前这些2量子位的系统,甚至连实验型的都算不上。研究员们在这种设备上运行量子算法只是证明了这一概念的可行性。要开发出比普通计算机更强大的系统,还需要...
华林科纳--异丙醇(IPA)的解吸特性和 IPA 蒸汽干燥硅晶片中的水分
含过氧化物溶液的腐蚀电位位移很高,远延伸到0.2V以上。在0.287V以上,电流随电位增加,表明有活性区域。然而,与非脱氧/部分脱氧的样品不同,在图中没有明显的去细化的主动到被动的转变。在腐蚀电位下观察到的低腐蚀电流密度与ICP-MS测量的低铜溶解速率一致。
重大突破!超纯硅有望引发量子计算革命
英国曼彻斯特大学与澳大利亚墨尔本大学的研究团队,找到了目前能够获得最纯硅-28的办法,他们用Wien滤光片过滤获得了高纯度硅-28的离子束,然后用聚焦获得高密度离子束,用高密度离子束对自然硅晶片进行辐照,能把目标区域晶格中的硅-29和硅30打出去。根据离子质谱和透射电镜的分析,他们在硅晶片表面看到了250nm厚的高纯...