双极型晶体管的结构及优缺点
这三个区域之间形成的PN结被称为PNP或NPN结。对于NPN型BJT,P型区域称为基区,而N型区域称为集电区和发射区。当正极电压施加在基区时,向基区注入载流子。这些载流子会以一定的概率穿过基区,进入集电区。这个过程发生的概率与基区的宽度和施加的电压有关。在穿过基区时,载流子会被放大,从而形成一个放大器。...
功率晶体管的历史和新兴设计
IGBT通过使用正栅极偏置创建MOS沟道来工作,该偏置将基极驱动电流输送到内部宽基极P-N-P双极晶体管。在同一漂移区内,通过沟道使用电子和通过P-N-P晶体管使用空穴产生集电极电流,称为MOS双极电流传输。该器件可以通过将栅极电压降低到零来关闭电子供应。由于采用了宽基极P-N-P晶体管,而不是当时用于功率晶体管的窄...
一文看懂纵向晶体管与横向晶体管的原理及区别
这种管子的特点是,管子的基区宽度WB可以准确地控制,而且做得很薄。因此,纵向PNP管的β很大。超β管的β值在2000一5000(α=0.995-0.9998)。是以P型衬底作为集电极,因此只有集成元器件之间采用PN结隔离槽的集成电路才能制作这种结构的管子。由于这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的垂直方向运动的,故称为纵向PNP管...
电力晶体管GTR的开关特性详解
基区扩展效应是指在大电流条件下有效基区变宽的效应。器件在小电流状态工作时的集电结宽度主要由基区掺杂浓度决定,因此其增益β值是固定的;但在大电流条件下,由于基区中少数载流子大量增加造成集电结宽度收缩,因而,使有效基区变宽。基区的扩展导致注入效率降低,增益β下降、特征频率减小。发射极电流集边效应也称...
常用半导体中英对照表(建议收藏)
Basetransportefficiency基区输运系数Base-widthmodulation基区宽度调制Basisvector基矢Bias偏置Bilateralswitch双向开关Binarycode二进制代码Binarycompoundsemiconductor二元化合物半导体Bipolar双极性的BipolarJunctionTransistor(BJT)双极晶体管...
SiC IGBT研究进展与前瞻
首先生长一层2μm厚、掺杂浓度为2×1017cm-3的P型缓冲层,之后继续生长100μm厚、掺杂浓度为2×1014cm-3的P型漂移区(www.e993.com)2024年8月15日。漂移区的载流子少子寿命为1.2μs。为保证栅氧化层的可靠性,同时尽可能地提升器件的通态特性,在条形元胞中JFET区域的宽度设计为10μm,六角形元胞中JFET区域的...
干货|MOSFET结构及其工作原理详解
功率MOSFET的设计过程中采取措施使其中的寄生晶体管尽量不起作用。在不同代功率MOSFET中其措施各有不同,但总的原则是使漏极下的横向电阻RB尽量小。因为只有在漏极N区下的横向电阻流过足够电流为这个N区建立正偏的条件时,寄生的双极性晶闸管才开始发难。然而在严峻的动态条件下,因dv/dt通过相应电容引起的横向电...
揭秘IGBT功率半导体!国际七巨头地位不保,国产替代黄金赛场:智东西...
IGBT的全称是InsulatedGateBipolarTransistor,即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件,既具备MOSFET的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点,又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点,在高压、大电流、高速等方面有突出的产品竞争力,已成为电力电子领域开关...
「硬见小百科」一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系
为了减小上述电阻,并且提高栅极面积利用率,沟槽栅IGBT变成主流,作用效果如下图。此外,为了提升IGBT耐压,减小拖尾电流,在N–漂移区、背面工艺(减薄和注入)上下了不少功夫。N-区下的功夫包含以下几种:1、PT:以高浓度的P+直拉单晶硅为起始材料,先生长一层掺杂浓度较高的N型缓冲层(N+buffer层),然后再继续淀积...
揭秘IGBT功率半导体!国际七巨头地位不保,国产替代黄金赛场 | 智...
IGBT的全称是InsulatedGateBipolarTransistor,即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件,既具备MOSFET的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点,又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点,在高压、大电流、高速等方面有突出的产品竞争力,已成为电力电子领域开关...