功率晶体管的历史和新兴设计
由于采用了宽基极P-N-P晶体管,而不是当时用于功率晶体管的窄基极N-P-N晶体管,因此所提出的IGBT设计是一个具有革命性的改变。怀疑论者认为,这将严重限制电流,使该器件不如功率双极晶体管。我的分析基于N基区(N漂移区)内的高电平注入,预测了即使在高电流密度下也具有低导通状态压降的P-i-N整流器式导通状态...
纵向晶体管与横向晶体管的原理及区别
这种管子的特点是,管子的基区宽度WB可以准确地控制,而且做得很薄。因此,纵向PNP管的β很大。超β管的β值在2000一5000(α=0.995-0.9998)。是以P型衬底作为集电极,因此只有集成元器件之间采用PN结隔离槽的集成电路才能制作这种结构的管子。由于这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的垂直方向运动的,故称为纵向PNP管...
电力MOS场效应晶体管基础知识解析
当UGS=0时,显然ID=0;当UDS>0且尚小对,PN结因加反向电压,使耗尽层具有一定宽度,但宽度上下不均匀,这是由于漏源之间的导电沟道具有一定电阻,因而漏源电压UDS沿沟道递降,造成漏端电位高于源端电位,使近漏端PN结上的反向偏压大于近源端,因而近漏端耗尽层宽度大于近源端。显然,在UDS较小时,沟道呈现一定电阻,ID...
双极性晶体管基础知识解析
在NPN型晶体管里,基区为P型掺杂,这里空穴为多数掺杂物质,因此在这区域电子被称为“少数载流子”。从发射极被注入到基极区域的电子,一方面与这里的多数载流子空穴发生复合,另一方面,由于基极区域掺杂程度低、物理尺寸薄,并且集电结处于反向偏置状态,大部分电子将通过漂移运动抵达集电极区域,形成集电极电流。为了尽量缓解...
常用半导体中英对照表(建议收藏)
Base-widthmodulation基区宽度调制Basisvector基矢Bias偏置Bilateralswitch双向开关Binarycode二进制代码Binarycompoundsemiconductor二元化合物半导体Bipolar双极性的BipolarJunctionTransistor(BJT)双极晶体管Bloch布洛赫Blockingband阻挡能带...
常用的功率元器件大全
10.电子注入增强栅晶体管IEGT(InjecTIonEnhancedGateTrangistor)近年来,日本东芝公司开发了IEGT,与IGBT一样,它也分平面栅和沟槽栅两种结构,前者的产品即将问世,后者尚在研制中(www.e993.com)2024年8月16日。IEGT兼有IGBT和GTO两者的某些优点:低的饱和压降,宽的安全工作区(吸收回路容量仅为GTO的1/10左右),低的栅极驱动功率(比GTO低2个数...