台积电官宣!2nm芯片涨价:一片晶圆3万多美元,太夸张了

同时，晶体管密度的提升也是不容忽视的亮点之一。据台积电透露，N2工艺的晶体管密度将提升15%，这意味着在相同面积内可以集成更多的晶体管，从而进一步提升芯片的集成度和处理能力。不过客观地说，技术上的飞跃并非没有代价。台积电2nm晶圆的天价背后，实际上是半导体制造行业高成本、高风险特性的直观体现。首先，从研发...

RTX 3080首发评测:翻倍CUDA+三星8nm,比2080 Ti强30%!

GA100的晶体管密度在6537万/mm??左右,GA102是4458万/mm??左右,而TU102则是2466万/mm??左右。三种工艺的晶体管密度差距比较大,不过三星8nm对比TSMC12nmFFN也有非常大的提升。升级了工艺,肉眼可见的提升就是提频,不过因为GPUBOOST技术的存在,在加速的情况下两代的核心频率其实差不了太多。另外就是...

全新4nm制程加持:AMD Zen 5 CCD晶体管密度提升27%

锐龙9000系处理器的IOD没有什么变化,与锐龙7000系处理器如出一辙,继续采用6nm制程工艺,晶体管密度为2790万/平方毫米,毕竟IOD需要的数据量不大,不用最新的工艺也能满足需要。至于负责计算的CCD核心,AMD锐龙9000处理器从5nm提升到了N4P也就是改良版4nm工艺,不但晶体管数量从65亿变成83.15亿,而且核心面积还略微...

芯片战或迎终章:华为麒麟9020晶体管密度惊艳,5G+AI新纪元已来

麒麟9020作为华为旗下的新一代旗舰芯片，其晶体管密度的突破无疑是一个重要的里程碑。晶体管密度是指芯片上晶体管数量与芯片面积的比值，它直接决定了芯片的性能和功耗。5nm至6nm的晶体管密度意味着麒麟9020在保持高性能的同时，还能实现更低的功耗，这对于移动设备来说尤为重要。在5G和AI技术日益普及的今天，麒麟...

【量产】首次采用EUV技术!英特尔宣布Intel 4已大规模量产

近日,英特尔宣布已开始采用极紫外光刻(EUV)技术大规模量产(HVM)Intel4制程节点。采用该制程、产品代号为MeteorLake的英特尔酷睿Ultra处理器将于今年12月14日发布。据悉,作为英特尔首个采用极紫外光刻技术生产的制程节点,Intel4与先前的节点相比,在性能、能效和晶体管密度方面均实现了显著提升。

7nm芯片后,工艺制程已不重要了,这大大利好中国芯

不信大家看看这个最为明显的指标,晶体管密度,就可以看到,从10nm开始后,三家厂商的相同工艺,对应的晶体管密度,是完全是不一样的(www.e993.com)2024年11月5日。也就是说,三星的3nm,未必比台积电5nm强,也未必比intel的7nm更强,就看大家怎么看了。后来,英特尔看到台积电、三星的工艺命名如果激进,都不得不将自己的芯片工艺改名,将10nm改成int...

没有EUV光刻机,怎么做5nm芯片?

目前直观比较各家制程差异的唯一办法,就是回归摩尔定律的本质,对比晶体管密度,即单位面积内的晶体管数量。根据上表的数据,在14nm节点英特尔、台积电、三星单位晶体管数量都是每平方毫米0.3亿颗左右。10nm开始,英特尔将14nm+++改为Intel10,名字是跟上了,但晶体管数量却成了倒数第一,而三星则是在10nm的优化版,...

美韩日巨头步步紧逼,台积电提前3个月试产2nm

之前台积电3nm工艺因为曝光层数导致的成本问题拖慢了iPhonePro版本上市时间,一度被外界嘲讽。这次台积电宣称2nm制程试产时间比预期提前,也是一种营销,不过肯定吸取了3nm的教训,2nm用了Nanosheet架构,其晶体管密度、性能、功耗等比3nm工艺提高多少,还有待各种评测机构的检验。

Intel为何吊打AMD,先进半导体工艺带来什么?

1971年,Intel发布了第一个处理器4004,它采用10微米工艺生产,仅包含2300多个晶体管,而45年后的今天,Intel现在规模最大的是代号KnightsLanding的新一代XeonPhi处理器,14nm工艺制造,核心面积超过700mm2,拥有72亿个晶体管,具备惊人的76个x86核心,搭配16GBMCDRAM缓存,现在的CPU能变得这么庞大当然得归功于半导体工艺...

2nm战役,台积电开始防守

比如180nm>130nm>90nm>65nm>45nm>32nm>22nm,其中“X”指的就是芯片栅极的长度,也就是MOS晶体管的源极到漏极的距离。随着先进制程的数字越小,对应的晶体管密度越大,芯片功耗也就越低,性能则越高。在之后的技术演进中,制程节点减小速度加快,大约为0.72倍,并且不再完全线性。场效应晶体管也逐渐脱离原本...