“网红”碳基半导体进展如何?是否像预期的一样完美?盘点2020-2024...
在常规集成电路应用方面,目前碳管电路可能还无法和硅基电路竞争,所以碳基半导体也许更需要差异化发展,未来有望在传感、柔性系统等新领域寻找到出路。另外,作为另一宽禁带典型代表,金刚石,自身作为半导体材料,目前仍处于基础研究尚待突破阶段,在材料、器件等方面都有大量科学问题尚需攻克,例如金刚石材料的高成本和小尺...
三极管的奥秘:如何用小电流控制大电流
基区的非常薄和非常轻掺杂的特性是三极管工作的关键。这个非常薄的基区的创意想法就来自于三位老前辈76年前发明的点接触式三极管:在此之前,半导体二极管已经存在了,电子三极管已经存在了,人们想制作半导体三极管的想法也已经很久了,但是没人想到,问题的关键在这个薄上。我们复习一下二极管耗尽区。二极管耗尽区...
半导体芯片,到底是如何工作的?
因为贝尔实验室不具备硅晶体的切割能力,奥尔将这块熔合体送到珠宝店,切割成不同大小的晶体样品。没想到,其中一块样品,在光照后,一端表现为正极(positive),另一端表现为负极(negative),奥尔将其分别命名为P区和N区。就这样,奥尔发明了世界上第一个半导体PN结(P–NJunction)。二战期间,AT&T旗下的西方电气公司...
讲透三极管_手机新浪网
问题3:传统讲法第2步过于强调基区的薄,还容易给人造成这样的误解,以为是基区的足够薄在支承三极管集电结的反向导通,只要基区足够薄,集电结就可能会失去PN结的单向导电特性。这显然与人们利用三极管内部两个PN结的单向导电性,来判断管脚名称的经验相矛盾。既使基区很薄,人们判断管脚名称时,也并没有发现因为基区的...
2023 中国光学十大社会影响力事件_澎湃号·湃客_澎湃新闻-The Paper
2.创制极化激元“晶体管”,显著提升纳米尺度光操控能力国家纳米科学中心戴庆研究员团队与西班牙光子科学研究所的研究人员合作,发现了基于石墨烯/氧化钼异质结的面内负折射。该发现开辟了传统结构光学路径以外的新方案,实现了高效的纳米尺度光场聚焦和电可调的正负折射转换功能,为纳米尺度光操控提供新方法,有望应用于光...
重磅发布!2023 中国光学十大社会影响力事件(Light10)—新闻—科学网
2、创制极化激元“晶体管”,显著提升纳米尺度光操控能力国家纳米科学中心戴庆研究员团队与西班牙光子科学研究所的研究人员合作,发现了基于石墨烯/氧化钼异质结的面内负折射(www.e993.com)2024年9月11日。该发现开辟了传统结构光学路径以外的新方案,实现了高效的纳米尺度光场聚焦和电可调的正负折射转换功能,为纳米尺度光操控提供新方法,有望应用于光...
中国芯粒技术如何发展?院士专家重磅发布!
硅基板通常包含多层、高密度互连线网络、硅通孔(ThroughSiliconVia,TSV)和微凸点(MicroBump),保证了电源、数据信号在芯粒之间和封装内外的传输,而且可以集成电容、电感等无源元件和晶体管等有源电路。图2.1集成芯片与芯粒的定义集成芯片的概念源于2010年台积电的蒋尚义博士提出的“先进封装”概念,他...
半导体专题篇十五:功率半导体
(1)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)MOSFET是一种基于金属氧化物半导体结构的场效应晶体管。它具有高输入电阻、低开关损耗、高开关速度等优点,因此在高频率、低功率应用中得到了广泛应用。在功率电子领域,MOSFET通常用于低电压、高频率的应用,例如电源适配器、直流-直流变换器等。
为什么D类放大器需要反并联二极管
总而言之,当开关频率与谐振频率相匹配时,流经晶体管的电流为正。这简化了D类配置的电路实现。然而,在实际中,开关频率与谐振频率并不完全相同。让我们来研究一下这种失配对放大器性能的影响。无功负载:在高于其谐振频率的条件下运行D类放大器流经电感器的电流滞后于其上的电压90度。在D类放大器中,即使稍微高于...
北大团队造出90nm碳纳米管晶体管,助推碳基芯片的工程化发展,相关...
相比PMOS晶体管,碳基NMOS晶体管的缩减面临着更大的挑战。主要原因在于NMOS器件的源漏接触,采用比较活泼的金属钪,这很容易被氧化。特别是缩减到比较细的线条时,这会导致器件的接触电阻剧增,进而导致器件的性能迅速恶化,故很难在保持性能的前提下,将碳管NMOS晶体管的整体尺寸缩减到200nm。