大型科普(三)为什么28nm光刻机上多曝也无法做到7nm?

在此之间,栅长Gatelength和半间距Halfpitch都是同步缩小,同时晶体管密度按比例增加,所以当时的工艺节点不管是定义gatelength还是halfpitch都一样,但是在此之后开始,两者不再同步。所以实际上衡量晶体管大小,其实有两个指标,栅长gatelength和半间距halfpitch。在350nm到28nm之间,业内定下来,一直通用栅长ga...

最新:ISSCC 2024台积电谈万亿晶体管,3nm将导入汽车

进一步了解CFET可以带来的好处,如上图可见,CFET(互补式场效晶体管CFET)是将nMOS和pMOS垂直堆叠,可大幅改善零组件电流,使晶体管密度提升1.5~2倍。这项技术将硅(Si)和锗(Ge)等不同材料从上下方堆叠,使p型和n型的场效晶体管更靠近。通过这种叠加方式,CFET消除ntop分开的瓶颈,将运作单元活动区域(cell...

7nm芯片后,工艺制程已不重要了,这大大利好中国芯

不信大家看看这个最为明显的指标,晶体管密度,就可以看到,从10nm开始后,三家厂商的相同工艺,对应的晶体管密度,是完全是不一样的。也就是说,三星的3nm,未必比台积电5nm强,也未必比intel的7nm更强,就看大家怎么看了。后来,英特尔看到台积电、三星的工艺命名如果激进,都不得不将自己的芯片工艺改名,将10nm改成int...

台积电不断升级芯片工艺,从28nm到5nm,是惊天大骗局?

28nm之后，工艺制程逐渐转变为等效工艺，晶体管密度、栅极宽度、金属半间距等参数之间已不再有直接的对应关系。在各个晶圆厂的同类工艺下，晶体管密度、栅极宽度等参数也存在差异，例如台积电的7nm、三星的7nm、英特尔的7nm，晶体管密度各不相同，尤其到了5nm工艺，差距更为明显，这种情况实际上并不符合同一工艺标准。摩...

摩尔定律,其实已死在了28nm,中国芯片完全能追上台积电?

一些人认为摩尔定律是继续有效的,因为28nm之后,芯片工艺还在持续的进步,越来越小,进入了14nm、10nm……甚至是3nm,未来还有2nm、1nm等。另外一些人则认为,进入28nm之后,晶体管微缩越来越逼近物理极限,晶体管密度变化较小了,更关键的是升级更先进制程本该带来的单位晶体管成本下降的“经济效益”也开始消失,什么每两...

没有EUV光刻机,怎么做5nm芯片?

2020年,三星宣布量产5nm,但晶体管密度只从7nm的0.95亿小幅提升至1.27亿,改良版4nm也只有1.37亿晶体管,远远不如台积电初代5nm的1.5亿,与台积电1.8亿的5nm改良版N4P差距更大,只能算作7nm的升级版(www.e993.com)2024年11月5日。3nm节点上,三星也存在类似的问题。2021年英特尔宣布全面改名节点,英特尔10nm改成Intel7,原本的7nm改成Intel4,...

全方位剖析魏哲家带领的台积电

第二次退休后将台积电交给了刘魏二人,两位首长各司其职,2018正式量产全球第一款7nm芯片,2020又率先量产5nm芯片并奠定了难以撼动的全球技术领先优势,2022年台积电超越英特尔以及三星登顶以营收计算的全球最大半导体企业并在2023年继续扩大领先,2024年将推出技术领先其他竞争对手超过一世代晶体管密度的N3P...

台积电3nm产能今年将增加3倍!南京厂获“无限期豁免”!

2025年,台积电第四代的3nm制程(N3X)和2n(N2)都将量产。与N3P相比,N3X节点芯片可将工作电压(Vdd)从1.0V降低至0.9V,相同时脉降低功耗7%,或相同芯片面积提高运算性能5%,相同时脉晶体管密度提高约10%。与前代产品相较,N3X优势在最大电压1.2V,对桌面PC或数据中心GPU等超高性能应用非常重要。

华为疑似公开工艺制程,我们还能相信3nm真的是3nm吗?

我们知道,最先进制程芯片的量产是一项系统工程,需要产业链上下游、特别是上游的设备、材料、IP等技术厂商的共同进步迭代,才能应对如此高精尖的芯片制造要求,所有这些形成合力,才能制造出高晶体管密度、高性能、低功耗的先进制程芯片。因此,所有高级工艺都很烧钱,但是,并非所有芯片都需要5nm、3nm等高级工艺,也并非能这么...

芯片制造到底难不难,1nm、3nm只是文字科技,3nm其实就是23纳米

进入130nm工艺节点时,晶圆厂开始采用等效工艺的概念。所谓等效工艺,即工艺节点的命名并不再直接反映栅极长度,而是反映出晶体管密度和性能的提升。例如28nm工艺节点的实际栅极长度可能是65nm左右,14nm工艺节点的实际栅极长度可能小于30nm。3nm工艺背后的真相