详解开关电源 8 大损耗

当反向电压加在二级管两端时,正向导通电流在二极管上产生的累积电荷需要释放,产生反向电流尖峰(IRR(PEAK)),极性与正向导通电流相反,从而造成V×I功率损耗,因为反向恢复期内,反向电压和反向电流同时存在于二极管。图6给出了二极管在反向恢复期间的PN结示意图。图6.二极管结反偏时,需要释放正向导通期间的累积...

发光二极管的工作原理是什么?为什么可以发出不同颜色的光?

发光二极管在正向偏置时发光,当在结上施加电压以使其正向偏置时,电流就像在任何PN结的情况下一样流动。来自p型区域的空穴和来自n型区域的电子进入结并像普通二极管一样重新组合以使电流流动。当这种情况发生时,能量被释放,其中一些以光子的形式出现。发现大部分光是从靠近P型区域的结区域产生的。因此,...

电子技术知识判断题精选|三极管|二极管|晶体管|放大器|集电极...

×当PN结的P区接电源的正极、而N区接电源的负极,PN结就会导通。5、PN结正偏时处于截止状态,反偏时处于导通状态。×PN结正偏时处于导通状态,反偏时处于截止状态。6、PN结正向导通时,其内、外电场方向一致。×PN结正向导通时,其内、外电场方向相反。7、三极管按功率可分为开关三极管、功率三极管、达林顿...

可控硅基本知识|半波|信号|导通|整流|继电器_网易订阅

2、当可控硅加上反向电压时(A接电源负极),J??、J??两个PN结反偏,可控硅处于反向阻断状态,此时通过可控硅的电流称反向漏电流。由于可控硅导通需要两个条件,因此在第一个条件未满足的情况下(可控硅反偏),即使加上IG,它也不会导通。但当反向电压增加到某一值时,反向电流急剧增大。这种情况称为可控硅的反向击...

激光雷达,探测器之争

这种结构可以大大加快光电效应的响应速度,但是过大的耗尽区宽度将延长光生载流子在耗尽区内的漂移时间,反而导致响应变慢,因此耗尽区宽度要合理选择。通过控制耗尽区的宽度可以改变PIN结二极管的响应速度。在实际使用中,根据反向偏置电压的不同,PD可以工作在三种不同的模式下,即线性模式、比例模式和盖革模式,其中比例模...

激光雷达历史、发展梳理

随着正向电压上升,流经PN结的电流大于一个阈值时,自发辐射产生的光子通过半导体内已激发的电子-空穴对附近时,就能激励二者复合再产生一个新的光子,也就是发生了受激辐射,再加上谐振腔的反射,就能通过受激辐射加速光子的产生,从而产生激光(www.e993.com)2024年11月14日。但是要注意的是,并非所有半导体材料PN结发生载流子复合时都会产生光,有的半导...

基础知识之二极管

耗尽层越宽(d大)CT越低。常见问题九、变容二极管httpstoshiba-semicon-storage/cn/semiconductor/knowledge/e-learning/discrete/chap2/chap2-9.html可变电容二极管是利用耗尽层电容特性的产品。当施加反向电压时,耗尽层出现在二极管的pn结中,其厚度与反向电压成正比。

100个基本知识,助您轻松掌握模拟电路入门!|信号|电阻|三极管|放大...

1、在常温下,硅二极管的门槛电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V;锗二极管的门槛电压约为0.1V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.2V。2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。3、二极管的最主要特性是单向导电性。PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。

把三极管当作稳压二极管来用,做一个闪灯电路,趣味电子DIY

上图中,看NPN三极管的等效电路,BC结是正偏的,电流能流过BC结,这个好理解,但是BE结是反偏的,二极管反偏截止,电流怎么能流过这个BE结呢?回想一下我们学过的元器件里,有一种元器件比较特殊,那就是稳压二极管,也叫齐纳二极管,它是利用PN结的反向击穿特性来工作的。那在这里我们是不是可以大胆猜测,把这个三极管...

pn结的特性,PN结的击穿特性,PN结的电容特性

剧增加,象雪崩一样。雪崩击穿发生在掺杂浓度较低的PN结中,阻挡层宽,碰撞电离的机会较多,雪崩击穿的击穿电压高。2、齐纳击穿:当PN结两边掺杂浓度很高时,阻挡层很薄,不易产生碰撞电离,但当加不大的反向电压时,阻挡层中的电场很强,足以把中性原子中的价电子直接从共价键中拉出来,产生新的自由电子—空穴对,这个过...