选择三浦微MOS管SP45R0P6,再无发热损耗之忧
三浦微SP45R0P6是一款45V/130A导通电阻1.25mΩ的SGT技术NMOS管,具备极低RDS(ON)导通电阻,封装为DFN5*6,通过RoHS无铅无卤素认证。SP45R0P6采用SGT技术制造,相较于传统的Trench结构MOS管,具有更低的导通电阻以及开关损耗。采用这种技术的三浦微MOS管不仅在高频开关应用环境下表现卓越,而且能够更有效地抑制EMI,有...
华芯邦卓越性能碳化硅SiC MOSFET在新能源汽车充电领域的应用
MOS管具有低开关损耗、高开关速度和良好的热稳定性等特点,适用于高频开关应用。在新能源汽车充电机中,MOS管用于控制充电电流的开关。深圳市华芯邦科技有限公司提供多款高压MOSFET产品和碳化硅功率模块,这些器件具有高可靠性和稳定性,能够满足新能源汽车充电设备的需求。MOSFET是汽车电子中的核心元件,汽车引擎、驱动系统中的...
MOS管在汽车LED 中的应用方案
2.电流承受能力:LED驱动电路中需要MOS管来控制电流,因此需要选择能够承受所需电流的MOS管,以避免过载导致损坏。3.开关速度:LED驱动需要快速开关以控制亮度和频闪等特性,因此选型时需要考虑MOS管的开关速度(如开启和关闭时间)以确保系统性能。4.热特性:LED驱动过程中MOS管会产生一定的热量,需要考虑MOS管的导热性能...
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法
电容充放电快慢决定MOS管开通和关断的快慢,为确保MOS管状态间转换是线性的和可预知的,外接电容C2并联在Cgd上,如果外接电容C2比MOS管内部栅漏电容Cgd大很多,就会减小MOS管内部非线性栅漏电容Cgd在状态间转换时的作用。外接电容C2被用来作为积分器对MOS管的开关特性进行精确控制。控制了漏极电压线性度就能精确控制冲...
如果把开关电源的频率无限提升,会发生什么?
可以看到,开关管每开通一次,开关管DS的电压(Vds)和流过开关管的电流(Id)会存在交叠时间,从而造成开通损耗,关断亦然。假设每次开关管每开关一次产生的能量损耗是一定的,记为Esw,那么开关管的开关损耗功率就为Psw=Esw*fs,显然,开关频率越高,开关损耗越大。5M开关频率下开关损耗比500K要大10倍,这对于重视效率的开关...
可应用于高频DC-DC转换器,英诺赛科氮化镓开关管获多家大厂采用
现如今,氮化镓已被广泛应用在充电器产品中,大幅提升了我们日常的充电体验(www.e993.com)2024年9月9日。其高频、高效的特性有效降低了充电器的体积。氮化镓开关管相较于传统硅MOS管有更低的导阻,更快的开关速度,可以有效降低发热,提升整机效率。氮化镓主要分为高压和低压两种,高压氮化镓主要应用在市电供电的开关电源初级,而低压氮化镓,主要应用于...
...发现英诺赛科INN040FQ043A、INN150LA070A等多款低压氮化镓开关管
前言现如今,氮化镓已被广泛应用在充电器产品中,大幅提升了我们日常的充电体验。其高频、高效的特性有效降低了充电器的体积。氮化镓开关管相较于传统硅MOS管有更低的导阻,更快的开关速度,可以有效降低发热,提升整机效率。氮化镓主要分为高压和低压两种,高压氮化镓主要
一文读懂硅动力历年拆解案例有哪些|电源|充电器|转换器|整流器|...
硅动力SP6649DFL为开关电源主控芯片,这是一颗电流模式PWM控制芯片,采用SOP8封装,内置650V高压功率MOSFET,芯片可以工作在绿色模式,以此来减小轻载时的损耗,提高整机的工作效率。SP6649DFL在启动和工作时只需要很小的电流,可以在启动电路中使用一个很大的电阻,以此来进一步减小待机时的功耗。
中国科学院:SiC MOSFET器件高温下最大电流导通能力评估方法
温度升高,功率损耗就会增加,而增加的功率损耗又会反过来是结温升高。很明显,当导通电流或结温升高到一定程度时,结温将对导通电流或功率损耗的增加极为敏感。如果温度或电流继续增加,就会发生热失控。3.1热失控机理SiCMOSFET自发热产生的热量可以用等式(14)表示:...
低压氮化镓器件应用愈加广泛,多款手机、快充设备均有应用
现如今,氮化镓已被广泛应用在充电器产品中,大幅提升了我们日常的充电体验。其高频、高效的特性有效降低了充电器的体积。氮化镓开关管相较于传统硅MOS管有更低的导阻,更快的开关速度,可以有效降低发热,提升整机效率。氮化镓功率器件的应用场景相当广泛,但主要可以分为高压和低压两种类型。高压氮化镓主要应用于市电...