独家:全球第四大NAND闪存制造商西部数据悄然启动裁员,比例或达10%

晟碟半导体上海公司是美国西部数据公司下属全资子公司,主要从事先进闪存存储产品的研发、封装和测试,是全球规模较大的闪存存储产品封装测试工厂之一,2016年、2017年及2018年均被中国半导体行业协会评为中国十大半导体封装测试企业。一位在去年首批被裁名单中的晟碟上海公司员工表示,他熟悉的很多技术人员和工程师都被裁了,...

日本铠侠存储芯片产品大盘点:从固态硬盘到闪存芯片的全方位解析

固态硬盘（SSD）EXCERIAPLUS极至光速G3SD10系列：这是一款高性能的固态硬盘，采用了群联公司特别定制的PS5021-E21主控芯片，搭配四颗由铠侠原厂生产的BiCSFlashTLC3D闪存颗粒，支持PCIe4.0的高速传输规格以及NVMe1.4的标准。

321层!SK海力士宣布量产全球最高层数NAND闪存

据SK海力士官网信息，在开发321层NAND闪存过程中采用高生产效率的“3-Plug”工艺技术，克服了堆叠局限。“该技术分三次进行通孔工艺流程，随后经过优化的后续工艺将三个通孔进行电气连接”，同时，SK海力士还“开发出了低变形材料，引进了通孔间自动排列（Alignment）矫正技术”。同时，321层NAND依然使用上一代238层NA...

存储产业今年冰火两重天,明年下半年闪存价格有机会反弹回升

“我们将在2025年加大在新总部大厦研发、制造的布局力度，大客户都在等待验厂认证。明年对我们存在较大的机会。”倪黄忠透露，时创意去年获得了小米的战略投资，将继续聚焦消费手机端为主的嵌入式存储业务，因为手机端存储市场的容量很大。明年下半年，消费端闪存的价格有机会迎来反弹上升的转机。TrendForce集邦咨询研究...

上海华力集成电路制造有限公司申请超级闪存及其制造方法专利,改善...

专利摘要显示,本发明公开了一种超级闪存,器件单元包括位于源区顶部的第一栅极沟槽,在第一栅极沟槽的侧面自对准形成有第一侧墙结构,第一侧墙结构通过对第一隧穿介质层、浮栅和第二氧化层的叠加层自对准刻蚀形成。浮栅的材料包括TiN层第侧墙结构的第二侧面自对准形成有第二侧墙结构,第二侧墙结...

德明利: 深圳市德明利技术股份有限公司向特定对象发行股票并在...

??????(一)上游晶圆等原材料紧缺和价格波动的风险??????晶圆等原材料紧缺风险方面(www.e993.com)2024年11月25日。公司产品主要为??NAND??Flash??存储模组,产成品的成本构成中??NAND??Flash??存储晶圆的占比较高,全球??NAND??Flash??存储晶圆供货商只有三星电子、海力士、美光、西部数据/闪迪和铠侠等少数大型企业,...

粤芯半导体取得嵌入式闪存器件的制作方法专利,有效降低制造成本

专利摘要显示,本发明提供一种嵌入式闪存器件的制作方法,包括:在衬底上形成高压NMOS器件的第一栅极和高压PMOS器件的第二栅极;在无掩膜的条件下向衬底进行高压PMOS的浅掺杂漏注入,注入同时在高压NMOS器件的第一栅极两侧的衬底和高压PMOS器件的第二栅极两侧的衬底形成P型浅掺杂漏区;在衬底上制作图形掩膜层,图形掩膜层具有...

【半导体·周报】再次强调半导体国产替代投资机会

Mobile市场:在移动领域,智能手机需求显示出复苏迹象,CFM闪存市场预计2024年智能手机出货量将小幅增长。美光预计智能手机OEM将在2024年开始大量生产支持人工智能的智能手机,每台额外增加4-8GBDRAM容量。汽车和行业市场:随着电动化趋势发展,智能汽车进入大模块化、中央集成化时代。ADAS进入质变阶段,伴随着L3级及以上自动...

苹果竞购东芝闪存业务 仅仅是为了牵制三星吗?

本东芝公司正在对外转让闪存业务子公司。据外媒最新报道,苹果也正在竞购这一业务。据《韩国先驱报》报道,苹果已经进入了大约十家竞购者名单。虽然开始一直传闻苹果想联合台积电、富士康一起收购东芝闪存业务,但是日本东芝坚持不对中国企业抛出橄榄枝,因为怕泄露核心技术,可能中国企业真的会与东芝收购失之交臂。

存储芯片,中国什么时候能成?

NORFlash属于代码型闪存芯片,用来存储代码及部分数据,是终端电子产品种不可或缺的重要元器件,具备随机存储、可靠性高、读取速度快、可执行代码等特性,在中低容量应用时具备性能和成本上的优势。EEPROM则是一种支持电可擦除和即插即用的非易失性存储器,具有体积小、接口简单、数据保存可靠、可在线改写、功耗低等...