第三代半导体碳化硅衬底分类、技术指标、生长工艺、产业链、下游...
禁带宽度越大,器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3倍,可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性。硅器件的极限工作温度般不能超过300℃,而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600℃以上。同时,碳化硅的热导率比硅更高,高热导率有助于碳化硅器件的散热,在同样的输出功率下保持更低的温度,碳化硅器件也...
面向新兴产业的新材料,该如何发展?
绝缘体上硅、硅基化合物半导体、新型相变材料、阻变材料、自旋电子材料、宽禁带碳化硅、氮化镓、超宽禁带半导体氧化镓、金刚石等是目前成熟硅基集成电路和砷化镓基半导体功率器件的重要补充和未来的发展方向。碳纳米管将成为后摩尔时代中颇具潜力的新型半导体材料,可在短期实现碳基传感技术等高性能、中集成度的应用,在长...
半导体芯片,到底是如何工作的?|栅极|肖特基|二极管|场效应晶体管...
它们的优点是禁带宽度大(>2.2ev)、击穿电场高、热导率高、抗辐射能力强、发光效率高、频率高,可用于高温、高频、抗辐射及大功率器件,是行业目前大力发展的方向。前面我们提到了电子和空穴。半导体中有两种载流子:自由电子和空穴。自由电子大家比较熟悉,什么是空穴呢?空穴又称电洞(Electronhole)。常温下,由于热...
露笑科技2022年负债率大幅下降、一季度预计扭亏,碳化硅业务前景可期
碳化硅因其优越的物理性能:高禁带宽度(对应高击穿电场和高功率密度)、高电导率、高热导率,将是未来最被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。在年报中,露笑科技方面表示,“公司碳化硅业务主要为6英寸导电型碳化硅衬底片的生产、销售,目前公司已经安装280台长晶炉,碳化硅项目正常推进中”。在一季度业绩预告中,露笑科...
SiC加速向高端新能源车渗透 关注国产优质导电性衬底公司
南京证券研究员李栋认为,SiC的材料特征:SiC具有更宽的禁带宽度、更高的转换效率,决定了SiC天然适合高温、高压、高频、大功率等场景,对应下游为新能源汽车、光伏、5G基站等成长性较高的细分行业,其中新能源汽车是SiC未来5年内主要的应用场景。目前新能源汽车上能够应用SiC的部分主要是主驱逆变器、车载OBC、DCDC等,其中...
6英寸导电型碳化硅衬底量产落后海外7年 天岳先进价值几何?
第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料,与前两代半导体材料相比,第三代半导体材料禁带宽度大,具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势,因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行,适用于高电压、高频率场景,此外,还能以较少的电能消耗,获...
基础化工行业中期策略:顺高景气赛道,掘金格局优异的新材料
并且前驱体的k值与禁带宽度(BandGap)之间需要有一个协调平衡,一般要求禁带宽度大于5eV。满足上述k值以及禁带宽度要求的主要包括Al2O3、ZrO2、HfO2、Y2O3、La2O3、镧系元素以及它们的硅酸盐、铝酸盐。逻辑制程节点升级、先进制程产能提升带来新前驱体材料需求和规模增长。半导体制造行业始终在追求提高...
锑行业深度研究报告:稀缺的“能源金属”
锑化铟具有极窄的禁带宽度、极小的电子有效质量和极高的电子迁移率,其在3~5μm光谱范围内属于本征吸收,拥有近百分之百的量子效率,使其成为了制备中波红外探测器的首选材料,应用前景和商业需求巨大。锑化镓晶体在红外探测和激光领域有很好的发展前景,以锑化镓为衬底发展起来的二类超晶格结构红外探测器性能优...
碳化硅产业链深度解析:碳化硅东风在即,产业链爆发拐点将至
碳化硅的禁带宽度更宽,理论工作温度可达400℃以上。更大的禁带宽度,可以保证材料在高温下,电子不易发生跃迁,本征激发弱。从而可以耐受更高的工作温度。碳化硅的临界击穿场强更大,能够耐受更高的电压,更适用于高电压器件。临界击穿场强指材料发生电击穿的电场强度,一旦超过该数值,材料将失去绝缘性能,进而决定了材料的耐...
关于碳化硅,把我知道的都告诉你
相比之下硅禁带宽度只有1.12eV,碳化硅有三倍于硅的禁带宽度,因此承受同样电压的器件,碳化硅器件的面积要比硅器件小的多,只有1/10,电压越高面积比越明显,或者说同样面积下,碳化硅的耐压比硅强很多。我们可以总结以下几点优点:1、宽禁带半导体材料的禁带宽度大,击穿电场强度高,大大增加了宽禁带器件能够承受的峰值电...