0.1纳米时代!巨头发力下一代晶体管CFET

预计在2025年,台积电将完成N2和N2P节点,使得采用3D封装的芯片晶体管数量超过5000亿个,而采用传统封装技术的芯片晶体管数量超过1000亿个。然后,台积电计划在2027年达到A14节点,并在2030年达到A10节点,即1nm制程芯片。届时,采用台积电3D封装技术的芯片晶体管数量将超过1万亿个,而采用传统封装技术的芯片晶体管数量将超过...

台积电,万亿晶体管

英特尔同时还揭示了将摩尔定律扩展到封装上万亿晶体管的关键后续步骤,当中包括可以实现额外10倍互连密度的先进封装,从而实现准单片芯片。英特尔还指出,公司材料创新还确定了实用的设计选择,可以使用仅3个原子厚的新型材料满足晶体管微缩的要求,使该公司能够继续超越RibbonFET的规模。具体看一下英特尔的先进封装。

2027年量产!台积电全面展开1.4nm级工艺制程研发,命名为A14

据台积电介绍，A14制程将采用台积电第二代或第三代GAAFET（全环绕栅极场效应晶体管）技术。这种技术相较于传统的鳍式场效应晶体管（FinFET）具有更高的性能和功耗效率。通过减小栅极长度和增加沟道密度，GAAFET技术能够在晶体管中更有效地控制电流，从而实现更高的运行速度和更低的功耗。值得一提的是，A14制程的命名延...

华泰电子:全球先进制程发展迈入新阶段

台积电计划于2026年采用Low-NAEUV光刻机相继量产N2P和A16,与N2P相比,A16的功耗降低了20%(在相同的速度和晶体管下),性能提高了10%(在相同的功率和晶体管下),晶体管密度提高了10%。High-NAEUV光刻机有效应用于2nm以下制程,ASML预计需求旺盛2Q24ASML向英特尔交付了第二台High-NAEUV光刻系统——TWINSC...

1.6nm、晶圆级超级封装、硅光子集成……台积电北美6大技术王炸

与2nmN2P节点相比，A16提高了晶体管密度和能效，在相同Vdd（正电源电压）下可实现8~10%的速度提升；在相同速度下，功耗可以降低15~20%。该技术可以帮助数据中心计算芯片实现1.07~1.10倍的芯片密度。台积电在北美峰会同时宣布A14工艺节点，预计将采用第二代纳米片晶体管以及更先进的背面供电网络，有望在2027~2028...

台积电5nm晶体管密度比7nm提高88%

台积电5nm晶体管密度比7nm提高88％根据报道，台积电已在本月开始5nm工艺的试产，第二季度内投入规模量产，苹果A14、华为麒麟1020、AMDZen4等处理器都会使用它，而且消息称初期产能已经被客户完全包圆，尤其是苹果占了最大头(www.e993.com)2024年11月5日。而目前台积电尚未公布5nm工艺的具体指标，只知道会大规模集成EUV极紫外光刻技术，不过在...

5nm芯片实际表现比理论还猛 晶体管密度大幅度增加

而对比7nm工艺的每平方毫米9120万个,5nm工艺晶体管密度得到大幅度提升,每平方毫米1.713亿个足足提升了88%,比当初台积电宣传的理论提升84%还要强上一些。当然,这目前也只是根据一些资料进行的分析和评估,最后还得看批量成品表现究竟怎么样。

晶体管数量超125亿 苹果A14芯片性能到底多炸裂

可以确定的是,新一代苹果A14芯片将采用台积电的5nm工艺,同时它可能是首个能实现大规模量产的5nm工艺芯片。不同于前代7nm的升级,5nm制程工艺是一次大跨越。A14芯片在整个过程中广泛使用了极紫外(EUV)光刻技术,晶体管密度较7nm芯片提升80%,相同功率下运行速度能够提升15%性能、同性能下则可降低30%的功耗。

iPhone 12将搭载5nmA14芯片:晶体管数量高达150亿

除了性能提升,苹果A14处理器有可能在晶体管规模上再创新高,有可能超过150亿晶体管,超过目前移动处理器中晶体管数量最多的麒麟9905G的103亿,密度也将有望达到1.71亿/mm2,较A13提升了80%以上,苹果将借此塞入更强大的CPU、GPU及NPU单元,提升iPhone12手机的性能。

150亿颗晶体管!苹果A15处理器性能曝光

另外根据研究机构的测算,尽管A15处理器的晶体管总数比A14多出27%,但台积电N5P(5nm增强版)下的晶体管密度(每平方毫米晶体管数量)却只提升了1%还不到(1.35亿对1.34亿)。另外,该机构爆料称,由于苹果A系芯片团队最近两年高管、人才流失严重,所以A14、A15在CPU层面沿用了几乎一致的架构,换代核心推迟到了A16上实现。