韩国8300亿豪赌3nm芯片,台积电受到威胁?良品率20%给人看乐了
在此之前,咱们先来了解一下,3nm芯片到底有多强?相比于5nm芯片而言,3nm芯片的晶体管密度,提升了1.7倍。这是个什么概念?相当于同样一块晶圆片,只能造500块5nm芯片,但它却能造800块3nm级芯片。所以从性价比上来看,3nm芯片比5nm要高的多。在性能方面,3nm芯片比5nm芯片多了35%的核数。与此同时,它的...
台积电3nm晶体管密度竟然高于Intel 18A!
根据TechInsights公布的数据来看,台积电3nm(N3)制程或强化版N3E的晶体管密度分别为283MTx/mm??(每平方毫米百万晶体管)、273MTx/mm??,都高于英特尔Intel18A的195MTx/mm??。不过,英特尔Intel18A采用背面供电(Backsidepower)技术,对降低能耗有一定帮助,但Intel18A大幅超越台积电3nm性能还是不太可能。除了英特...
台积电 3nm 工艺步入正轨,2024 下半年将如期投产 N3P 节点
IT之家5月17日消息,台积电近日举办技术研讨会,表示其3nm工艺节点已步入正轨,N3P节点将于2024年下半年投入量产。N3P基于N3E工艺节点,进一步提高能效和晶体管密度。台积电表示N3E节点良率进一步提高,已经媲美成熟的5nm工艺。IT之家查询相关报道,台积电高管表示N3P工艺目前已经完成质量验...
...三大半导体代工厂商展示下一代CFET工艺,晶体管密度有望翻倍!
虽然台积电在N2工艺上引入了GAA架构晶体管,但仍然采用传统的供电技术,因此在英特尔看来技术上并不如Intel18A工艺。当然,台积电并不认同这种说法。明年台积电将带来N3P工艺,将提供与Intel18A相当的能效、性能和晶体管密度,而下一代的N2更是全面优于N3P和Intel18A工艺。Intel这边则是另辟蹊径来进步,不过目前,18...
台积电公布:汽车Chiplet,3nm新版本
台积电的N3E节点是N3B的宽松版本,消除了一些EUV层并完全避免了EUV双图案的使用。这使得生产成本更便宜,并且在某些情况下它扩大了工艺窗口和产量,尽管它是以一些晶体管密度为代价的。同时,展望台积电的未来,N3P已完成资格认证,其良率表现接近N3E。作为光学微缩技术,N3P节点将使处理器开发人员能够在相同漏电情况...
三星VS 台积电,3nm代工战趋白热化
N3P节点是台积电3nm工艺制程的第三代,前两代分别为N3B和N3E(www.e993.com)2024年10月17日。其中,N3B生命周期较短,苹果是唯一的主要客户。N3E制程则为N3B的宽松版本,取消了一些EUV层,也牺牲了一些晶体管密度,但有助于降低生产成本,并扩大制程窗口和良率,已于2023年第四季度量产。台积电也在近期表示N3E制程节点的良率获得进一步提高,已经可以媲...
曝英伟达50系显卡采用台积电3nm工艺 24年|25年发布
Kopite7kimi透露,英伟达正在准备BlackwellGPU,该GPU将应用于RTX50系显卡,并将建立在台积电的3nm工艺之上。最新的3nm工艺技术将提供25-30%的功耗降低,每个晶体管的性能增加10-15%,面积减少42%,密度增加1.7倍。与目前的5nm节点相比,这些都是相当可观的进步,在现有的40系“AdaLovelace”阵容中,5nm节点已经提供了惊...
台积电公布A16 1.6nm工艺:对比2nm性能提高10%、功耗降低20%
据了解,台积电在此次的北美技术论坛中,首度公开了台积电A16(1.6nm)技术,结合领先的纳米片晶体管及创新的背面供电(backsidepowerrail)解决方案以大幅提升逻辑密度及性能,预计于2026年量产。台积电还推出系统级晶圆(TSMC-SoWTM)技术,此创新解决方案带来革命性的晶圆级性能优势,满足超大规模数据中心未来对AI的要求。
骁龙8 Gen4由台积电代工 芯片专家:不会再现骁龙888发热问题
从晶体管密度上来说,台积电的5nm工艺能达到1.73亿颗晶体管,三星的工艺更为落后,5nm工艺仅达到1.27亿颗晶体管。因三星工艺问题,从骁龙8+Gen1开始,高通转投台积电怀抱,骁龙8+Gen1、骁龙8Gen2、骁龙8Gen3等旗舰平台都选择台积电代工,其市场表现良好。
台积电“攻防战”
直到3nm节点,三星看到了追赶的机会。2022年6月,三星率先采用全环绕栅极GAA晶体管架构,发布了第一代3nm工艺,领先台积电量产,成为全球首个量产3nm的代工厂。GAA架构相较于传统的FinFET架构,在性能、功耗和集成度等方面具有显著优势,被认为是未来半导体技术的重要发展方向。