详解第三代半导体材料:碳化硅和氮化镓

功率密度(W/mm)0.20.51.8~101、禁带宽度(eV)在固体物理学中,带隙是一个至关重要的概念,它定义了固体内部电子能级分布的一个特殊区域。这个能量范围被称为带隙或能隙,其特点是在这个区间内不存在允许的电子态。在固体的电子能带结构图中,带隙通常指的是价带顶部与导带底部之间的能量差,这一能量差以...

绝缘级氮化硅陶瓷套管成型加工的主要方法

反应烧结法能够制备出接近理论密度的氮化硅陶瓷套管,且具有良好的力学性能和电绝缘性能。4.注射成型法:注射成型法是一种适合大规模生产复杂形状氮化硅陶瓷套管的方法。该方法首先将氮化硅粉末与有机粘结剂混合,得到可流动的混合物。然后,通过注射成型机将混合物注入模具中,经过冷却固化后脱模得到生坯。最后,通过...

6英寸碳化硅外延片小坑缺陷研究

研究结果表明,通过优化碳硅比和生长温度,有效降低了4H-SiC外延层小坑缺陷密度,小坑缺陷密度可控制在25cm-2以下,实现了低缺陷密度的高质量外延材料生长。引言碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,因其优异的材料特性,如禁带宽度大、击穿场强高、饱和电子漂移速度快、热导率高,可以满足功率电子技术对高温、高功率、...

碳化硅集成光子学研究进展及其应用

在碳化硅中第一个被观察到单点色心发光的是4H-碳化硅中的CAV［70］，通过调节电子辐照剂量和优化辐照后的退火温度可以控制CAV形成的密度，最终获得空间上单个CAV色心。如表3所示，室温下，CAV在700nm附近具有很强的发光亮度，其单个色心的饱和光学计数为2×106s-1，但是对于...

基本半导体铜烧结技术在碳化硅功率模块中的应用

随着新能源汽车产业的蓬勃发展,功率密度的不断提升与服役条件的日趋苛刻给车载功率模块封装技术带来了更严峻的挑战。碳化硅凭借其优异的材料特性,成为了下一代车载功率芯片的理想选择。同时,高温、高压、高频、大电流的工作环境对碳化硅模块内部封装材料的互连可靠性提出了更高要求,开发与碳化硅功率芯片匹配的新型互连材料和...

第三代半导体碳化硅衬底分类、技术指标、生长工艺、产业链、下游...

光伏逆变器曾普遍采用硅器件,经过40多年的发展,转换效率和功率密度等已接近理论极限(www.e993.com)2024年11月9日。碳化硅器件具有低损耗、高开关频率、高适用性、降低系统散热要求等优点,将在光伏新能源领域得到广泛应用。例如,在住宅和商业设施光伏系统中的组串逆变器里,碳化硅器件在系统级层面带来成本和效能的好处。阳光电源等光伏逆变器龙头企业已...

碳化硅(SiC)MOS与超结(SJ)MOS和IGBT的性能及应用和器件选型方法

IGBT、碳化硅MOS、平面/超结MOS的功率和频率比较以下是SJ-MOSFET的一些关键特点和优势:高耐压:SJ-MOSFET具有高额定电压,能够在高压环境下稳定工作。低导通电阻:SJ-MOSFET的导通电阻远小于传统平面MOSFET,能够提供更高的效率和功率密度。高速开关:SJ-MOSFET的超级结结构使其具有快速开关特性,适用于高频率应用...

汽车800V超充技术(四)—高压架构推动零件升级,碳化硅应用逐步扩大

目前,大多数功率模块采用硅基IGBT技术。但硅基IGBT的功率密度正接近极限,同时随着整车平台电压的提高,硅基IGBT的开关损耗将会加大。在此背景下,碳化硅(SiC)功率器件的应用逐步扩大。相较硅基IGBT,碳化硅器件具备多方面优势,尤其在电控逆变器、OBC和DC-DC转换器等应用中优势明显。

【复材资讯】综述:碳化硅陶瓷增材制造研究新进展

中国科学院上海硅酸盐研究所研究员黄政仁团队研究员陈健在前期提出高温熔融沉积结合反应烧结3D打印SiC陶瓷的基础上，进一步将陶瓷打印体等效碳密度从0.80g·cm-3提高至接近理论等效碳密度0.91g·cm-3。等效碳密度的增加致使渗硅难度呈指数级提升，直接液相渗硅易阻塞通道致使渗硅失效。气相渗硅形成的多孔SiC壳层近期...

【产业研究】高压快充趋势及产业链降本,加速碳化硅产业进展——新...

4)更小的面积,更小的能量损耗,实现高功率。碳化硅器件具备更小的能量损耗,能够提供较高的电流密度。在相同功率等级下,碳化硅功率模块的体积显著小于硅基模块,有助于提升系统的功率密度。2.碳化硅产业链包括上游衬底和外延、中游器件、下游应用以碳化硅材料为衬底的产业链主要包括碳化硅衬底材料的制备、外延层的生...