吃透MOS管,看这篇就够了
Mos管发热,主要原因之一是寄生电容在频繁开启关闭时,显现交流特性而具有阻抗,形成电流。有电流就有发热,并非电场型的就没有电流。另一个原因是当栅极电压爬升缓慢时,导通状态要“路过”一个由关闭到导通的临界点,这时,导通电阻很大,发热比较厉害。第三个原因是导通后,沟道有电阻,过主电流,形成发热。主要考虑的发热...
车充想实现高效输出?不如先来看看45W功率段采用的降压芯片
亚马逊这款双口车载充电器内部采用的是全套硅动力电源方案,由一颗降压芯片控制两颗MOS管组成降压电路,降压电感通过硅胶加固,分立器件的设计,支持最大5V4.8A功率,并可以避免发热集中。两个接口共用一颗赛芯微的协议芯片,无论单口还是双口输出,均支持Apple2.4A协议,可以为手机提供最大12W的充电功率。内置降压芯片Si-...
联想都在用的主控芯片,你还不来看看?|电源|充电器|控制器|联想...
芯片内置1.2Ω导阻的超级硅开关管,支持恒功率输出和降功率输出,并支持频率折返,提高平均能效,提升EMI性能,同时满足六级能效要求。内置同步整流芯片ETA钰泰ETA8020为主控芯片供电的稳压芯片同样来自钰泰,型号ETA8020,是一颗130V输入电压,输出电流10mA的稳压芯片,用于为开关电源主控芯片供电。芯片内置防倒灌二极管避免启动...
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。
Mos管发热,主要原因之一是寄生电容在频繁开启关闭时,显现交流特性而具有阻抗,形成电流,有电流就有发热,并非电场型的就没有电流。另一个原因是当栅极电压爬升缓慢时,导通状态要路过一个由关闭到导通的临界点,这时,导通电阻很大,发热比较厉害。第三个原因是导通后,沟道有电阻,过主电流,形成发热。主要考虑的发热是...
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法
上电后,MOS管的栅极电压要慢慢上升,当栅源电压Vgs高到一定程度后,二极管D2导通,这样所有的电荷都给电容C1以时间常数R1×C1充电,栅源电压Vgs以相同的速度上升,直到MOS管Q1导通产生冲击电流。其中Vth为MOS管Q1的最小门槛电压,VD2为二极管D2的正向导通压降,Vplt为产生Iinrush冲击电流时的栅源电压。Vplt可以在MOS...
问界新能源汽车前装无线充电模块全面升级!拆解看看设计做工
5mΩ取样电阻用于检测同步升降压电路输入电流(www.e993.com)2024年9月21日。10mΩ取样电阻用于检测输出电流。滤波电容规格为100μF35V。无线充电主控芯片采用易冲半导体CPSQ8100。图中左侧两颗MOS管用于无线充电线圈切换,中间两颗1μH合金电感用于输出滤波,在电感之间设有谐振电容,右侧为无线充电功率管。
深蓝汽车申请MOS管数量调整专利,降低成本和温度控制的效果
的发热量,对电机当前的输出扭矩进行调整,得到调整后的电机的输出扭矩,预设系数请求扭矩是基于踩下的踏板开度确定的;在调整后的电机的输出扭矩对应的输出电流限值小于为电机控制器配置的输出电流限值的情况下,将电机控制器中当前并联连接的MOS管的数量调整为目标数量,目标数量小于电机控制器中当前并联连接的MOS管的数量...
MOS管防护电路解析实测
若不加R509电阻,高压情况下便会因为mos管开关速率过快而导致周围元器件被击穿。但R509电阻过大则会导致MOS管的开关速率变慢,Rds从无穷大到Rds(on)的需要经过一段时间,高压下Rds会消耗大量的功率,而导致mos管发热异常。该电阻上并联的二极管(D507)是在脉冲下降沿时起到对栅极放电的作用,使场效应管能快速截止,...
拆解报告:AITO问界新能源汽车前装50W无线充电模块
5mΩ取样电阻用于检测同步升降压电路输入电流。10mΩ取样电阻用于检测输出电流。滤波电容规格为100μF35V。无线充电主控芯片采用易冲半导体CPSQ8100。图中左侧两颗MOS管用于无线充电线圈切换,中间两颗1μH合金电感用于输出滤波,在电感之间设有谐振电容,右侧为无线充电功率管。
如何让MOS管快速开启和关闭
MOS管驱动线路的环路面积要尽可能小,否则可能会引入外来的电磁干扰。驱动芯片的旁路电容要尽量靠近驱动芯片的VCC和GND引脚,否则走线的电感会很大程度上影响芯片的瞬间输出电流。常见的MOS管驱动波形:如果出现了这样圆不溜秋的波形就等着核爆吧。有很大一部分时间管子都工作在线性区,损耗极其巨大。